SrCe_(1-x)Y_xO_(3-α)高温质子导体结构和紫外光谱研究

利用溶胶-凝胶法合成了SrCe1-xYxO3-α(x=0-0.20)系列高温质子导体纳米粉体,运用XRD和UV-Vis研究了它们的结构变化和其中的电子跃迁的禁带宽度.XRD表明掺杂后晶格都有不同程度的变形,除SrCe0.95Y0.05O3-α的单胞体积增大外,其余均减小.UV—Vis结果显示掺杂的干湿样品中,SrCe0.95Y0.05O3-α的禁带宽度最大,电子导电能力最差.饱和水蒸气后,除SrCe0.80Y0.20O3-α粉体第二能级减小外,其余样品的两个能级均增大,依此推断其电子导电减弱,质子导电率增大.     

光子晶体

19世纪,科学家更多地从原子层次上认识和研究化学。20世纪科学家则更多地从分子层次上认识和研究化学。进入21世纪,化学会在哪些方面取得重大突破?会遇到哪些挑战和难题?什么是未来化学的新生长点?化学在整个科学体系中占有什么地位?这些都是对化学有全局性、战略性指导意义的问题。中国科学院院士徐光宪先生曾说过这样一段耐人寻味的话,“我的专业是化学,我从学化学,教化学,到研究化学已有几十年了,可是现在我却有点搞不清楚化学的定义了。我深深感到科学的发展太快了,需要对本门科学重新认识,重新定位。这是我进入21世纪首先要关注的问题”。在新的世纪如何定位和审视化学,中科院文献情报中心《世界科学前沿发展态势分析》课题组对此进行了探讨。课题组首先选定了化学领域具有代表性的20种期刊,对这些期刊1999—2003年出现的关键词进行了统计分析,确定出了化学领域这几年的热点词,并通过与有关专家进行讨论,进一步整合出了下面13个重要研究方向:催化不对称合成、单分子、多孔材料、分子器件、光子晶体、化学动力学、活性自由基聚合、密度泛函理论、烯烃复分解反应、组合化学、酶催化、超分子化学分子自组装、燃料电池。课题组针对这些研究方向,邀请国内专家学者就这些研究方向的发展趋势进行了分析,同     

电容-电压法测定纳米硅的禁带宽度

在 p型单晶硅衬底上沉积1层n型纳米硅薄膜制成nc Si/c Si异质结二极管, 测量了异质结的 C V特性. 根据C V实验曲线, 计算出异质结的接触电势差, 再用接触电势差计算了导带的偏移量, 进而求得禁带宽度. 计算结果与其他文献报道的结果符合得很好.     

新颖的六角对称纳米花结构

据国家自然科学基金委员会2006年9月13日报道，9月1日，在英国《自然》杂志网站的纳米技术专栏上，来自中国科学院半导体所材料科学重点实验室关于宽禁带半导体氮化铟低维结构研究的科研成果，被作为研究亮点进行重点评论报道。     

固体物理能带论类比法教学研究

通过对固体物理能带结构的形成与光子晶体禁带形成的类比 ,使固体物理能带论的教学过程更加具体化、形象化 ,使学生逐步形成发散性思维。增加了学生的学习热情和学习兴趣 ,取得了较好的效果。     

CuInSe2多晶薄膜的光学特性研究

根据CuInSe     

PAAm/TiO_2一维光子晶体的制备

采用层层旋涂的方法制备了PAAm(聚丙烯酰胺)/TiO2一维光子晶体。利用扫描电子显微镜和紫外-可见反射光谱对一维光子晶体层层沉积的结构、表面形貌和光子禁带进行了表征,并研究了成膜参数与光子禁带的关系。结果表明,通过调控旋涂速度或者PAAm溶液浓度,可以制备出具有不同光子禁带的PAAm/TiO2一维光子晶体,且光子禁带随旋涂速度的增大线性蓝移,随PAAm溶液浓度的增大线性红移。因此,通过调控成膜参数,可以有效的调控一维光子晶体的光子禁带,所制备的一维光子晶体在环境监测、化学及生物传感器等方面有着潜在的应用前景。     

浅析光子晶体

光子晶体是一种介电常数不同的、其空间呈周期分布并结合现实需要的新型光学材料。本文从光子晶体的概念入手。分析了光子晶体的特征、原理和制备，并结合现实需要，综述了光子晶体在现实生活中的应用。     

基于光子晶体PBG结构的微带天线优化研究

为保证天线工作频率落在光子晶体禁带范围,对一款矩形微带天线模型进行分析与计算。采用光子晶体作介质,通过改变空气孔的孔径和孔距,优化馈电点位置,应用HFSS12电磁仿真软件进行建模、扫描、优化与分析,获得最佳传输性能。优化后,天线回波损耗比原来降低31.24 dB,相对带宽达5.3%(驻波比VSWR≤2时),天线最大辐射方向增益达25.3 dB。结果表明,光子晶体PBG结构极大地提高了微带天线的传输性能。     

输入端谐波抑制的高效E类宽禁带功率放大器

文章提出对E类功率放大器进行谐波抑制的改进设计方法,有效利用输入端信号功率,从而提高功放的功率附加效率;分析了E类功率放大器的工作原理,结合新型宽禁带功率器件利用ADS软件进行了电路仿真设计,并对实际放大器电路进行了实际测试。结果表明,对输入端谐波抑制的改进可以使功率放大器在1.1～1.3GHz频段内输出功率保持在10W以上,功率附加效率达到了79.6%,比改进前E类功率放大器的效率有了明显的提高。