掺Ni的AlN薄膜稀磁半导体的制备及磁性研究

采用射频磁控溅射的方法制备掺Ni的AlN薄膜Al1-xNixN(x=0.021、0.047、0.064、0.082),薄膜样品沿AlN(100)晶向生长.利用振动样品磁强计研究其磁性能,发现样品在室温下均具有铁磁性,随Ni掺杂量的增加,饱和磁矩先减小后增大,最大矫顽力达104Oe.结合X线光电子能谱分析,推断掺杂Ni原子进入AlN晶格取代了Al的位置,样品的铁磁性可以用Ni与相邻N原子之间的p-d杂化机制来解释.     

氢促进铁磁性形状记忆合金Ni50 Mn30 Ga20的纳米压痕蠕变与压痕回复

采用纳米压痕法研究了氢对Ni50 Mn30 Ga20取向多晶室温纳米压痕蠕变和压痕塑性形变的影响.结果表明,Ni50 Mn30Ga20取向多晶在室温下能够发生纳米压痕蠕变.在试样室温真空充氢之后,引入的氢不仅能够促进纳米压痕蠕变,还可以使得马氏体相变的"伪弹性"存储的弹性能得以释放,发生逆转变,使部分塑性变形回复.     

V掺杂AlN的电子结构和铁磁性质研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对V掺杂AlN的电子结构和铁磁性质进行了研究.结果表明,V掺杂后,由于V 3d与N 2p轨道杂化在半导体能隙中产生自旋极化杂质带,材料表现出半金属铁磁性,其磁矩主要来自以V原子为中心的VN4四面体.另外,通过对V掺杂AlN的铁磁稳定性的研究发现,V原子之间为铁磁耦合时体系处于稳定的基态,并且有围绕N原子形成团簇的趋势,随着V原子间距离的增加,体系FM和AFM态的能量将趋于简并.     

V掺杂ZnO基稀磁半导体的结构及磁性研究

利用溶胶-凝胶法制备前驱体,并在空气气氛中进行热处理,合成了具有六方纤锌矿结构的纯相ZnO及V掺杂ZnO纳米颗粒.分别用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、振动样品磁强计(VSM)等测试手段对样品的结构、形貌和磁学性质进行表征测试.结果表明, V掺杂使晶格常数明显变小,同时抑制了晶粒的生长,没有发现第二相的存在.经过分析,认为V掺杂ZnO基稀磁半导体的铁磁性是其本质特性.     

不饱和酸钆盐共聚物磁性研究

合成了交联型侧链上含钆离子的共聚物聚( 丙烯酸钆- 丙烯酸)P(Gd(AA)3 - co - AA) 和聚( 甲基丙烯酸钆- 甲基丙烯酸)P(Gd(MA)3 - co- MA) .用元素分析、红外光谱和双键含量测定对单体和共聚物进行了表征.变温磁化率测定表明:P(Gd(AA)3 - co- AA) 和P(Gd( MA)3 - co- MA) 在低温下存在反铁磁性相互作用. 电子顺磁共振谱表明甲基对Gd ( Ⅲ) 离子间的超交换作用有贡献     

Bi_（1-x）La_xFeO_3块体材料多铁性研究

采用溶胶-凝胶法并结合固相烧结工制备出了单相Bi1-xLaxFeO3（x=0,0.05,0.1,0.15,0.2）样品并对其结构、磁性和铁电性等物性进行了系统的分析研究,结果表明本文采用的方法所制备的样品具有单相性.少量La掺杂可有效地制材料中O空位,显著地提升材料的铁电性,同时La掺杂可有效地增强样品中的宏观铁磁性.     

具有大磁致伸缩和高玻璃形成能力的软铁磁玻璃合金

中国科学院宁波材料技术与工程研究所沈宝龙研究组通过大量的实验研究,选择合适的铁基非晶合金体系和适量的稀土元素掺杂,发现一种具有大非晶形成能力和高饱和磁致伸缩的铁磁性块体非晶合金FeDyBSiNb。该合金可制备出直径为4mm的非晶合金棒材，     

磁控共溅射法制备Cr:ZnO薄膜的磁性研究

本文采用磁控共溅射法在玻璃衬底上制备了Cr:ZnO薄膜,利用XRD、XPS、PPMS测试手段对制备的样品进行表征,结果表明:Cr以Cr3+离子形式掺入ZnO晶格,没有发现第二相.所有样品均呈现室温铁磁性,且具有磁各向异性,表明铁磁性是其内在固有的.