Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。     

二水合双邻苯二甲酸合铜(Ⅱ)的晶体结构

利用X-射线衍射方法测定了标题化合物的晶体结构,结果表明晶体属单斜晶系,空间群为P21/c,a=0.8348(4)nm,b=1.4357(7)nm,c=0.7089(4)nm,β=112.202(8)o,V=0.7866(7)nm3,Z=4,Dc=1.815g/cm3,μ=1.449mm-1,F(000)=438,最终偏离因子R1=0.0373,wR2=0.0877,品质因子S=1.030,铜离子处于分子的对称中心,中心离子Cu( )与邻苯二甲酸阴离子中的羰基氧原子和水分子中的氧原子形成四配位的平面正方形结构,明显的分子内和分子间氢键将2个铜原子连接起来形成了二聚体.     

澄合高硫煤固硫技术初探

以澄合奥陶纪灰岩为固硫剂,对10#高硫煤进行了固硫试验。结果表明,X3,X5,S3,及D9等4种灰岩具有较好的固硫作用,其Ca(Mg)/S和固硫剂粒度分别取2和<0.12mm较合适;经800～900℃煅烧后,石灰石的固硫率明显提高。固硫助剂的添加量占固硫煤的0.4%,最佳固硫温度为1000℃;固硫温度低于1100℃时以Ba(OH)2助固硫效果较好,超过1100℃时以高岭土助固硫效果较好。     

砷酸根及铬酸根在低聚合羟基铁-蒙脱石复合体表面的竞争吸附

在模拟氧化及酸性土壤条件下，用制备的低聚合羟基铁-蒙脱石复合体进行了砷酸根、铬酸根离子的竞争吸附实验，研究了砷酸根离子和铬酸根离子不同用量及不同添加顺序对竞争吸附的影响，并与蒙脱石和含水氧化铁进行了对比。结果表明，低聚合羟基铁-蒙脱石复合体对砷酸根及铬酸根离子有不同的吸附能力，但在实验条件下砷酸根及铬酸根离子在低聚合羟基铁-蒙脱石复合体表面不发生竞争吸附。砷酸根和铬酸根的吸附顺序对其吸附量有一定的影响。竞争吸附实验的砷酸根、铬酸根吸附量均高于对其单阴离子的吸附量，此现象在复合体表面最为明显，说明复合体具有独特的阴离子吸附性能。     

过渡金属表面反应能量学计算系统的开发

利用VB6．0和Access7．0开发了过渡金属表面反应能量学的计算系统．该软件基于UBI-QEP的理论方法．采用模块化设计．其功能模块有3个：(1)数据库模块．利用该模块可以实现气相解离能以及小吸附基团在各种过渡金属表面吸附热的查询、添加与修改；(2)化学吸附热计算模块，利用该模块可以调用数据库中的数据对吸附基团在不同吸附方式的吸附热进行计算；(3)基元反应的活化能垒计算模块．利用该模块可以对基元反应的活化内能进行计算，进而分析其反应的难易与历程．该系统实现了UBI-QEP的理论方法计算的程序化，可用于多相催化反应的催化剂优选和机理探讨．     

优系青蒿法呢基焦磷酸合酶基因的克隆和酶学分析

从青蒿(Artemisia annua L)高产株系025的cDNA文库中克隆到了一个编码青蒿法呢基焦磷酸合酶(AaFPS1)的cDNA(af1). 序列分析表明, 这一cDNA编码一个含343个氨基酸残基的蛋白质, 分子量为39 kD. 推导出的氨基酸序列与来自其他植物、哺乳动物及酵母的FPS相似, 也包含异戊烯基转移酶和聚异戊烯基合酶所共有的5个保守域. 此cDNA在大肠杆菌中的表达产物表现出明显的FPS酶学活性. 通过离子交换层析纯化后, 进一步测定了其酶学动力学. 上述结果将进一步推动青蒿素生物合成分子调控的研究.     

三-8-羟基喹啉合钴(Ⅲ)的合成及晶体结构

在甲醇溶剂中合成了标题配合物[Co(C9H6NO3)3]·CH3OH,测定了其晶体结构,晶体属单斜晶系,P2(1)/n空间群.晶胞参数a=1.0872(1),b=1.3122(2),c=1.6681(2)nm;β=97.661(1)°,V=2.3585(5)nm3,Z=4,F(000)=1080,Dc=1.474g/cm3,μ=0.769mm-1,S=1.023.配合物中Co( )离子是六配位变形八面体结构.     

静电键合用微晶玻璃的研究

采用传统熔体冷却方法,研究以TiO2为成核剂、以Li2O Al2O3 SiO2为基础组成的玻璃的制备工艺;根据差热分析(DTA)的结果确定玻璃的核化与晶化温度,然后针对基础玻璃组成,采用二步热处理方法获得透明的微晶玻璃;用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对晶化试样的物相和显微结构进行研究;用热膨胀仪测定玻璃在热处理前、后的热膨胀系数;用绝缘电阻测试仪测试该微晶玻璃的电阻率.研究结果表明:微晶玻璃的主晶相为Al2O3·TiO2微晶体,次晶相为ZnSiO3;微晶玻璃与硅片有相近的热膨胀系数,约为32.5×10-7/℃;微晶玻璃晶化后的电阻率较低,为6.8×1010Ω·cm.     

甲基橙制备方法的改良

文章介绍了一种室温下直接合成甲基橙的改良方法。与传统合成甲基橙的方法相比，改良法具有操作简便、节约试剂和能耗、产率高等优点。     

任意厚度压电层合闭口柱壳的精确解

从三维弹性理论和压电学理论出发,通过假设边界函数,导出压电层合闭口柱壳的状态方程,并运用状态转移矩阵方法给出满足两端和内、外表面所有任意边界条件的精确解析解。此解计及了正交异性压电弹性体的所有弹性常数和压电学常数,满足层合壳所有基本方程和层间连续条件,适合任意厚跨比。