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131.
132.
通过直流暗电导率温度依赖关糸σ(T)和光吸收谱的测量,研究了退火降温速率对掺杂a—Si∶H薄膜中热缺陷的影响. 相似文献
133.
134.
报道了对柔性村底非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的研究结果.首先采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法在不锈钢柔性衬底上制备了微晶硅太阳电池,发现合适的硅烷浓度和引入Ag/ZnO背反射镜可提高微晶硅太阳电池的性能,使之作为叠层太阳电池的底电池.然后将不同厚度的硅基p+/n+隧穿结应用于非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,分析了其对太阳电池电学和光学特性的影响,发现p+层厚度增加后,电池的开路电压提高,短路电流密度减小;随着n+层厚度的变化,电池的短路电流密度和填充因子均存在最佳值.获得了光电转换效率为11.26%(AM1.5,1000W/m2)的不锈钢柔性衬底非晶硅/微晶硅叠层太阳电池.并进行了大面积化工作,在不锈钢衬底和聚酰亚胺衬底上分别获得了光电转换效率为5.89%(25cm2,AMO,1353W/m2)和5.82%(4cm2,AMO,1353W/m2)的叠层太阳电池. 相似文献
135.
随着公路交通的日益完善,噪声的治理得到广泛的关注,采取行之有效的方法是建造声屏障.声屏障是降低道路交通噪声,保护居民声环境的重要手段.通过研究国内外声屏障的发展,提出太阳能光伏声屏障的发展优势,讨论采用非晶硅太阳电池组件作为声屏障的设想,为了提高光伏系统的发电量开始研究双面光伏组建应用的可能性. 相似文献
136.
准分子激光诱导结晶硅膜的Raman光谱分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用XeCl准分子激光器对PECVD法生长的非晶硅膜进行了诱导晶化处理,对结晶膜的晶体质量进行了Raman光谱表征,研究表明,对于非扫描模式,晶化前去氢处理可使结晶膜具有更高的结晶度,即氢的存在阻碍非晶硅的晶化,玻璃衬底与非晶硅膜之间的非晶氮化硅膜对非晶硅膜的晶化没有明显影响,在150~450mJ/cm^2,结晶膜的结晶度随能量密度的增大而提高,结晶膜中存在由非晶硅熔化与重结晶引入的张应力。 相似文献
137.
在RichardS.Crandall和Porponth Sichanugrist等人工作的基础上,用平均场区域近似(UFRA)方法,对p-i-na-Si:H薄膜太阳电池进行了解析分析,得出了电池性能参数与本征层光学带Eg、电子迁移率Un的关系。开路电压Voc、短路电流Jsc、电池效率随Eg的增大而急剧减小,而填充因子Ff随Eg的增大而缓慢减小。Voc,Jsc,Ff都随Un的增大而增大,变化最大,其 相似文献
138.
非晶硅太阳电池的性能与结构参数的关系 总被引:1,自引:1,他引:0
在Richard S.Crandall和Porponth Sichanugrist等人工作的基础上,用平均场区域近似(UFRA)方法,对p-i-na-Si:H薄膜太阳电池进行了解析分析,得出了电池性能参数随本征层厚度变化的关系。短路电流密度先随厚度的增加而增加,在1μm左右达到最大值,而后将减小,但但小得不多,开路电压基本上下随本征层厚度变化。填充因子随本征层厚度一直减小,从厚度0.1μm时的0. 相似文献
139.
应用SILVACO仿真软件,对N、P区杂质浓度分别为1×1016和1×1017cm-3的非晶硅薄膜太阳能电池进行了后退火工艺仿真研究.结果表明:非晶硅薄膜太阳能电池的光谱响应特性随着后退火温度的升高和退火时间的增加而提高.与未后退火电池相比,保持后退火时间1 min,退火温度分别为900,950和1 000℃时,电池的短路电流(Isc)增加约5.39%;保持后退火温度为950℃,退火时间从1 min增加到5 min,电池的短路电流(Isc)提高约6.37%.但是,电池的光谱响应特性的提高与后退火工艺参数不成正比关系.为了减小后退火对电池杂质再分布的影响,确定最佳后退火工艺参数为950℃和4 min.研究表明在薄膜电池的生产中增加后退火工艺可以有效地提高薄膜太阳能电池的光谱响应性能. 相似文献
140.
王广民 《南京理工大学学报(自然科学版)》1996,20(1):51-54
氢化非晶硅(a-Si:H)场效应晶体管(FET)的特性对环境因素较为敏感,光照、湿度和温度等都会对其产生影响。该文介绍光照和退火引起的氢化非晶硅场效应晶体管场效应特性的变化。长时间使用AMI标准光源光照和350℃以上的温度退火都引起了样品场效应特性的较大变化,光照2h使得样品开启电压从6V增大到19V,场效应特性曲线向栅压较大的方向平移,而470℃的高温退火则使该样品的场效应特性曲线形状发生了极大的变化,栅电压的控制作用减弱。最后根据a-Si:H的价键模型对此进行了讨论。 相似文献