冲击下C轴硫化镉单晶的相变特性

采用前后压电石英计方法系统地研究了c 轴硫化镉单晶在高速平面撞击下的相变特性,首次得到了这种材料的冲击Hugoniot 曲线,并观察到与相变机制有关的应力松弛和双波结构现象.与弹塑性波不同的是,这种由于相变引起的双波结构波形的弹性前驱波,在一定压力范围内,其幅值不随传播距离而衰减.实验结果推断出,相变点同时可能又是屈服点,相变与塑性两种机制也许存在某种耦合作用。     

凿削磨损过程中能耗的测定与分析

本文在一台改装的单颗粒冲击磨损试验机上测定了材料磨损的能量消耗,并提出以单位磨损量的能耗即比能耗来衡量耐磨性。还建立了磨损能耗的分析模型.指出,在凿削磨损条件下,材料的耐磨性主要决定于表面能耗(E表)和变形能耗(E变).对于奥氏体钢,E变是能量消耗的主要原因;而对于马氏体钢E表更为主要。     

刚塑性圆环在对称冲击下的大变形分析

本文对底部支承在劈尖上顶部受刚性质块对称冲击圆环的塑性动力响应作了大变形分析,给出了具体算例的响应全程解,得到了动态变形模态不同于静态塑性破坏机构以及大变形响应与小变形响应不同等结论。     

球形壳在撞击载荷作用下的超临界动态响应

本文研究了球弹性壳在撞击载荷作用下的动态行为。基于Ｐｏｇｏｒｅｌｏｖ的曲面弯曲理论，给出了在任一时刻的壳体变形能的近似表达式，通过能量守恒，得到了描述受冲击后壳体运动控制方程，采用Ｒｕｎｇｅ—Ｋｕｔｔａ方法，求解了此方程，并给出了冲击力，窝陷半径随时间变化的关系曲线。     

冲击应力波设计模型─—冲击应力波设计模型研究（Ⅰ）

冲击式凿岩过程实质上是冲击应力波产生和传递过程，因而冲击应力波设计机具有非常重要的意义。本文分析研究了冲击应力波的基本特征、设计目标和约束条件，建立了冲击应力波设计数学模型。图３，参１１。     

间隙支撑换热管的动态特性

用数值方法求取了换热管在不同的档板间隙、刚度及激振力下的撞击力及动态响应。对撞击力作等效线性化处理,将间隙支承转化为等效线性弹簧刚度K_(eq)支承。并得出如下结论:(1)K_(eq)和激振力、激振频率、档板间隙有关,等效线性系统的响应和撞击的瞬态响应大体上是一致的;(2)激振力、档板间隙对撞击力起重要作用,但这种影响并不呈线性关系,若间隙进一步增大,则撞击力增长趋势减慢;(3)档板刚度对撞击力影响显著,但对碰撞的瞬态曲线的影响并不明显,减小间隙最终受制造工艺制约,但结构上改变档板刚度是有可能减少磨损的。     

旋转配流盘调节排量的轴向柱塞泵配流冲击特性

本文研究利用旋转配流盘调节排量的轴向柱塞泵配流特性及其改善方法,建立了基本计算公式和图表,按照这些计算公式和图表设计配流盘可以获得最佳设计结果。     

冲塞破坏效应的实验研究和二维数值模拟

本文研究了重3.8g的钢制圆柱以700m/s的速度撞击铝板(厚5mm)的弹道冲塞问题,提供了冲塞破坏效应的实验数据,着重介绍了二维Lagrange 2DP程序对冲塞过程的数值模拟结果,研究表明,理论计算与实验结果吻合较好。     

Si，Cu，Mo对奥贝球铁组织和性能的影响

本文研究了Ｓｉ，Ｃｕ，Ｍｏ对奥－贝球铁残余奥氏体含量、冲击韧性以及断裂方式的作用，发现不同元素存在着明确而各不相同的影响规律，含Ｓｉ量（２．７～３．０）％，Ｃｕ合金化程度较大；Ｍｏ合金化程度较小时，残余奥氏体量和冲击韧性较高，球铁呈韧性断裂。含Ｍｏ量较高时合金倾向于沿晶断裂，最后，结合等温淬火参数，本文给出了冲击韧性和抗拉强度的逐步回归数学模型。     

Modulation of low-frequency oscillations in GaAs MESFETs’ channel current by sidegating bias

Low-frequency oscillations in channel current are usually observed when measuring the GaAs MESFET‘s output characteristics. This paper studies the oscillations by testing the MESFET‘s output characteristics under different sidegate bias conditions. It is shown that the low-frequency oscillations of channel current are directly related to the sidegate bias. In other words, the sidegate bias can modulate the oscillations. Whether the sidegate bias varies positively or negatively, there will inevitably be a threshold voltage after which the low-frequency oscillations disappear. The observation is strongly dependent upon the peculiarities of channel-substrate (C-S) junction and impact ionization of traps-EL2 under high field. This conclusion is of particular pertinence to the design of low-noise GaAs IC‘s.