微小位移的电测法

将非电量测量转化为电量测量可以极大地提高对非电量测量的技术指标。微小位移的精确测量在诸多实验中均有重要的意义，为此，提出了若干种测量微小位移的电测法。     

碳纳米管薄膜电阻的热敏特性测试

针对单根碳纳米管测试的困难,用丝网印刷的方法制作了一种碳纳米管薄膜电阻.测量其热敏特性表明:其阻值随温度有明显的变化,并具有线性关系,通过线性拟合计算得到其电阻率温度系数为-4 79×10-6Ω·m/℃.研究结果表明,碳纳米管可望作为一种特殊的温度传感器用在功能服装中.     

校园网安全分析及安全策略

校园网在运行过程中面临各种安全威胁，针对校园网在运行中所遇到的实际问题。对网络管理，系统安全漏洞，网络隔离，防火墙设置等多方面提出了相应的安全解决方案。     

NiFe/非磁金属隔离层/FeMn薄膜中的微结构及其对交换耦合的影响

采用磁控溅射方法制备了Ta/NiFe/非磁金属隔离层/FeMn多层膜, 研究了交换耦合场H_ex相对于非磁金属隔离层厚度的变化关系. 实验结果表明: 随非磁金属隔离层厚度的增加, 以Bi和Ag为隔离层的H_ex薄膜急剧下降, 以Cu为隔离层的薄膜的H_ex下降较缓慢. 对Cu而言, 它的晶体结构与NiFe层晶体结构相同且晶格常数相近, Cu层以及FeMn层都可以相继外延生长, FeMn层的(111)织构不会受到破坏, 因此, H_ex随Cu沉积厚度增加缓慢下降. 对Ag而言, 虽然它的晶体结构与NiFe层晶体结构相同, 但晶格常数相差较大, Ag层以及FeMn层都不可能外延生长, FeMn层的织构将会受到破坏, H_ex随Ag沉积厚度增加迅速下降. 对Bi而言, 不仅它的晶体结构与NiFe层的不同, 而且晶格常数相差也较大, 同样, Bi层以及FeMn层也不可能外延生长, FeMn层的织构也会受到破坏, 因此, H_ex也随Bi沉积厚度增加迅速下降. 但是, X射线光电子能谱研究表明: 极少量的表面活化原子Bi沉积在NiFe/FeMn界面时, 会上浮到FeMn层表面, 因而H_ex下降很少.     

单片机的抗干扰技术措施

在工业控制、智能仪表中，大量采用了单片机芯片、抗干扰技术对单片机系统工作的可靠性是非常重要的、就单片机设计中硬件、软件比较常见的抗干扰措施进行分析和论述．     

政务信息网络建设中的网络安全问题

根据国务院对政务信息化建设的总体目标要求，以及我国政务信息化网络对安全性的特殊要求，提出了政务信息网络建设中加强安全管理的一系列措施，包括防火墙、入侵检测、防病毒和网络安全隔离技术，并对各种技术功能及应用范围做了简要分析。     

一种基于ActiveX技术的温度采集系统的实现

介绍了一种基于ActiveX技术的温度采集系统.此系统由上位微机、RS-232/485转换器、温度采集模块以及热电偶组成.上位机使用VB编程,并将程序封装成ActiveX控件的形式,可以很容易地移植到其他应用程序中;下位机使用研祥公司生产的电阻式温度检测器(RTD)亚当模块ARK-14013,能很方便地与上位机连接.现场实验结果表明此系统能完成实时温度数据采集的功能,并具有较强的可操作性和稳定性.     

非线性电路故障诊断模型的建立及神经网络求解的方法研究

分析并推导了含有非线性流控型电阻元件和非线性压控型电阻元件组成的非线性电阻网络的故障诊断方程，这是以支路故障标志量为未知的一组线性代数方程。在推导非线性元件的“故障标志量”时，消除由工作点变化引起的电参量的变化，保留由伏-安特性变化引起的电参量变化，它标志非线性元件本身发生了故障；文章还提出一种神经网络，可在线快速求解非线性电阻网络的故障方程的解，从而可在线对故障进行定位。     

恒功率用电器电路研究

讨论了含恒功率用电器、电阻和电压源电路的基本规律，分析其工作原理并计算电路特性方程，阐述了在设计供电系统应用恒功率用电器新的特殊性质和特点，说明恒功率用电器还可用于其它方面的实践。     

介绍一种测量大电阻的新方法

针对一般数字万用表测量200MΩ以内大电阻误差大、200MΩ以上大电阻无法测量的缺点，利用其输入电阻大、直流电压测量范围大的优点，研究出了能较准确测量200MΩ—几十GΩ大电阻的新方法，介绍了其测量原理。并对该法的测量范围和误差进行了分析。