聚晶金刚石刀具低温冷却铣削Cf/SiC磨损机理

采用聚晶金刚石(PCD)刀具对C_f/SiC陶瓷基复合材料进行干式和低温冷却铣削试验,获得了PCD刀具在干式和低温冷却铣削条件下的前刀面和后刀面磨损形貌,测得了不同铣削长度所对应的主切削力和后刀面磨损量,分析了PCD刀具在不同铣削条件下的磨损机理及寿命可靠性。研究表明:在低温冷却条件下,PCD刀具以磨粒磨损为主要磨损机理,失效表面存在明显沟槽磨损和大量长条状划痕;而在干式铣削条件下,PCD刀具以磨粒磨损和局部氧化磨损为主要磨损机理,失效表面呈现均匀的磨损带;低温冷却使PCD刀具有效使用寿命提高约100%。     

晶硅片切割用再生砂水力分级影响因素研究

探讨了沉降时间、料浆浓度、p H值以及电导率对再生砂水力分级中产品率的影响,通过对各影响因素的优化,得出脱除超细颗粒的沉降时间为6 h、GC#2000产品分级的沉降时间为4.5 h、GC#1500产品分级的沉降时间为3 h,GC#1200产品分级的沉降时间为1 h,料浆浓度为30%~40%,p H值为8~10,电导率小于300μS/cm时,分级产品率较高,产品质量较好。     

磨料颗粒对不同电极材料上肾上腺素的循环伏安性质的影响

利用循环伏安法研究了磨料颗粒对玻碳电极和铂电极电催化肾上腺素在0．5mol/LH2SO4介质中氧化过程的影响．结果表明,磨料颗粒使玻碳电极对肾上腺素的电氧化表现出较高的电催化活性,而对铂电极没有改善;对于SiC、Al2O3两种磨料,都是砂纸打磨最好,磨料粉打磨较差,粘附磨料粉最差;不论砂纸打磨、磨料粉打磨,还是粘附粉。都是SiC好于Al2O3;随着砂纸的粗糙程度增大。电流强度增大,电位差基本不变;肾上腺素在不同预处理电极上的电子转移过程均为扩散控制．     

W/Hf摩尔比对HfB_2-WB_2-Si/SiC-SiC_(NW)复合涂层抗氧化性能的影响

为了提高C/C复合材料高温抗氧化性能,依次采用前驱体浸渍裂解、反应熔体浸渗和浆料涂刷工艺在C/C复合材料表面制得HfB_2-WB_2-Si/SiC-SiC_(NW)复合涂层,考察了W/Hf摩尔比对复合涂层物相组成、微观结构及抗氧化性能的影响。结果表明,当W/Hf摩尔比为2∶3时,所制HfB_2-WB_2-Si/SiC-SiC_(NW)复合涂层组织均匀、结构致密,表现出最佳的抗氧化性能。在涂层氧化过程中,WO_3的分相效应和HfSiO_4等高熔点颗粒的钉扎效应共同作用能使涂层表面氧化物玻璃相具有较高热稳定性和较低的氧扩散率,有利于提高涂层的抗氧化性能。     

超导金属小粒子的电子比热研究

利用随机矩阵理论中能级统计的方法,考虑能级分布和能级关联的影响,给出适合于金属小粒子的自恰方程,并详细数值计算了无外场作用时超导金属小粒子s=0及s=1/2两个自旋态能隙参量和临界转变温度随金属小粒子粒径的变化规律,以及在不同粒径时的电子比热.并在自旋s=0时理论结果得到了实验上观察到的超导增强效应.     

Silicon carbide resonant tuning fork for microsensing applications in high temperature and high G shock environments

We present the fabrication and testing of a silicon carbide(SiC)balanced mass double-ended tuning fork that survives harsh environments without compromising the device strain sensitivity and resolution bandwidth.The device features a material stack that survives corrosive environments and enables high-temperature operation.To perform high-temperature testing,a specialized setup was constructed that allows the tuning fork to be characterized using traditional silicon electronics.The tuning fork has been operated at 600 ℃ in the presence of dry steam for short durations.This tuning fork has also been tested to 64 000 G using a hard-launch,soft-catch shock implemented with a light gas gun.However,the device still has a strain sensitivity of 66 Hz/με and strain resolution of 0.045 με in a 10 kHz bandwidth.As such,this balanced-mass double-ended tuning fork can be used to create a variety of different sensors including strain gauges,accelerometers,gyroscopes,and pressure transducers.Given the adaptable fabrication process flow,this device could be useful to micro-electro-mechanical systems(MEMS) designers creating sensors for a variety of different applications.     

液相脉冲放电法合成碳化硅纳米晶

采用在有机物液体中脉冲放电的方法,以液态有机物二甲基硅油为原料制备了具有纳米尺寸的碳化硅颗粒。产物成分由X射线衍射和Raman光谱确定,碳化硅粉体为β型;尺寸由X射线衍射估算并由透射电镜观察,平均晶粒尺寸在20nm左右。     

混料工艺对SiCp/AI复合材料SiC颗粒分布均匀性的影响

采用元素粉末法制备体积分数为12%的SiCp/2024Al复合材料,利用三维高效混料机混料,研究了混料工艺对SiC颗粒在基体中分布均匀性的影响.实验结果表明:球料比、混料时间和颗粒尺寸对SiC颗粒在基体中的分布均匀性有重要影响;球料比1∶2时,由于输入的能量较低,难于实现SiC颗粒在基体中的均匀分布;球料比5∶1时,随着混料时间的延长,SiC颗粒分布均匀性逐渐提高,达到一定时间后不再提高;当球料比5∶1,混料时间20h时,尺寸为3.5μmSiC颗粒在基体中分布均匀性最好,0.8μmSiC颗粒在基体中的分布则存在团聚现象.     

利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望

作者介绍了SiC MESFET(metal semiconductor field effect transistor,金属半导体场效应晶体管)器件的优点和离子注入技术在SiC器件制备中的发展趋势,提出一种用离子注入技术制备新型结构的SiC MESFET器件的方法,讨论了这种新型结构的优点,最后给出用离子注入技术制备SiC MESFET器件的设计过程。     

沉积在氧化铝模板上的纳米SiC的结构和发光性质研究

用二次阳极氧化法制备了高质量的氧化铝模板,用磁控溅射法在氧化铝模板上溅射生长了非晶SiC材料.原子力显微镜结果显示,在不同的溅射气压下(0.5～1.5Pa),能够形成层状、点状和棒状的SiC纳米结构.光致发光谱显示,在550～700nm之间有一个很强的发光峰,随着生长条件的改变,这个发光峰的强度有显著的变化.分析了纳米结构的形成、发光峰的变化与制备条件的关系.