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111.
本文综合归类了目前制备纳米结构硅的主要方法:等离子体化学气相沉积.激光诱导化学气相沉积和热蒸发法(制纳米晶硅)及电化学腐蚀法(制多孔硅),给出各种方法的典型参数及其对纳米硅结构的影响,分析了纳米硅结构特征,比较分析了各种方法制备的纳米硅的光学性能,如光学能隙Eoptg,光致/电致发光谱峰位波长、半高宽及影响因素等,并对纳米硅研究的发展前景进行展望.  相似文献   
112.
溶胶法制备了不同粒度的FeCu纳米颗粒体,X射线衍射(XRD)确定了样品的相组成和颗粒的平均粒度,振动样品磁强计(VSM)测量了样品在不同温度下的磁化曲线,磁滞回线,涨落场和有效激活体积.“趋近饱和定律”方法求出了样品的有效磁各向异性常数.利用均匀反磁化模型计算了样品的矫顽力,计算值与测量值基本相符.结果表明,样品的激活体积随颗粒体积的增大而增大,激活体积与颗粒的平均体积的大小基本属于同一数量级,粒状FeCu纳米颗粒的反磁化基本符合均匀反磁化.  相似文献   
113.
通过建立球状晶粒模型,研究了纳米硬磁相晶粒之间的交换耦合相互作用对晶粒有效各向异性和矫顽力的影响,结果表明随着晶粒直径的减小,晶粒之间的交换耦合相互作用将随之增强,而材料的有效各向异性和矫顽力将逐渐下降。为了保证材料具有较高的各向异性和矫顽力,晶粒的直径应该大于20nm。同时,通过与实验数据的拟合,得到了矫顽力的最佳计算公式(Hc=0.32×2Keff/Js)。  相似文献   
114.
LaCeCuMn/γ-Al2O3纳米稀土催化剂的制备及性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以纳米纤维状γ-Al2O3为载体,采用工艺路线简单的浸渍法制备了LaxCe1-xCuMn纳米稀土催化剂,并应用微反活性评价装置测试了对CO和C3H8的氧化活性。利用XRD,TEM,BET等手段,分析了产品的结构和粒子形貌。实验结果表明,催化剂活性组分在载体上分散比较均匀,平均粒径在15~20nm之间,为纳米级催化剂。La物质的量为0.4mol、活性组分质量分数为15.04%时,制得了较为纯净的钙钛矿催化剂,CO和 C3H8氧化反应中起燃温度分别可以达到161,186℃,且二者的最终转化率均在99%以上。  相似文献   
115.
研究了WO3粉和W粉的剪切破碎时间对WO3粉和W粉的沉降曲线、平均粒度、BET比表面及松装密度的影响.用TEM和SEM对剪切破碎前后的粉末进行了直接观察.结果表明:新型剪切破碎机能有效地粉碎微米级WO3等脆性粉末,同时可以破坏超细W粉中的桥接团粒,使W粉和WO3粉的松装密度增加1倍以上,但对比表面积影响不大.  相似文献   
116.
纳米Al(OH)3干法表面改性及其在EVA中的应用   总被引:5,自引:1,他引:5  
研究了钛酸酯偶联剂T对纳米Al(OH)3的干法改性工艺,确定了偶联剂最佳质量分数0.5%、改性时间25min、改性温度100~110℃。采用红外光谱、TEM等检测手段对改性结果进行表征,改性后无机粉体表面包覆有机基团,吸油值减小,团聚减弱,比表面积增加。改性Al(OH)3在乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)中具有良好的分散性,阻燃效能提高,并保持了材料的力学性能。  相似文献   
117.
分子电子学   总被引:1,自引:0,他引:1  
作为纳米电子学的一个重要分支,分子电子学在近年来得到了巨大的发展,并成为国际上研究的热点。本文介绍了各种分子器件的制作技术及基本工作原理,回顾了近年来分子电子学的最新进展,展望了分子电子学的未来发展。  相似文献   
118.
韩国科学家最近开发出一种生产铁、锰等金属纳米粒子的新技术,与传统方法相比,新技术能使金属纳米粒子的生产成本更低,产量更高。  相似文献   
119.
旋转弹两级分离动力学模型建立与仿真   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了研究不同连接方式对导弹两级分离的影响,针对采用套筒连接和螺栓对接两种分离连接方案的旋转弹,对两种连接形式分别进行了分离过程的运动特性分析;针对两种连接方式不同的运动特点,分析了其分离过程的运动学和动力学特性,并在此基础上建立了相应的弹体动力学模型.根据两种连接形式的算例,对分离过程进行了数字仿真分析.仿真结果显示两种模型下导弹分离成功,证明弹体动力学模型合理.  相似文献   
120.
可变2n点流水线FFT处理器的设计与实现   总被引:1,自引:1,他引:1  
设计一种可以连续计算N点复数序列傅里叶变换(FFT)的流水线结构处理器,其序列长度N(为2的幂)可变.流水线结构由乒乓存储器将基本运算模块级联而成,对输入数据的顺序以及流水运算的级数加以控制便可计算不同长度序列FFT.给出了由序列长度控制输入数据倒序、旋转因子寻址以及数据输出的实现方法.数据采用块浮点表示,提高了运算精度.用硬件描述语言VHDL在寄存器传输级(RTL级)进行描述,并在单片FPGA上实现.该芯片可工作在80 MHz,连续计算时,处理长度为1 024点的序列仅需12.8 μs.  相似文献   
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