Si_3N_4结合的SiC耐火材料的表面氧化处理

对 Si_3N_4 结合的 SiC 耐火材料进行了表面氧化技术的探索。研究表明:Si_3N_4 的氧化趋势大于 SiC;适当地表面氧化处理,能使材料强度得到提高,但氧化时间过长,可能引起材料表面损伤;在一定条件下,材料气孔率愈大,强度提高愈显著;给出了该材料合理的配方和进行表面氧化处理应注意的问题。     

热历史对Sialon／SiC_（p）复合陶瓷的相稳定性及力学性能的影响

研究热处理对致密Ｌｎ－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）复合陶瓷中α相稳定性的影响及由此引起的显微结构调控和力学性能变化，其中Ｌｎ＝Ｎｄ和Ｙｂ．Ｎｄ－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）中，α相热稳定性差，几乎全部相变为β相，而大量长柱状β晶粒的存在并未明显改善材料的断裂韧性（ＫＩＣ），原因在于长时间热处理导致晶粒相互聚集粗化．相对而言，Ｙｂ２Ｏ３可有效稳定α相，因此Ｙｂ－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）中含有许多等轴状α晶粒，高硬度是此种材料力学性能的显著特征．     

双环缝喷射共沉积SiC颗粒的捕获与分布研究

采用坩埚移动式喷射共沉积装置及其双环缝复合雾化器制备了SiC颗粒增强铝基复合材料坯件,研究了过程中增强颗粒的捕获机制及特点.实验结果表明,双环缝复合雾化器所引入的SiC颗粒捕获率较高,分布均匀;增强颗粒主要在雾化初时阶段被雾化液滴所捕获,而沉积坯表面因基本呈固相且温度较低,对SiC颗粒的直接捕获效果不明显;沉积坯快冷凝固界面前沿捕获对SiC颗粒的分布影响不大,SiC颗粒在沉积坯中的最终分布主要取决于由雾化液滴对增强颗粒的捕获,特别决定于SiC颗粒在单个雾化颗粒内部及空间雾化颗粒群中的分布.     

Au/n-ZnO/p-SiC紫外探测器的研制和特性分析

采用宽禁带半导体n-ZnO和金属Au作肖特基接触,n-ZnO和同为宽禁带半导体p-SiC形成异质结,Ti,Ni,Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n-ZnO/p-SiC结构的紫外探测器.测试分析了该器件的光谱响应特性,响应范围为200～400nm,在室温和一定反偏压下,响应峰值为313nm,半宽为65nm.同时测试分析了该器件的I-V特性,室温下,反向工作电压大于5V,反向击穿电压为70V.实验表明,此结构紫外探测器具有良好的紫外响应特性以及较低的反向漏电流和结电容.     

Fabrication and superconducting properties of nano-SiC doped MgB2 tapes

Nano-SiC doped MgB2 tapes were prepared by the in situ powder-in-tube method. Heat treatment was performed at 650℃ for 1 h. XRD data indicate that SiC particles had reacted with the MgB2 during sintering process. MgB2 core seemed to be denser after SiC doping, and the critical temperature was slightly depressed. The critical current density Jc of the SiC doped tapes was significantly enhanced in magnetic fields up to 14 T compared to the undoped ones. For the 5% SiC doped samples, Jc was in- creased by a factor of 32 at 4.2 K, 10 T. The enhancement of Jc-B properties in SiC doped MgB2 tapes is considered to be due to the enhancement of grain linkages and the introduction of effective flux pining centers. The substitution of B by C in MgB2 grains is thought to be the main reason for the improve- ment of the flux pinning ability in SiC doped MgB2 tapes.     

多节状SiC晶须的合成及在矿冶工程材料中的应用

运用TEM、XRD等分析检测技术对SiCw的形貌结构、长度与直径分布及其应用于复合材料中的特性进行了检测。研究表明：SiCw产品以直晶为主，表面呈多节状，以-SiC为主要晶型，直径为0.2～1.5m,长度为30～200m。此外，作者对SiCw在矿冶工程材料中的应用进行了展望。     

提高Si_3N_4结合SiC棚板坯体成型密度的研究

为了获得性能优良的Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ棚板，就棚板制造过程中的配料及成型工艺等问题进行了实验研究，探讨了提高Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ棚板坯体密度的最佳途径。实验表明：振动成型时，振动时间和振动压力要匹配适当，才能得到最佳的坯体密度。工艺调整适当后，Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ棚板实际使用寿命可达５００次以上。     

硅基SiC薄膜的制备及性能研究

文章采用电子束物理气相沉积法在单晶Si(100)基片上制备了单层SiC薄膜和Al2O3/SiC双层膜,然后在不同温度下经氩气保护退火。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对所制备的薄膜进行了结构和表面形貌分析。研究表明:退火后SiC薄膜由非晶态转为晶态,随退火温度的升高,薄膜结晶更充分,薄膜表面平均粗糙度变小;双层膜与单层膜相比,其SiC衍射峰有所增强,薄膜表面更加平滑。     

ZL102表面直接化学复合镀Ni-P-SiC镀层的结构与性能

采用直接化学复合镀法在铸铝102合金表面制备Ni-P-SiC复合镀层,利用XRD、扫描电镜等对镀态复合镀层的结构和形貌进行分析,并对镀层的显微硬度、结合力及耐蚀性进行测试.结果表明:镀层表面平整均匀;复合镀层中SiC微粒分布均匀且复合量较高,镀层厚度均匀、致密;复合镀层相结构更类似于非晶态;镀层镀态显微硬度可达823.8HV;镀层与基体结合较好,且复合镀层极大地改善了基体的耐蚀性.     

SiC埋层的红外吸收特性研究

在较低衬底温度下，用离子合成技术对单晶Ｓｉ衬底进行高能Ｃ＋离子注入，可获得含有ＳｉＣ的埋层，经高温退火形β－ＳｉＣ颗粒沉淀。通过傅里叶经外吸收谱对其研究有明埋层中ａ－Ｓｉ和β－Ｓｉ共存，且有一含量最高区。