钢基体电沉积Cu、Ni膜的残余应力及其在线测量

采用电沉积法在碳素钢基片上分别沉积Cu膜和Ni膜,用数码相机拍摄沉积不同膜厚时基片的弯曲状况,并上传到计算机计算出薄膜内的平均残余应力及分布残余应力.结果表明:Cu膜和Ni膜的平均残余应力和分布残余应力均为拉应力;当膜厚较小时(0.5 ～ 3 μm),Cu膜的平均残余应力和分布残余应力随膜厚的增加急剧降低,随着膜厚的进一步增加两种残余应力都趋于稳定;Ni膜的平均残余应力随着膜厚的增加而增加,分布残余应力总体趋势是随着膜厚的增加而增加.由实验结果可以认为Cu膜内的界面应力为拉应力而Ni膜内的界面应力为压应力,与基于Thomas-Fermi-Dirac-Cheng (TFDC) 电子理论的判断结果一致.     

碳纳米管的表征手段研究

碳纳米管可以近似看作由石墨的碳原子层卷曲而成的无缝、中空的管体.各种方法制备出来的碳纳米管在形态、用途等方面都不同.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射和激光拉曼光谱各种表征手段对碳纳米管的形态、结构等进行观察和分析.     

类氖Fe16+离子高激发态电子碰撞激发特性理论研究

基于全相对论扭曲波(RDW)电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了类氖Fe16+离子基态1s22s22p6 1S0的2p,2s和1s电子激发到高激发态1s22s22p5 ns,1s22s2p6 ns和1s2s22p6 ns(n=3,4,5,6,7,8,9,10)精细结构能级的碰撞激发截面,详细研究了碰撞激发截面随入射电子能量和主量子数n的变化规律,拟合了公式,总结了一些有意义的结论.     

Fe/GaAs/Fe隧道结的磁电阻研究

用第一性原理的方法研究了Fe/GaAs/Fe隧道结的隧穿磁电阻(TMR).研究表明,TMR值对于界面的无序散射相当敏感,在考虑了界面无序的散射对电子输运的影响后,计算所得的TMR值与实验值吻合得很好.研究表明,界面无序的散射是造成TMR实验值很低的主要原因,而不是以往研究所认为的是界面处的自旋翻转的作用.     

用镀锇法显示植物细液泡内含物的电镜技术

在常规电镜制样的植物细胞中,液泡常为无任何结构的空泡,这与其复杂(?)能不相适应。本实验以莼菜茎为材料,分别用六氨银多糖染色法和镀豚法进行了处理,结果表明镀豚法能显示出液泡及高尔基体囊泡中的内含物。这些内含物为多糖类物质,其合成分泌过程经镀豚法处理后显示得更为直观。     

晶体衍射中劳厄方程和布拉格方程的一致性

本文利用倒易点阵法论证了劳厄(Laue)方程和布拉格(Bragg)方程的一致性。     

阴极电子透镜的等效分析方法

本文引用阳极带小孔的同心球系统的特性方程[1],分别建立了二电极和三电极实际阴极透镜的等效系统。利用这种等效系统,可以解析地展示各个参量的作用及参量间的关系。作为应用等效方法的例证,对保持主要参量不变的补偿关系作了计算和说明。最后指出了应用等效方法的局限性。     

SED平板显示薄膜电极的工艺研究

表面传导电子显示（SED）的关键部分是下基板（即阴极板）的制作,而阴极板上薄膜电极的质量直接影响了阴极电子发射的性能。本文研究了采用剥离技术来制备SED平板显示器阴极板上薄膜电极的工艺,实验表明,利用剥离工艺所镀制的铬铜铬金属薄膜厚度为123.93nm,电极条的平均阻值为12.26Ω,通过显微镜放大1000倍可以看到电极裂缝宽度为10μm,阵列精细整齐,无翘边、连线情况出现,并且附着力、热稳定性和厚度性能也达到了后续工艺的要求。     

现代焊接技术的新发展

随着社会的进步,时代的前进和发展,焊接在生产的各个领域起到了举足轻重的作用。针对焊接工艺的工作特点,简介现代焊接技术的若干新发展及应用。     

枫杨对钉螺头足部及肝部损伤的电镜扫描观察

用扫描电镜观察了枫杨叶水浸液对钉螺头足部及肝部表面的损伤情况。结果显示：经枫杨叶水浸液处理之钉螺，头肿胀，其上颗粒放大后为瓜络样突起，呈浸润状，表面网孔增大破损。口唇溃烂变形，足肌肿胀，表面有许多孔洞；