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71.
为正确分析切削介质的强化冷却对金属切削过程的影响,应用通用商业有限元软件Deform-2D,对航空用钛合金Ti6Al4V进行了强化冷却条件下的正交切削有限元模拟.通过几何建模、网格划分、边界条件的设定以及材料本构模型的选取等,模拟了Ti6Al4V合金锯齿状切屑的形成过程;文中还分析和探讨了不同强化冷却条件下的切屑形成、切削力以及切削温度的变化.结果表明:随着换热系数的增大,刀具前刀面的平均温度逐渐减小,而换热系数的高低对切削力及前刀面最高切削温度的变化无显著影响.  相似文献   
72.
碳酸酯胺解合成氨基甲酸酯反应动力学研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过监测反应体系的胺值变化,对Zn(OAc)2催化剂作用下,碳酸二甲酯胺解合成六亚甲基二氨基甲酸甲酯反应动力学进行了研究.结果表明:反应级数对1,6-己二胺(HDA)为准一级;反应活化能为18.58 kJ/mol;反应速率常数在温度343 K,353 K,363 K,373 K时分别为1.995×10-1h-1,2.513×10-1h-1,3.044×10-1h-1,3.334×10-1h-1,并与催化剂浓度成正比.提出了可能的催化反应机理,导出的速率方程圆满地解释了实验现象.  相似文献   
73.
采用稳态极化法、循环伏安法和恒电位库仑法研究了1,3-二甲基-5-亚硝基-6-氨基脲嘧啶(ANDMU)在镍电极上的电化学加氢机理,实验体系为pH 3的硫酸硫酸钾水溶液。结果表明,在镍电极析氢电位之前,在-0.7~-0.8 V(相对于Hg2SO4参比电极)ANDMU即发生加氢反应。随着pH值降低,还原电流增大,加氢反应速度增大,还原电位正移。反应受扩散控制,增大搅拌速度和提高温度都可以提高反应速度。ANDMU在镍电极上的电化学加氢反应机理与在铂电极上的情况相似,都是溶液中氢离子在电极表面得电子生成原子态氢还原ANDMU的EC(电化学反应后耦联有化学反应)过程。  相似文献   
74.
利用哈密顿傅立叶格点法(FGH)求解含时薛定谔方程,并使用劈裂算符方案传播波函数,计算HC l分子从初始态X1∑+的不同振动能级(v=0,v=1,v=2,v=3)上跃迁到激发态A1∏的吸收截面.从计算结果中可发现,从不同的振动能力激发获得的吸收谱是不同的,这些吸收截面都表现出相应的谐振行为,吸收截面的最小值的数目恰好与基态振动波函数的节点数是一致的,这种现象正好符合反射定律.  相似文献   
75.
针对当前许多网络测量系统无法进行实时网络流量监测以及无法支持下一代互联网协议IPv6等不足,提出了一种基于IPv6的比特模式流定义方法和数据结构实时网络测量系统.系统通过在IPv6扩展首部中承载测量信息实现精确流测量,减少了测量开销,提高了测量效率.比特模式流定义方法提供了一种灵活的按需流定义方式,使系统能在IPv4/IPv6环境下实现流测量工作.实验证明,整个系统运行正常、效果良好.  相似文献   
76.
通过金相观察、扫描电镜、X衍射分析和拉伸实验等方法,研究了Mg-(6~8)A1-0.7Si合金的铸态组织和力学性能.研究结果表明:添加了少量Sb和RE的Mg-(6~8)%A1-0.7%Si的铸态组织主要由α-Mg基体、Mg17A l12相、Mg2Si相、Mg3Sb2相和少量针状A l4Si2Mn2Y相组成,并且随着A l含量的增加,试验合金组织中的Mg17A l12相增多,共晶析出物变得更加连续.同时,力学性能的测试结果表明:A l含量变化对于试验合金抗拉强度、屈服强度和延伸率的影响呈现出不同的变化规律.  相似文献   
77.
晏开湘  黄迅成 《江西科学》2006,24(6):393-395,406
研究了一类特殊的Ham ilton动力系统的性质,讨论了它与梯度系统的关系。作为应用,通过1个三维的例子,研究了其平衡点的稳定性问题。  相似文献   
78.
目前世界已经进入网络高速发展的时代,电脑、数字电视、电话、PDA甚至微波炉和电冰箱都可以上网。作为现今通行的互联网络标准的TCP/IP协议被广泛应用,有TCP/IP协议的地方就有IP存在。  相似文献   
79.
IPv4/IPv6过渡策略及IPv6试验网设计与实现   总被引:6,自引:0,他引:6  
首先阐述了IPv4所暴露出的问题,其次介绍IPv4到IPv6的过渡策略,最后详细介绍了基于Windows IPv6试验网的设计与实现  相似文献   
80.
用电化学氧化技术将甘氨酸修饰在玻碳电极表面形成稳定的单分子膜.改变含离子探针Fe(CN)63-的电解质溶液的pH,或向溶液中加入不同浓度的Ca2 ,通过膜电极上Fe(CN)63-的电子传递,对膜的离子通道行为进行了研究.实验表明,在pH较低或有Ca2 存在的条件下,离子通道开启;pH较高或无Ca2 存在的条件下,离子通道关闭.推测了膜电极离子通道的形成机理.  相似文献   
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