氢化非晶态硅薄膜的渗氢内耗实验研究

用簧片振支法研究了ＧＤａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜气氛渗氢后的仙耗，当测量频率为４５７．５Ｈｚ时，在－４６℃处观察到氢致内耗峰，其激活能为０．３０±０．０５ｅＶ，弛豫时间因子为３．５２１０＾－９ｓ。     

非晶硅色敏元件表色系统分区域空间线性变换研究

提出了表色系统分区域空间线性变换的原则，用软件技术解决非晶硅色敏元件光谱曲线与ＣＩＥ标准色度观察者光谱三刺激值曲线的拟合问题，简化了仪表的光学结构。     

光强和温度对硅光伏电池输出特性的影响

实验研究了单晶及非晶硅光伏电池的输出特性随光强与温度的变化规律,结果表明:光强与温度对单晶(非晶)硅电池输出电流与电压的影响规律是相同的;光强对单晶(非晶)硅电流影响大,电流相对变化约60%(73%),对电压影响小,电压相对变化约1.8%(3.6%),而温度对电池电压影响大,对电流影响相对小;相比较单晶硅电池,光强或温度变化对非晶硅电池的输出影响更大,且相同的光强或温度条件下,单晶硅电池的填充因子和转换效率都优于非晶硅电池.电池填充因子与转换效率和光强与温度的关系,由电池串联电阻、并联电阻以及相应的焦耳损耗耦合影响.     

直流PCVD方法制备α—Si：D／H薄膜

将Ａｒ（９５％）－ＳＨ４（２．５％）－Ｄ２（２．５％）混合气体等离子体直流正辉区用化学敢相沉淀（ＰＣＶＤ）方法制备α－Ｓｉ：Ｄ／Ｈ薄膜，采用双探针技术测量了混合气体等离子体参数，红外照相方法测量了反应腔壁温度，结果表明，基片支架对反应腔的等离子体有干扰，反应腔壁温度分布不均匀；基片温度高的区域薄膜沉淀速度大；加大电源功率可提高薄膜沉淀速率。     

非晶硅太阳电池稳定性研究

报导对非晶硅太阳电池长期跟踪测量的结果，并对提高太阳电池稳定性进行了讨论。     

带有CGL：B：C的大面积a－Si：H太阳电池的研制

报导了在Ｐ／Ｉ界面引入ＣＧＬ：Ｂ：Ｃ＊缓冲层对大面积（２７９０ｃｍ２）单结集成Ｐ－Ｉ－Ｎ型。ａ－ＳＩ：Ｈ太阳电池性能影响的研究结果．实验发现：带有ＣＧＬ：Ｂ：Ｃ层的ａ－ＳＩ：Ｈ太阳电池性能的提高主要是填充因子ＦＦ的增加所导致，实验所得电池的ＦＦ平均达６０．３３％，平均有效面积转换效率ＦＦ达６．０％，分别比目前的生产水平（ＦＦ＝５３．９％，ＥＦ＝５３％）提高了１１．９９％和１３．２％．最后，依据建立的电池能带模型，从理论上解释了引入ＣＧＬ：Ｂ：Ｃ后电池性能得以提高的原因．     

电荷控制法研究a—Si CCD的电荷转移特性

提出用电荷控制法研究ａ－ＳｉＣＣＤ电荷转移特性的理论模型，通过引入平均场效应迁移率的概念，推导出计算ａ－ＳｉＣＣＤ电荷转移损失率的解析解，理论计算与实验结果符合较好，该模型可以较好地反映热扩散、自感应电场和边缘电场的漂移机制对ａ－ＳｉＣＣＤ电荷转移特性的影响，分析结果表明，ａ－Ｓｉ ＣＣＤ的电荷的转移主要是受电场漂移作用控制。     

非晶硅太阳能电池的电加载热象无损检测

文中介绍了应用热象无损检测技术以电加载方式探测被测物件内部的质量缺陷。这种方式检测快，分辨率高，在工业在线生产中的检测中实用性强，同时，把该技术应用于非晶硅太阳能电池检测，结果表明；可以探测其内部可能存在的裂纹，空隙或成膜质量缺陷。