论霍耳测量问题

利用合理的边界条件，通过解拉氏方程．导出了一个普适的霍耳电压公式．利用这个公式，不仅可以解释常规霍耳效应中电极对霍耳电压的强短路作用，而且还可以解释量子霍耳效应中电极对霍耳电压的零短路作用．     

GaAs／Ga1—xAlxAs 量子阱结构能带的不连续性

用改进的方势阱模型、半导体统计方法,研究了决定GaAs/Ga_(1-x)Al_xAS量子阱结构中能带不连续的参数Qe与热平衡费米能级的关系,Qe作为一个统计参数,不仅与组分x、阱宽L有关,还与温度有关,计算表明,对不同的x、L值,Qe的数值可在一个相当大的范围内变化,在同样组分下,阱宽越大,Qe越小;在同样阱宽下,组分越高,Qe越小,计算结果与一些实验结果符合得很好。     

一维两体δ作用玻色费米气体的精确本征值

一维两体δ作用玻色费米混合气体就是用具有超矩阵的量子非线性Schrǒdinger 模型描述。利用量子反散射方法精确地求出了该系统的本征态、本征值和 Betheansatz 方程。另外,还讨论了本征态所具有的守恒关系。     

非晶半导体超晶格薄膜的光声谱研究

本文对a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜进行了光声谱研究.在光声谱中可以观察到由于量子尺寸效应所引起的吸收边“兰移”现象.将超晶格系列样品的光声谱与它们的光吸收谱以及本征硅的光声谱作了比较,研究表明,在a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格中光生载流子(电子和空穴)的非辐射复合比本征硅要大得多.光生载流子在带间的跃迁主要属于辐射跃迁,在带尾间的跃迁,主要属于非辐射跃迁.     

再论修正的相对论

本文对修正的狭义相对论进行了补充讨论，并建立了修正的广义相对论，它在超光速情形不出现逻辑诡辩。     

提高高频晶闸管di/dt耐量的研究

为提高高频晶闸管的动态指标和高频性能，通过实验分析和理论推导，研究了工艺参数和设计参数对高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ耐量的影响。实验结果表明：较低的一扩浓度，较薄的基区宽度以及用高能电子辐照控制少子寿命，有利于提高ｄｉ／ｄｔ耐量。通过对相同工艺三种不同阴极图形的８００Ａ、１０ｋＨｚ高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ的研究，论证了合理确定辅助晶闸管面积对提高ｄｉ／ｄｔ的重要性，并指出，在大面积高频晶闸管中设计二级放大门极，有利于提高ｄｉ／ｄｔ耐量。     

农业生产结构的统计分析

本文用多元统计分析的方法对奈曼旗农业生产结构进行定量研究和分析,并将农业产值、粮食单产和粮食总产量关于劳力、农用总功、肥料等3个主要生产因素建立了多元线性回归模型,为奈曼旗农业生产结构的改善提供科学依据。     

The logic of experimental tests,particularly of Everettian quantum theory

Claims that the standard procedure for testing scientific theories is inapplicable to Everettian quantum theory, and hence that the theory is untestable, are due to misconceptions about probability and about the logic of experimental testing. Refuting those claims by correcting those misconceptions leads to an improved theory of scientific methodology (based on Popper׳s) and testing, which allows various simplifications, notably the elimination of everything probabilistic from the methodology (‘Bayesian’ credences) and from fundamental physics (stochastic processes).     

真空不空

从Einstein的引力理论和量子场等方面来说明真空并不是空无一物的状态,而是潜在的含有粒子世界的一种状态,真空是"充满着生机的真空."我们对真空的认识已经从现象的容器转变为最重要的动力学量.