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71.
利用RGA100质谱仪成功地实现了对SiH4辉光放电等离子体的在线检测。根据线性拟合的方法获得了SiH4消耗率及中性基团SiHn(n=1,2,3)在空间的分布规律,并对此进行了详细的分析和讨论。 相似文献
72.
铝诱导层交换是指铝-非晶硅双层膜经低温退火后,铝和非晶硅层的位置发生交换,导致在原来铝层的位置处形成一完整连续的多晶硅层.这一技术的应用将大幅度降低制备多晶硅薄膜的成本.本文针对近几年有关铝诱导层交换的研究进展,包括实验和理论研究两方面的进展,结合铝诱导层交换表征的一具体实例,对影响铝诱导交换的主要因素、层交换的动态过程及其机理作了一个综述. 相似文献
73.
郭亨群 《华侨大学学报(自然科学版)》1989,(1):11-17
本文报告了用掺杂和轻度磷掺杂的活性反应蒸发,制备氢化作品硅的稳态光电导对温度及光强的依赖特性.在研究的样品中复合率由复合中心的陷获空穴对自由电子的俘获过程所限制,掺杂改变了定域态分布的形状,因而改变了光电导与光强关系的指数ν.掺杂也改变了费米能(?)的定域态密度,轻度的磷掺杂可以使光电导增大,,当磷掺杂使费米能级与导带扩展态距离小于0.25eV 时光电导反而变小. 相似文献
74.
本文用自恰法严格计算了pin器件中的pi和in分离势垒区中电荷密度分布ρ(x)、电场分布ε(x)及耗尽区宽度W,然后缩小i层厚度使之部分重迭,再用电场迭加厚理算出耗尽区中的电场分布,在此基础上根据全收集条件δ_(gmin)=μ_fτ_pε_(min)算出最佳i层厚度X_e,发现当i层的费米能E_f向E_i靠近和gmin下降时,引起W和X_c显著增大 相似文献
75.
电子束蒸发a—Si1—xCrx薄膜的电导特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Cr的非晶硅基薄膜a-Si1-xCrx的变温电导特性。实验结果表明,X≤10at%的组分范围内,室温电导率由8.7×10^-6增大到7.2×10^-1Ω^-1,cm^-1,在290K到500K的范围内,薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和EF附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电。Cr^3+离子在非晶薄膜中的存在形式,它对硅悬挂键的补偿以及掺Cr 相似文献
76.
本文讨论了以甲硅烷为源,用常压CVD法(APCVD)制备非晶硅的设备改进及工艺优化,提供了一些实验结果.文中着重分析了CVD过程,讨论了在较低温度下获得高淀积速率的原因. 相似文献
77.
详细叙述了硅基薄膜太阳能电池结构、工艺制造技术,a-Si沉积设备,并针对薄膜电池技术的发展现状,分析了薄膜电池引起波动和变化的原因,展望了BIPV薄膜电池在未来城市建筑中的应用前景。 相似文献
78.
采用磁控溅射技术首先在玻璃基片、单晶硅片上溅射非晶硅薄膜再在其表面溅射铝膜,并用快速退火炉在不同温度下进行退火。利用台阶仪、拉曼散射光谱(Raman)仪和X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行性能表征。结果表明:在功率120W,气压1.5~2.5pa,时间为3.5~4.5h的条件下可制备得非晶硅薄膜,Al诱导能降低晶化温度,并在500~600℃间存在一最佳晶化温度。 相似文献
79.
介绍一种使用快速热退火设备,经多次循环退火诱导,在普通玻璃衬底上生长非晶硅薄膜晶化的实验方法.利用拉曼(Raman)光谱、原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)、紫外可见分光光度计(UV-VISspectrophotometer)和霍尔(Hall)测试系统对薄膜的结构、形貌及电子迁移率进行测试.结果表明,当退火温度达到680℃时,薄膜开始出现晶化现象;随着快速热退火次数的增加,拉曼光谱在500 cm-1处测得多晶硅特征峰;在循环退火5次后,其最佳晶化率达到71.9%,光学带隙下降,晶粒增大,载流子迁移率提高. 相似文献
80.
介绍了薄膜电池的制备技术及发展进程. 采用射频等离子体加强气相沉积法(PECVD),制备了非晶锗硅薄膜,提出了制备优质非晶锗硅薄膜的条件和非晶锗硅薄膜的基本性质及其制备工艺中存在的问题和解决方案. 相似文献