在双层辉光离子渗金属中空位浓度梯度对扩散的影响

在双层辉光离子渗金属中,由于高能量的离子轰击,在金属表面以下一定深度产生高的空位浓度、位错密度和空位浓度梯度.根据空位机制,从扩散流量导出钼的扩散系数的表达式.同时分析了高空位浓度、高空位浓度梯度对金属原子扩散的影响,指出这些是DGPSA的扩散系数远高于普通渗金属方法的主要原因.     

离子轰击碳膜诱导碳纳米尖端的形成和生长

用CH4、NH3和H2为反应气体,利用等离子体增强热丝化学气相沉积系统在沉积有碳膜的Si上制备了碳纳米尖端.用扫描电子显微镜、原子力显微镜和Raman光谱表征了碳膜的结构,以及用扫描电子显微镜和X射线光电子谱表征了碳纳米尖端的结构,结果表明碳膜是凸凹不平的非晶碳膜,碳纳米尖端是由sp2结构的碳组成.根据有关离子的溅射和沉积机制,分析了离子轰击碳膜诱导碳纳米尖端的形成和生长.     

低能离子束辐照诱导的水稻差异表达基因的调控网络研究

用基因芯片检测鉴定离子束辐照下水稻中的差异表达基因（DEGs）.结果共检测到26个上调和6个下调的差异表达基因.共表达网络分析（RiceNET）表明,这些基因都存在着直接或间接的互作网络,暗示水稻存在着以前没有充分认识的基因网络.为进一步研究植物应答离子束辐照候选基因提供了基础.     

氮离子轰击改善胶体石墨薄膜平面场发射特性的研究

研究了氮离子(N )轰击对石墨薄膜场发射特性的影响。片层石墨被N 轰击成较整齐排列的锥尖阵列,尖端密度~108cm-2。XPS谱证实有许多N原子注入薄膜,膜内存在大量sp2杂化轨道键。场发射测试表明,经过N 轰击,整个薄膜在场发射的均匀一致性方面有较明显的改善,场发射电流密度从0·3增大到1·65mA/cm2。     

基因枪技术中微弹加速过程的动力学分析

为确定撞击发射式基因枪的微弹出射速度，以便控制细胞侵入条件，分析了微弹加速过程的动力学间题，包括：简化了挡板及其与微弹运动关系的力学模型，导出了徽弹出射速度公式，实测了微弹的出射速度。通过理论分析与实测结果比较，得出了挡板上与微弹相重合点的速度同微弹出射速度间的折算系数，从而提出了一种用理论分析与实验测试相结合确定微弹出射速度的方法，为基因枪的设计提供了依据。     

动态单模InGaAsP/InP内反射干涉半导体激光器

本文报导了1.3μm InGaAsP/InP内反射干涉型动态单模半导体激光器,器件由质子轰击工艺形成中段耦合干涉腔,最高单模运转调制速率达600 MHz,典型边模抑制比为20∶1。     

利用基因枪法向高羊茅导入bar基因的研究

利用基因枪法,以bar基因转化高羊茅(Festuca arundinacea Schreb.)的下胚轴愈伤组织,对获得的再生植株进行的PCR检测和点杂交分析表明,外源bar基因片段已经整合至高羊茅基因组中.同时,对转基因植株进行的草丁膦涂抹实验发现,转基因植株对除草剂的耐性提高.