Sol-gel水热偶合法制备纳米AlOOH及其表征

以AL2（SO4）3为原料，在pH值为3．5，溶胶浓度为0．3-0．5mol/L，分散剂0．3％，温度为80℃的条件下，胶溶4h，后经5h100-150℃的水热处理，制得平均粒度小于70nm的AlOOH；用TEM、X射线衍射、TG-DTA对样品进行了表征，并研究了不同介质、不同pH、不同分散剂用量对分散性能的影响。     

配合物稳定性顺序的测定

本文通过化学分析的实验方法测定了第一过渡元素几种二价中心离子与EDTA配合形成的过渡金属配合物的稳定性顺序:Mn2+Zn2+,从实验数据得到证实,中心离子对配合物的稳定性影响与理论上的判断相吻合。     

粒子线径对液-固相界面反应活化能的影响

提出了液-固相界面反应的活化能应包含表面吉布斯自由能γ,得到:E0=Eα+βSmγ　　　　　(I)　　　　k=k0exp(3MβγρRT.1r)　　　　　　　　　(II)t0=ρr3-2α0(3-2α)(4π)α-1k0(III)t1=∫t00ρ(4π)α-1k0r2(α-1)exp(-3MβγρRT.1r)( )采用粒径为147μm锡粒与甲基磺酸反应,其t0为t1的几十倍之多,用实验证明了该假定的正确性。     

水热条件下晶粒的聚集生长(Ⅱ): 氧化亚铜晶粒生长形态及其稳定能计算

报道了水热法制备氧化亚铜晶粒的实验结果. 大部分晶粒呈长柱状, 间有长柱状晶粒沿某些特定方向联生而成的晶粒, 包括6个线度基本等长的柱状晶粒沿3个相互垂直的方向联生而成的晶粒, 锥面在柱体顶端显露. 这表明在晶粒的形成过程中, 发生了由于某些显露的晶面之间结构相容而使得晶粒取向连生为主要内涵的第2类聚集生长. 从氧化亚铜晶体结构出发, 选定了其生长基元的基本结构单元, 通过各类基元稳定能的计算, 确定正方柱状和三轴生长基元为有利生长基元. 第1类聚集生长在水热条件下晶粒生长过程普遍存在, 但是, 并不是所有的晶粒都能在水热条件下发生第2类聚集生长. 晶粒是否可发生第2类聚集生长取决于其自身的结构.     

关于静电场能量的讨论

该文剖析了静电能，自能，相互作用能和电场能的内涵及它们之间的关系。     

碰撞诱导转动传能中的干涉势

理论模型基于一级含时波恩近似，只考虑长程相互作用势，在此基础上给出了原子与^1П态双原子分子体系的干涉势．     

类锂离子（Z=11—20）1s^2s—1s^25p的跃迁能和振子强度

利用全实加关联(FCPC)方法计算了类锂离子(Z=11-20)激发态1s^25p的能级及精细结构劈裂，在此基础上计算了1s^2s-1s^25p的跃迁能和振子强度，相对论和质量极化效应对能量的修正用微扰论计算。还估算了来自量子电动力学效应的修正，所得到的理论结果与现有的实验数据符合得很好。     

一类累积量域自适应滤波算法

讨论和研究了累积量域自适应滤波原理及代价函数，给出了一个新的代价函数J3(n)及基于J3(n)的CSWLMS算法。CSWLMS算法的性能优于基于代价函数J1（n) 的CLMS算法和基于代价函数J2（n)的CRLS算法。另外，还对CLMS算法和CRLS算法进行了改进。对上述算法进行了计算机模拟仿真比较，仿真结果表明改进的算法及给出的CSWLMS算法收敛性能良好。     

圆断面倾斜管道内平面水跃消能系数分析

在定义水跃消能系数的基础上，推导计算圆断面倾斜管道内平面水跃消能系数的公式，并分析了它的基本变化规律。     

在中子诱导的核反应中5He发射的可能性

目前在广泛应用的核反应统计理论模型计算程序中从来没有考虑到非稳定核⁵He的发射, 这些程序是用来解释实验数据和评价核数据的有用工具. 然而, 对从轻核到重核所计算的⁵He发射阈能结果可以看出, 在大多数情况下, 入射中子形成的复合核发射⁵He比发射³He要容易. 由于⁵He是非稳定核, 它自发分裂为一个中子和一个α粒子, 因此, 在⁵He的发射过程中总是伴随中子的产生. 建立了⁵He发射后两体崩裂过程中产生的中子和α粒子的双微分截面计算公式表示. 因为⁵He发射存在比较强的核反冲效应, 为满足核工程需要, 核反应能量平衡被严格考虑. 提出了对于统计理论模型计算程序在该方面的改进建议. 另外, 期待同时测量5He发射中产生的中子和α粒子的关联测量实验的实现, 以证实⁵He发射机制的存在.