用化学平衡法研究Fe—Nb—C熔体的热力学

CO—CO_2混合气与Fe—Nb—C熔体和NbO_2(s)的平衡实验是在Al_2O_3或ZrO_2坩埚中进行的。实验表明,在1073～1273K间的低温下产生碳沉积是不可避免的。熔体上方的气相氧分压用固体电解质电池测定。与熔体中Nb成平衡的氧化物被确定为NbO_2(s)。测得1823K时反应[Nb]+O_2=NbO_2(s)的平衡常数K=6.31×10~(10),因此,可得反应的标准自由能: ΔG°=-377150(J/mol)求出了碳对Nb和Nb对碳的活度相互作用系数为: e~C_(Nb)=-0.74;e~(Nb)_C=-0.092     

含Nb微合金钢中固溶Nb与非固溶Nb的定量测定与应用

提出了一种Nb微合金钢中固溶Nb和非固溶Nb定量测定的方法。该方法包括化学溶解、过滤分离和电感耦合等离子光谱分析等步骤。结果表明:利用该方法可以准确地分析钢中固溶Nb的含量。该方法可以用于研究Nb在加热过程的溶解行为、热变形过程中析出行为,为定量研究Nb在钢中的作用提供一个有效的途径。     

Bi(Pb)SrCaCuO系超导膜的化学喷雾淀积法

介绍用化学喷雾淀积法(CSD法),制备Bi(Pb)SrCaCuO超导膜的研究情况。并对所制样品进行了超导性能的测量和电镜,x射线衍射的测试。测量结果表明:所制膜厚约为50μm,零电阻温度为74K,超导转变温度为98K。样品呈正交结构。     

清洁Nb（100）面的结构

采用低能电子衍射(LEED)动力学计算法,计算了Nb(100)面的各种弛豫结构的Ⅰ—Ⅴ曲线,使之与实验曲线拟合,用R 因子对这些可能的结构进行搜寻和分析.结果表明清洁Nb(100)面最顶层层间距为1.46(?),与体内相比向内收缩了11%,次层层间距为1.72(?),向外膨胀了5%,与清洁的Ta(100)面的结构相似.     

Nb 在空气中的氧化动力学及成膜机制的研究

研究了Ｎｂ在空气中（温度低于５００℃）的氧化动力学规律。用离子注入惰性气体（Ｘｅ离子）作为标记、用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）分析研究了Ｎｂ氧化膜的成膜区域及离子迁移机制。利用椭偏仪测量了氧化膜厚度,用Ｘ射线分析、Ｘ射线电子能谱（ＸＰＳ）分析研究了氧化膜的成分及价态,最后探讨了温度对标记原子的影响。     

L—B膜的制备技术

本文回顾了自L—B膜研究起源以来L—B膜的制备技术的发展,并介绍了制备L—B膜的各种方法以及目前国际上L—B膜制备研究领域的前沿状况。     

平面S—N—S变厚微桥

本文介绍用剥离工艺制作的S—N—S型微桥(Nb—Mo—Nb),S—S′—S型微桥(Nb—PhIn—Nb)及S—S′N—S型微桥(Ib—PbIn Cu—Nb)在4.2K温度下的微桥(Nb—PhIn—Nb)及S—S′N —S型微桥(Ib—PbIn CU—Nb)在4.2K温度下的直流Ⅰ—Ⅴ特性,并对这些特性曲线作了比较,看到了明显的弱化作用。     

方形硼硅膜在压力作用下形变的ANSYS仿真

本文给出了一种用计算机软件ANSYS分析微传感器中的传感元—硼硅膜在压力作用下形变的方法。     

甲壳质,壳聚糖成形加工及其应用

本文对甲壳质、壳聚糖成形、加工及其应用进行了综述。甲壳质纤维可由凝固再生法、甲酸溶液法制备,而壳聚糖纤维可在铜—氨凝固浴、氢氧化钠—乙醇凝固浴以及酸性凝固浴中制备。由壳聚糖制得的薄膜可作为透析膜、RO膜、UF膜、PV膜、催化机能膜使用。而壳聚糖空芯颗粒可作为固定化载体、色谱用载体以及作为医学材料使用。     

Nb在现代铁素体不锈钢中的应用研究进展

Nb元素越来越多地被应用于铁素体不锈钢中以提高其性能。本文综述了Nb对铁素体不锈钢强度、韧性、耐腐蚀、抗高温氧化等性能影响的研究进展,以及国内外含Nb铁素体不锈钢在汽车、建筑、家用电器等领域中的应用现状。分析了目前我国含Nb高性能铁素体不锈钢研发中存在的主要问题,认为我国未来应重点研究新型超临界温度的含Nb耐热不锈钢等高端装备制造材料,以促进含Nb高性能铁素体不锈钢的研发和生产,改善我国不锈钢的品种结构。     

Nb／Al／Nb多层薄膜介面的探讨

本文报导Ｎｂ／Ａｌ／Ｎｂ多层薄膜的阳极氧化实验和其电压谱图技术。并着重分析谱图上Ａｌ／Ｎｂ介面凹谷随Ａｌ膜厚度变化的现象及其产生的原因。     

激光扫描淀积原位生长高TC超导薄膜

用激光束扫描淀积的方法，成功地在ＺｒＯ２（Ｙ），ＬａＡｌＯ３基片原位生长高质量的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ高温超导薄膜，其临界温度达到９０Ｋ以上，ＳＥＭ及ＸＲＤ分析表明，薄膜沿Ｃ轴择优外延生长，其结晶性很好，表现光滑均匀。     

14MnNbq钢中Nb的作用

14MnNbq钢是为满足我国制造大跨度桥梁而开发的新型微合金化用钢。文中通过对14MnNbq钢板进行模拟控轧控冷试验，利用光学显微镜、透射电子显微镜、电化学萃取分析等检测分析技术和手段，分析了Nb及其碳氮化物在控制轧制和控制冷却各阶段的作用及其对钢材微观组织和性能的影响；分析指出，为了充分发挥Nb的作用，在精轧阶段未再结晶区应尽可能增加变形量，轧后冷速以及终冷温度可按现场条件进行适当控制，以保证Nb（CN）的充分析出，证明Nb具有较强的细晶强化作用和中等的沉淀强化作用。     

Nb对低碳Si-Mn钢连续冷却转变的影响

利用Gleeble 1500对含Nb与不含Nb两种低碳Si-Mn钢进行了连续冷却转变实验,并绘制了未变形及变形条件下的CCT曲线.结果表明:在未变形条件下,Nb的添加降低了铁素体相变温度(Ar3),使未变形CCT曲线下移;在变形条件下,应变诱导析出的Nb(C,N)等析出物使铁素体的转变温度上升并降低了贝氏体的转变冷速,从而使Ar3提高,CCT曲线上移;在变形条件下,Nb使铁素体晶粒明显细化,进而使实验钢的硬度明显提高.     

天然Nb的快中子辐射俘获截面

用大液体闪烁探测器和飞行时间法,相对于~(197)Au测量了0.7—1.4MeV能区天然Nb的中子辐射俘获截面.在0.5—2.0MeV能区,对~(93)Nb的辐射俘获截面进行了理论计算.     

纤维双相钢的组织形成及对性能的影响

研究了纤维双相15Mn2Nb钢组织的形成及对性能的影响.结果表明,纤维双相钢具有优异的强塑性匹配,是一种天然的复合材料.其纤维组织的获取主要取决于合金化和热处理工艺规程,而合金元素Nb阻碍铁素体再结晶是形成纤维组织的关键.     

Nb5N6 thin film on silicon and silicon oxide: A good material for terahertz detection

Voltage responsivity of bolometer will benefit from high temperature coefficient of resistance （TCR） of the material. The Nb5N6 thin solid films we proposed in this paper have high TCR, compared with the commonly-used materials such as Nb and Bi. The films were sputtered on Si（100）, SiO2/Si（100）, SiO2 substrates by using radio frequency （rt） magnetron sputtering. The deposition conditions have been optimized to get high TCR. The highest TCR is over 0.91% K^-1 at 300 K and up to 4.5% K^-1 -7% K^-1 at 78 K, which is good enough to be used in terahertz detection and thermometer fabrication in the range from 78 K to 300 K.     

聚变堆用Nb_3Sn超导磁体设计分析

文章介绍了Nb3Sn CICC超导磁体的设计分析过程。根据超导磁体设计要求,以零维模型为基础,给出了磁体设计的基本方法与公式,得到了磁体运行的主要性能参数。计算结果表明,导体具有较大的温度裕度和稳定性裕度,磁体的设计是安全可靠的。     

厚规格汽车轮辐用钢的焊接性能

为了研究含Nb微合金控轧控冷厚规格汽车轮辐用钢的焊后组织、性能、冷裂纹敏感性及微合金元素对焊接性能的影响,采用理论计算评定试验钢的冷裂敏感性和淬硬倾向;利用直流氩弧工艺,模拟车轮厂焊接工艺参数,对钢板进行焊接.利用光学显微镜和电子显微镜研究试验钢板焊后接头的微观组织结构;并对接头的力学性能进行研究.试验结果表明,厚规格汽车轮辐钢的热影响区(HAZ)冷裂倾向小;微合金元素Nb的加入提高了焊接热影响区性能;焊接后各部位组织、性能未发生明显改变.可得出结论:厚规格汽车轮辐钢的焊接性能较好.     

Design and fabrication of superconducting HEB mixer

This paper describes the design and fabrication of superconducting hot electron bolometer （HEB） mixer based on ultra-thin superconducting NbN films. The high quality films were epitaxially grown on high resistance Si substrates. The device was fabricated by magnetron sputtering, electron beam lithography （EBL）, reactive ion etching （RIE）, lithography, and so on. The device＇s resistance-temperature （R-T） curves and current-voltage （I-V） curves were studied. The results of THz response of the device are presented. Y-factor technique was used to measure the device＇s noise temperature. When the device was irradiated with a laser radiation of 2.5 THz, the obtained lowest noise temperature of the device was 2213 K.