两种渗碳乙烯裂解管的研究

对实验室固体渗碳（Ｐ管）和裂解炉运行渗碳（Ｓ管）的乙烯裂解管进行了研 究。结果表明，两种渗碳管的组织、合金元素分布及导磁性存在着显著差别。Ｐ管 渗层中二次碳化物量大，非渗层中无二次析出，而Ｓ管则相反。Ｐ管渗层及非渗层 基体的铬含量均高于Ｓ管。在试验条件下，随频率降低，Ｐ管导磁层厚度减少，而 Ｓ管不受影响。     

电弧炉供电线路的无功补偿原理与控制系统

指出了无功补偿的目标。用旋转矢量法和演绎法对电路进行分析后得出结论:为达到补偿目标,补偿器应是一个可以快速控制的无功网络,固定电容器与晶闸管控制的电抗器并联,能构成符合要求的网络。用对称分量法导出了补偿电流同负荷电流的关系式,进而运用复功率的概念导出了补偿电流同负荷无功功率的关系式,并以后一种补偿规律表达式为基础,提出了控制系统的结构,简述了几个环节的工作原理。     

用线组法测定电弧等离子体的激发温度

本文根据谱线强度和激发温度间的函数关系,以铁作测温物质,采用线阻法测量电弧等离子体的激发温度。测得激发温度为5142.86k.     

接镉作业人员发镉的石墨炉原子吸收法测定

用石墨炉原子吸收法测定了从事镉化工、镉熔炼作业人员的发镉，证实其污染严重，含量达９．３～２５．２μｇ／ｇ，为正常人的１００～４００倍。样品用ＨＮＯ３和ＨＣｌＯ４消解；加１％ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４以改进基体，更好地进行灰化；用加钙标准曲线修正基体干扰。以此法测定人发标准样ＢＢＷ０９１０１，测定值为０．０９８±０．００４，与标准值０．０９５±０．０１２μｇ／ｇ相符，误差＜４％。     

双DDA圆弧插补公式误差分析

本文介绍了ＣＮＣ系统采用两次插补方式，使用的一种新的ＤＤＡ圆弧插补公式：双ＤＤＡ圆弧插补公式。对该公式的误差分布进行了详细的理论推导和证明，并得到了插补点坐标的一般表达式，而且结合两次插补原理，推导出了双ＤＤＡ圆弧插补公式的弦拟合误差的分布范围。     

高炉冷却壁温度场分布与热流强度的关系

本文阐述了高炉冷却壁在稳定状态下的温度分布的数值解析方法，分析了热流程度对铜冷却壁和铸铁冷却壁最高温度的影响。比较了铜冷却壁与铸铁冷却壁的优劣。     

有机低维单晶生长炉的设计

对区域熔融法生长有机低维单晶的炉体结构做了新的设计和实验，同时成功地生长出有机材料ＡＢＰ纤维和薄膜两种形态的低维单晶。     

均匀送风管出口截面型线的研究

对变出口截面均匀送风管道的出口截面变化规律进行了较深入的研究，利用流体力学的基本方程，建立了能使风道出流流量均匀分配的变出口截面型线高度的理论计算式，讨论了影响出口截面型线高度变化的各种因素，相应的试验研究表明，理论预测值与试验结果两者相符甚好。     

SF6断路器灭弧室内电弧与气流间的相互作用

采用将一维电弧模型与二维气流场相结合的计算方法，对ＳＦ６断路器灭弧室内大电流稳态燃弧期间电弧与气流间的相互作用进行了计算分析，着重研究了电弧阻塞效应及其应用，并对不同灭弧室结构对热气流场的影响进行了探讨，最后给出了更适合于混合型ＳＦ６断路器的灭弧室结构。