Nb对奥氏体→铁素体相变动力学影响的模型

在热模拟实验中,通过奥氏体区不同时间的等温得到具有不同固溶Nb%、相同晶粒尺寸的奥氏体,然后以1~5 K/s冷速冷却至室温获得连续冷却膨胀曲线.在Rios理论推导基础上,开发了一种基于Johnson-M ehl-Avrami-Kolmogorov(JM AK)方程和可加性法则的建模方法.建立了不同固溶Nb%条件下的奥氏体→铁素体相变动力学模型,结果表明,固溶Nb%对指数n没有影响,而动力学参数k随着固溶Nb%的增加而减小,即固溶拖拽效应增强.     

NbCl5氢还原制备金属铌粉的热力学模拟

基于过程模拟开发组件库SimuSage开发了通过氢气还原氩气气氛中的NbCl5制备超细铌粉的热力学模拟程序,讨论了蒸发温度、载气用量(Ar(g))、还原反应温度、H2(g)用量、收集区温度等关键参数的影响.研究表明:NbCl5(s)的蒸发率以及气相中NbCl5(g)的浓度取决于蒸发温度及氩气的用量;还原温度为1000℃时固相产物为Nb(s)单一相所需的最小H2(g)用量为20 mol/1 mol NbCl5;提高收集区温度有利于获得高纯度固相Nb粉产物.     

含Nb船板钢再结晶行为及控轧工艺研究

在Φ450轧机上对含Nb船板钢进行阶梯轧制,研究不同变形温度和变形量下高温奥氏体再结晶行为,绘制出奥氏体形变再结晶区域图,根据再结晶区域图进行热轧实验,通过两种不同的控轧工艺实验对比,寻求力学性能稳定的含Nb船板钢控轧工艺。结果表明,变形温度为1000℃,20%的变形量可发生奥氏体再结晶;变形温度为900℃,低于30%的变形量不发生奥氏体再结晶,变形量增大至40%～50%,发生部分奥氏体再结晶;变形温度为850℃,50%的变形量也不发生奥氏体再结晶。终轧温度提高至910℃,利用超快速冷却技术,合理控制精轧阶段的变形量,可使含Nb船板钢获得与低温终轧条件相当的力学性能。     

水热法制备四方相KTa0.6Nb0.4O3及其电导与光学性能的研究

利用水热合成法在温度180～240℃和KOH浓度7～18mol/L的条件下合成了四方相KTa0.6Nb0.4O3（KTN）超微粉.通过XRD、UV-Vis和电导率等的测试分析,对粉体的水热合成工艺和性能进行了系统的研究.结果表明：KTN超微粉的相结构随着合成温度和矿化剂浓度的增加,从立方相过渡到四方相,且晶粒尺寸也随之增大.当KOH浓度增加时,KTN的禁带宽度Eg值由3.24eV增至3.34eV;当合成温度升高时,Eg值几乎没有变化.在KTN中掺杂金属W6＋离子,可降低KTN陶瓷的电导率和漏电流,增大极化强度,使其易于极化,提高KTN材料的实用性.     

Fe-Ni-Nb-B磁性非晶合金的制备及研究

用机械合金化法（MA）制备了Fe-Ni-Nb-B的磁性非晶材料．X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）及振动样品磁强计（VSM）的测试结果表明：Fe-Ni-Nb-B的混合粉末在MA过程中可形成非晶态，且此非晶态可长期稳定存在．     

晶态锂离子固体电解质的最新研究进展

锂离子电解质是高功率密度和能量密度、长循环寿命和安全性能良好的锂离子电池的关键材料之一,对锂电池的发展起着非常重要的作用。简单介绍了几种主要类型锂离子晶态固体电解质材料的研究情况,并详细概括了最近晶态锂离子固体电解质的研究热点材料——类石榴石结构的Li5La3M2O12（M=Ta,Nb）锂离子导体,最后对以Li5La3M2O12（M=Ta,Nb）锂离子导体为代表的晶态锂离子固体电解质的研究做出了展望。     

无定形C掺杂对MgB2微结构和超导电性的影响

采用原位法粉末装管工艺制备了MgB2-xCx/Nb/Cu单芯线材.通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(EMS)和物性测试仪(PPMS)等手段研究了无定形C掺杂对线材微观结构及超导电性的影响.结果显示,随着C掺杂量的增加,进入MgB2晶格的C含量增加,MgB2层间结构不变.样品性能达到实用化超导磁体要求,在温度30 K外场0.2 T条件下,C掺杂量x=0,0.05,0.10,0.15的样品临界电流密度分别达8.1×104,1.7×105,1.6×105和1.0×105A/cm2.实验表明最佳C掺杂量x在0.05与0.10之间.     

预烧工艺对KNLNT基陶瓷相结构和电性能的影响

采用传统固相法制备了(K0.46Na0.50Li0.04)(Nb0.85Ta0.15)O3(KNLNT)无铅压电陶瓷材料,研究了不同预烧温度和不同预烧保温时间对KNLNT基无铅压电陶瓷的相结构、显微结构和电性能的影响.结果表明:当预烧850℃保温9h时,1135℃烧结2h的陶瓷材料各项性能较佳,其电性能参数分别为d33=248pC/N,εr=1130,tanδ=0.019,Kp=0.54,Qm=70,Pr=28.38μC/cm,Ec=14.31kV/cm.     

以SiO2/Si为衬底的Ba1-xLaxNbyTi1-yO3薄膜的敏感特性

通过离子束溅射技术淀积在SiO2/Si衬底上的钛酸镧钡铌膜（Ba1-xLaxNbyTi1-yO3），制成集薄膜电阻和金属－绝缘体－半导体（MIS）电容为一体的传感器。实验结果表明，薄膜电阻在303－673K温度范围内对可见光和热具有良好的灵敏特性，同时MIS电容对相对湿度有很高的灵敏度。我们测试了此薄膜的光吸收特性，并得到了它的禁带宽度。最后，我们研究了薄膜电阻的阻抗温度频率特性和频率对MIS电容湿敏特性的影响。     

Nb超导薄膜的射频磁控溅射和阳极化的研究

本文报道了在国产JS—450A装置上,用射频磁控溅射制作高质量Nb膜的方法,所得Nb膜的Tc可达9.2K。在CS—308闭合循环制冷机上对于用这种Nb膜制成的超导微桥进行了低温测试,得到了Ic～T的变化关系和在微波辐照下的交流I—V特性。比外,本文还介绍了Nb膜阳极化研究的实验结果,以及Nb桥弱化处理方面的工作。