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81.
陶瓷粒子增强的锌铝基复合材料的摩擦学特性 总被引:5,自引:0,他引:5
以陶瓷颗粒碳化硅、氮化硅、三氧化二铝为增强体,锌铝合金ZA-27为基体,通过对陶瓷颗粒进行预处理、机械搅拌和合金化等技术,将陶瓷颗粒与熔融状态的锌铝合金复合成均匀的浆料,用挤压铸造法挤压成型,得到陶瓷颗粒锌铝合金复合材料铸件。在金属基体上,均匀分布着陶瓷颗粒。在有润滑和无润滑的情况下,复合材料的耐磨减摩性能均比ZA-27有较大幅度提高 相似文献
82.
综述了晶须增韧陶瓷基复合材料的强韧化机制。近年来报道中常见的晶须的强化机制是载荷转移和基体预应力,韧化机制有裂纹偏转,晶须桥接和拔出,这些机制均决定于晶须/基体界面的性质。最后指出这一研究领域存在的问题 相似文献
83.
Si_3N_4-SiC纳米复合陶瓷材料的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用粒度为 50~70 nm的纳米级 SiC粉体与微米级的 Si3N4粉体复合来制备 Si3N4-SiC纳米复合陶瓷材料,对纳米SiC含量不同的Si3N4-SiC纳米复合陶瓷材料的微观组织结构与性能的关系进行了研究。结果表明:纳米SiC质量分数为10%时,经热压烧结法制备的Si3N4-SiC纳米复合陶瓷材料的抗弯强度为 844 MPa,断裂韧性为 9. 7 MPa· m1/2。微观组织结构的研究还表明,纳米SiC的不同含量影响着基体Si3N4的晶粒形貌,从而决定了复合材料的性能。探讨了纳米级SiC在基体中的形态、分布及其对基体强化增韧的新机制。 相似文献
84.
在弹性圆筒理论和剪滞模型基础上提出了考虑界面相与界面层效应的力学简化模型。据此对纤维增强陶瓷复合材料完成了I型加载条件下的应力分析,它有以下特点:①引进界面层,各项分析所得结果均含有界面层材料性能及几何参量等信息,因而能更好地用于材料设计与界面调控工艺;②不仅给出界面剪应力,还可给出界面正应力(或剥离力),因而更适用于分析界面分离,界面脱粘,基体开裂临界应力和纤维桥联增韧效应 相似文献
85.
高储能密度电容器复合介质材料的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对高储能密度电容器复合介质材料作了研究。采用介电陶瓷/有机聚合物作复合介质材料的实验中,研究了复合材料的介电系数与组成成分的关系,研究发现,ε随陶瓷成分的增加而增大,并且存在一个临界组。 相似文献
86.
应用X射线衍射谱和激光喇曼散射光谱分析了PSZ陶瓷精密磨削表面的相变分布特征。结果表明磨削变质层的磨削相变是不均匀的。磨痕内的相变量大于磨痕处的相变量;磨削表面的相变量大于次表面的相变量;相变层深分布与材料有关,相变层深度远大于所采用的磨削深度。 相似文献
87.
LiNbO_3陶瓷溅射靶材的制备工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用改进的陶瓷烧结工艺,研究了用于射频磁控溅射工艺的大尺寸薄型LiNbO3陶瓷靶材的烧结工艺,解决了烧结过程中Li2O的外逸造成成分偏差和Li2O含量偏低时不易得到致密陶瓷的问题,探讨了Li2O在烧结过程中的作用,制备出了高强度的LiNbO3+Li2O系列陶瓷靶材. 相似文献
88.
通过对Ba(Sn,Sb)O3和Bi2O3化合物的复合,设计并得到了晶界偏析型复合陶瓷结构.由于复合材料的晶粒具有极小的B值而晶界势垒也极小,使得该复合材料的电阻-温度特性呈现出良好的线性特征.通过调节Bi2O3的含量,可以方便地调节复合材料的室温电阻率. 相似文献
89.
NiTi形状记忆合金表面多层梯度陶瓷膜的制备 总被引:2,自引:1,他引:2
在NiTi形状记忆合金表面采用三步法制备了多层梯度钛酸铅陶瓷薄膜。第一层膜采用原位水热法制备,第二层膜以醇热法制备,第三层膜应用溶胶-凝胶法制得。X射线衍射研究确认最外层薄膜具有四方钙钛矿结构。扫描电子显微镜观察表明,薄膜总厚度约为3μm;由里及外三层膜中的晶粒尺寸依次约为0.1μm、0.2μm和0.3μm。在陶瓷膜与记忆合金基体的界面处可观察到明显的根状结构,而且在三层陶瓷膜之间的界面处也观察到 相似文献
90.
ZnO压敏陶瓷在工作电压长期作用下,会产生电流蠕变现象,使Schotky势垒不稳定.用正电子湮没技术(PAT)证实:ZnO在适当温度下的氧化热处理,使氧离子O-或O2-吸附于晶界层内并有利于提高ZnO性能稳定性 相似文献