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91.
在对流动环境中平面热水负浮力射流进行数值模拟的基础上就近区特性进行分析,得到了不同排放角度和射流比下涡心和分离点位置等特征量的值.分析了水面上流速、温度、湍动能及其耗散率变化规律,对涡心断面上的动量方程和湍动能平衡进行了研究.计算结果分析发现回流区内湍动能最大值存在滞后的现象,浮力作用对时均量的影响较大,而对紊动量的影响则比较小. 相似文献
92.
杨朝霞 《吉首大学学报(自然科学版)》2006,27(1):107-109
采用化学溶液沉积法,用价格低廉的原料成功地制备了Bi2Ti2O7介质膜.制膜过程简单,成本低廉,得到的薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数.用其制备的绝缘栅场效应管与相同尺寸的SiO2绝缘栅场效应管相比,前者具有较高的跨导和较低的开启电压. 相似文献
93.
94.
电流变体系在外场作用下形成一定的固态结构,而其性能与所形成的结构密切相关.不考虑体系非静电力时,体系自由能为静电能的负值,而静电能与有效介电常数成正比.基于Maxwell-Wagner模型,推导出有效介电常数关于颗粒体积比的一系列正幂项解析表达式,计算球颗粒悬浮于介质或导电液体中构成的3种立方结构的有效介电常数.计算结果表明:电流变体系中球颗粒为介质球或是导体球构成3种立方结构中FCC结构具有最低的自由能.电流变液在由液相向固相转变的过程中,形成的固态结构为FCC结构. 相似文献
95.
采用固相合成法制备CuO掺杂的0.2(Na0.5La0.5)TiO3 0.8CeO2复合微波介质陶瓷材料.研究了CuO对该复合体系的烧结性能、微观结构和微波介电性能的影响.研究表明,CuO有效地降低了该复合体系的烧结温度,改善了体系的微观结构.随CuO含量的增加,体系的介电常数εr和Qf值均不断下降.当CuO的掺入量为0.25%(质量分数),在1 400℃烧结,保温2.5 h的条件下,在该复合体系中可得到εr=39.1,Qf=15130 GHz的最佳微波介电性能. 相似文献
96.
在有效质量近似的框架下,应用传递矩阵理论研究了势垒的非对称性对单电子隧穿几率的影响.结果表明:隧穿过程的势垒的形状对隧穿几率影响很大,势垒的对称性破坏的越严重,在低能区域发生共振隧穿的可能性越小.这些可以为设计和制造更加优化的共振隧穿器件提供一定的理论指导. 相似文献
97.
为提高彩色等离子体显示屏的发光亮度和效率,提出了一种新型Ne Xe Kr混合气体.通过测量不同配比和压强条件下混合气体的光电特性,对放电气体进行了优化研究.经综合比较,得出以下结论:在常用放电气体Ne Xe中掺入Kr气,有助于提高显示屏的亮度、光效及获得较佳的白场色度,但充入高Kr含量混合气体的显示屏的功耗很大,因此Kr含量不能过高,其分压比应在0 1%~2%之间,典型气体配比为NeXe8Kr0 5,总的充气压强应在60~80kPa之间.实验结果表明,与NeXe8气体相比,NeXe8Kr0 5的发光亮度和发光效率分别提高了15%和21%. 相似文献
98.
介质阻挡放电与介质阻挡电晕放电用于空气脱硫的比较 总被引:4,自引:0,他引:4
采用同轴管状反应器产生介质阻挡放电,采用同轴线管反应器产生局部电晕放电及介质阻挡电晕放电,研究介质阻挡放电与介质阻挡电晕放电在放电特性与脱硫能耗上的差异.根据V qLissajous图形计算了放电功率、气隙电压及电场强度分布.研究结果表明,相同外施电压下同轴管状反应器比同轴线管反应器具有更高的放电电流,同轴线管反应器中脱除SO2的能量利用率可达31g/kW·h,而在同轴管状反应器中能量利用率可达39g/kW·h.根据气隙放电时电场强度的分布解释了脱硫能量利用率的变化. 相似文献
99.
针对微波介质瓷料系统成瓷过程中介电损耗较大且成瓷温度较高的问题,采用湿化学法制备(Ag0.9Na0.1)(Nb0.6Ta0.4)O3粉体,并采用XRD、IR和TEM等分析方法进行表征.结果表明,800℃灼烧3h所得晶体为三方晶系,平均粒径为34nm.采用这种瓷粉在1060℃制得的瓷件,介电常数ε=508,介电损耗tanδ=4.6×10-4,温度系数αc=-440×10-6/℃,电阻率ρv>1012Ω·cm;当Nb∶Ta=0.7∶0.3,成瓷温度为950℃时,即可获得NPO温度特性.瓷件的介电性能优于固相法,且成瓷温度下降. 相似文献
100.
衍生障碍期权的定价问题 总被引:1,自引:0,他引:1
随着金融市场的不断完善和发展 ,障碍期权的发展有了更大的空间 ,从而衍生出其它形式的障碍期权。利用反射原理 ,多维Girsanov定理和等价鞅测度 ,给出了四种衍生障碍期权的定价公式。为衍生障碍期权在金融市场上的应用创造了条件 ,从而促进市场繁荣。 相似文献