Zn2SnO4负极材料的制备及其电化学性能

为提高锂离子电池的能量密度、充放电速度以及循环使用时间,通过改变NaOH的含量,采用一步水热法对Zn2SnO4负极材料进行制备和优化设计,并对其形貌、结构和电化学性能进行分析.结果表明:随着NaOH含量的增加,Zn2SnO4负极材料逐步由颗粒状向针状和棒状结构转变,并伴随着ZnO和SnO2等杂质的出现.此外,具有颗粒状...     

电镀Ni—Sn合金及其电催化性能研究

为降低氯碱电解槽阴极析氢过电位,依据氢在电极上吸脱附原理,研究了Ni-Sn合金镀层作为阴极的析氢性能。实验证明,以Ni-Sn合金镀层作为阴极,在120g/lNaOH,190g/lNaCl溶液中,温度为90℃,电流密度为15Adm-2条件下电解,能降低氢超电势270?mV,是优良的析氢电催化电极。     

对波拉德和刘睿良“金”“锡”新解的商榷

《考工记》中记载的“六齐”是研究商周青铜配方的重要文献资料。牛津大学马克·波拉德和大英博物馆刘睿良从战国钱币成分的研究出发,提出对“六齐”中“金”“锡”含义的新解,即通过混合80%铜-15%锡-5%铅预制三元合金与50%铜-50%铅预制合金得到铸造青铜器所用的合金,其关键假说在于以预制合金作为青铜配方的原料。然而,本文基于对“六齐”现有解读的回顾、青铜中铜锡铅配方原则的认识、冶金史考古证据的梳理和铜铅合金铸造性能的分析,认为他们的假说可能不符合我国古代青铜熔炼的实际情况,商周时期主要以红铜冶炼-青铜熔炼两步法生产青铜。     

SnP2O7@氮磷掺杂石墨烯复合材料的制备及其在钠离子电容器中的性能研究

钠离子电容器(SICs)具有比超级电容器更高的能量密度和比钠离子电池更高的功率密度.然而,SICs中正极与负极动力学不平衡问题将导致倍率性能与功率密度较差.因此,需要开发SICs负极材料提升SICs的电化学性能.基于合金化/脱合金反应的高容量以及非活性缓冲基质所带来的优异循环稳定性,锡基三元氧化物在储能系统中获得了广泛关注.本文采用N/P双掺杂石墨烯对焦磷酸锡(SnP₂O₇)纳米颗粒进行包覆(SnP₂O₇@NP-G),成功制备了SICs负极材料.受益于锡基三元氧化物的独特结构和N/P双掺杂石墨烯的协同效应,所得SnP₂O₇@NP-G拥有优异的功率密度(6 775 W/kg)与能量密度(102.1 W·h/kg).同时,SnP₂O₇@NP-G拥有优异的循环稳定性,在2 A/g的大电流密度下,经过1 000次循环后,可逆容量为87.9 mA·h/g.本工作将促进高性能SICs锡基负极材料的发展.     

2,3,7-三羟基-9-(4,5-二溴-邻硝基)苯基荧光酮与锡(Ⅳ)的显色反应研究

研究了在阳离子表面活性剂溴化十六烷基三甲铵(CTMAB)存在下,2,3,7-三羟基-9-(4,5-二溴-邻硝基)苯基荧光酮与Sn(Ⅳ)的显色反应及光度性能.在0.2mol/LH2SO4介质中,试剂与Sn(Ⅳ)形成化学计量比为2∶1的络合物,其最大吸收峰位于543nm波长处,表观摩尔吸光系数为5.59×105L·mol-1·cm-1,检测下限为3.01μg/L,锡含量在0～400μg/L范围内符合比尔定律,分析方法可用于岩矿样品中微量锡的测定.     

炔基膦酸三丁基锡烷基氢酯的合成与表征

三丁基氯化锡和炔基膦酸氢钠反应 ,合成 7种新的炔基膦酸三丁基锡烷基氢酯( n-C4H9) 3Sn OP( O) ( OH) C≡ CR ( R=Ph,n-C3H7,n-C4H9,n-C5 H1 1 ,n-C6 H1 3 ,CH2 OCH3,CH2 OC2 H5 ) .利用元素分析 ,IR,1 H NMR,MS等手段对其结构进行表征 ,结果表明 ,这些化合物具有五配位锡原子的聚合结构     

苯甲醛缩氨基硫脲Fe（Ⅱ）,Sn（Ⅱ）配合物的直接电化学 …

用电化学金属阳极氧化法在非水溶剂中合成了苯甲醛缩氨基硫脲与Ｆｅ,Ｓｎ配合物,通过元素分析,红外光谱,紫外光谱,磁矩,摩尔电导等对配合物进行了表征。     

一维链状聚合物[(o-FC6H4CH2)3SnOCOC5H4N-3]∞的合成及晶体结构

利用三邻氟苄基氯化锡与3-吡啶甲酸钠以1：1摩尔比反应,合成了一维链状聚合物[（o-FC6H4CH2）3SnOCOC5H4N-3]∞．用X-射线单晶衍射测定了该配合物的晶体结构,结果表明在该配合物的晶体中,锡原子呈五配位畸变三角双锥构型．     

广西大厂铜坑锡多金属矿床地质特征及控矿因素

铜坑锡多金属矿位于丹池成矿带中部的大厂矿田内。通过对前人资料的搜集及井下详细的勘察,对铜坑锡多金属矿床的地质特征做了系统的总结,分析了控矿因素及其成因类型。结果表明,矿床的形成、空间分布受地层、岩性、构造、岩浆岩等因素所控制。根据以往勘察成果及综合研究,结合区域矿床对比,认为铜坑锡多金属矿床属海底火山喷气同沉积-岩浆叠加改造型矿床。     

等离子体浸没式氧离子注入技术修饰ITO表面的研究

有机电致发光器件（OLED）具有自发光、低功耗、响应快、亮度高、可视角度大等特点,是下一代理想的显示技术及面光源.当前OLED广泛采用氧化铟锡（ITO）透明阳极兼出光窗口,然而,ITO表面功函数与器件内层有机材料最高电子占有轨道（HOMO）之间的势垒较高,器件工作电压高,导致能效偏低以及稳定性差等问题.射频等离子体处理ITO可获得一定幅度功函数提高（约0.4eV）,但仍未达到与有机材料最高电子占有轨道匹配程度,而且,处理效果时效性很短,只有数小时.而采用等离子体浸没式氧离子注入（PIII）技术修饰ITO表面,可精确控制氧离子注入剂量及深度,改变ITO表层氧、铟、锡3种元素原子比例.在不改变ITO薄膜主体透明性及导电性的基础上,表面功函数提高幅度达0.8eV,与主要的OLED空穴输运有机材料的HOMO能级匹配,并且,处理效果经过50h后未见明显衰退迹象.