磁记忆检测方法及其应用研究

研究金属磁记忆检测新方法在应力腐蚀问题中的应用．以低碳管线钢试件为研究对象，使之拉伸或折弯以产生残余变形和应力，利用磁记忆检测仪对这些拉伸和折弯后的试件进行检测，根据给出的评价标准对试件表面的应力变形状态进行评价分析，为应力腐蚀实验中研究应力和腐蚀之间的关系提供了依据．     

X-Y-Z模型-各向异性亚铁磁性Heisenberg系统下的二维复式长方晶格的自旋波解

利用Heisenberg交换作用模型、格林函数法研究了X-Y-Z模型亚铁磁性Heisenberg系统下的二维长方复式品格的自旋波解，并且讨论了系统的磁振子能谱随各向异性参数(X2，X2，X3)、自旋量子数(Sa，Sb)、在第一布里渊区中的主要对称点线上随波矢k的变化规律。     

草酰胺桥联的新型［Cu_3~ⅡLn~Ⅲ］四核配合物的合成和表征

合成和表征了三个以草酰胺为桥的新型杂四核配合物Ｃｕ３（ｏｘａｅ）３Ｌｎ（ＣｌＯ４）３［其中，ｏｘａｅ为Ｎ，Ｎ’－二（２－氨乙基）草酰胺根阴离子；Ｌｎ为Ｅｕ，Ｇｄ，Ｐｒ］。基于红外光谱、元素分析、电导测定、电子光谱、ＥＳＲ谱以及磁性测量认为这些配合物具有草酰胺桥联结构。测定了Ｃｕ３（ｏｘａｅ）３Ｇｄ（ＣｌＯ４）３·Ｈ２Ｏ的变温磁化率（４～３００Ｋ），求得交换积分Ｊ（ｃｕ－Ｇｄ）为２．７２ｃｍ－１．结果表明，Ｃｕ（Ⅱ）和Ｇｄ（Ⅲ）离子间有弱的铁磁性超交换作用。     

金属磁记忆信号关联维数与应力关系

为了研究铁磁性材料金属磁记忆信号与其内部机械应力之间的关系,应用小波分析技术,将金属磁记忆信号分解为大尺度逼近和细节分量两个部分,然后计算其细节分量的关联维数,并考察机械应力与关联维数变化之间的关系.结果表明,随着机械应力的增加,磁记忆信号关联维数降低.     

BaTiO_3/γ-Fe_2O_3颗粒膜的介电性质和磁电性质

本文利用高真空磁控——离子束复合溅射系统在单晶n型Si(100)面上生长了Ag/[BaTiO3/?-Fe2O3]/ZnO结构的复合薄膜,对比研究了BaTiO3/γ-Fe2O3颗粒膜在真空退火温度300°C,400°C和500°C下的介电性质、磁性质以及铁电特性.实验研究发现,随着退火温度的升高,样品的电容和介电常数逐渐变大,在500°C退火的样品,其电容为633.93 pF,介电常数为10.233.所有样品都具有良好的铁磁性和铁电性,其中在400°C退火的样品具有最大的饱合磁化强度103.3 emμ/cm3,而在500°C时具有最大的剩余电极化强度9.13?10?1μm/cm2.同时,在零磁场和1.0 T的磁场下,矫顽电场和剩余电极化强度都没有明显的变化.在200 K时,电滞回线却发生了明显的变化.     

Heusler合金Sc_2VZ(Z=C,Si,Ge,Sn,Pb)半金属铁磁性的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)第一性原理的投影缀加波方法 (PAW),结合广义梯度近似(GGA),系统研究了Hg2CuTi型Heusler合金Sc2VZ(Z=C,Si,Ge,Sn,Pb)的电子结构和磁性.研究发现Heusler合金Sc2VZ(Z=Si,Ge,Sn,Pb)在平衡晶格常数下表现出半金属铁磁性,其自旋向上态中的带隙宽度分别为0.345,0.354,0.387和0.173eV.计算得到Sc2VZ(Z=Si,Ge,Sn,Pb)的总自旋磁矩均为整数(3.00μB),符合Slater-Pauling规则.分析能带与态密度发现,半金属带隙的产生主要是由于Sc和V原子d态电子之间强烈的杂化作用所致.同时计算结果也表明,在一定程度的晶格常数变化范围内,Sc2VZ(Z=Si,Ge,Sn,Pb)合金仍能保持其半金属性质.     

Fe离子注入ITO薄膜的光电磁性质研究

ITO薄膜是一类被广泛应用的透明导电氧化物薄膜材料,也是稀磁半导体材料的候选之一。用MEVVA源在ITO薄膜中注入Fe离子,样品经快速热退火处理后,GAXRD分析注入的Fe离子掺入进了ITO晶格中,样品中没有发现Fe纳米团簇及氧化物等杂质相,但由于离子轰击,样品的结晶性变差,光透射率降低; Fe离子注入后,随着氧空位浓度降低,以及杂质散射增强,样品的电学性能降低,但由于Fe离子间通过氧空位形成了Fe-VO-Fe铁磁耦合对,促进了样品室温铁磁性的增强。     

稀土元素Gd掺杂氮化物半导体在自旋电子器件中的应用

本研究利用分子束外延的方法生长了Gd掺杂氮化物半导体。根据X线衍射和XAFS测定未有发现第二相的析出。观察到了来自InGdGaN的光致发光,发光峰随着InN的摩尔份数的变化而变化。这些材料在室温明显地观测到了磁滞曲线。Si共掺杂的GaGdN超晶格显示出了超大的磁矩,其原因可归于载流子诱发铁磁。最后,说明了这一材料在自旋发光二极管中的应用。     

Hydrogen induced room-temperature ferromagnetism in Co-doped ZnO: first-principles and Monte Carlo study

The structural stability, vibrational and magnetic properties of hydrogen doped ZnO：Co have been studied by first-principles calculations based on density functional theory. Bond-center （BC） sites were identified to be most stable sites for hydrogen, the corresponding vibrational frequencies including anharmonic contributions were calculated. Its magnetic properties were investigated as well. The calculated results reveal that hydrogen could induce the change of electronic transfer, leading to a decrease of magnetic moment. However, the magnetic coupling between Co atoms is greatly strengthen. The results simulated by Monte Carlo method indicate that hydrogen can induce the Curie temperature to increase from 200 to 300 K.     

Ferromagnetism at 230 K in （Ba0.7K0.3）（Zn0.85Mn0.15）2As2 diluted magnetic semiconductor

We report the ferromagnetism with Cure temperature Tcat 230 K in a new diluted magnetic semiconductor(DMS)(Ba0.7K0.3)(Zn0.85Mn0.15)2As2isostructural to ferropnictide 122 superconductors synthesized via low temperature sintering.Spin is doped by isovalence substitution of Mn2+for Zn2+,while charge is introduced by heterovalence substitution of K1+for Ba2+in(Ba0.7K0.3)(Zn0.85Mn0.15)2As2DMS,being different from(Ga,Mn)As where both spincharge are induced simultaneously by heterovalence substation of Mn2+for Ga3+.The(Ba0.7K0.3)(Zn0.85Mn0.15)2As2DMS shows spontaneous magnetization following T3/2dependence expected for a homogeneous ferromagnet with saturation moment 1.0μB for each Mn atom.