Au/n-ZnO/p-SiC紫外探测器的研制和特性分析

采用宽禁带半导体n-ZnO和金属Au作肖特基接触,n-ZnO和同为宽禁带半导体p-SiC形成异质结,Ti,Ni,Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n-ZnO/p-SiC结构的紫外探测器.测试分析了该器件的光谱响应特性,响应范围为200～400nm,在室温和一定反偏压下,响应峰值为313nm,半宽为65nm.同时测试分析了该器件的I-V特性,室温下,反向工作电压大于5V,反向击穿电压为70V.实验表明,此结构紫外探测器具有良好的紫外响应特性以及较低的反向漏电流和结电容.     

东莞市中镓半导体科技有限公司

东莞市中镓半导体科技有限公司总部设于广东东莞,以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托,并于2009年成功引进该研究中心为我公司的创新科研团队。我公司成为国内首家专业生产氮化镓（GaN）衬底材料以及开发相关技术的企业。公司拥有多项核心国家发明专利及国际发明专利,创造性地将MOCVD技术、激光剥离技术和HVPE技术相结合,成功开发出了高品质的GaN衬底系列产品,该系列产品及相关设备已批量生产及销售,主要     

《半导体器件》课程中GaN基光电器件差异性教学探讨

在《半导体器件》课程中加强宽禁带半导体器件的教学是科学技术与国民经济快速发展对高等学校基本职能所提出的根本要求。本文阐述了把第三代宽禁带半导体GaN基光电器件作为新型半导体器件进行重点教学的必要性和意义．同时也指出需要采用差异化的教学方法来讲授新型器件在结构、工作原理与光电性能等方面的特殊表现。     

二维四方排列半圆铝管／空气声子晶体的禁带特性

采用时域有限差分法，分析了声波在二维四方排列半圆铝管，空气组合声子晶体中的禁带特性．通过对半圆铝管壁厚、旋转角度的计算，得到了比整圆铝管结构具有更宽完全禁带的半圆铝管结构，并利用实验测试验证了理论分析的正确性．分析了不同凹形截面散射体沿IX方向的禁带特性，指出了半圆管形散射体在实现最大禁带宽度方面的优越性．     

光子晶体的制备与应用展望

光子是极具潜力的信息载体,光子晶体是能够操控光的人造物质.文中阐明了光子禁带生成的基本原理,简述了光子晶体的主要制备方法,展望了光子晶体的技术开发前景.     

CsPbBr3/C8-BTBT复合薄膜的制备和光学性能研究

文章采用热注入法制备CsPbBr3量子点,使用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)分析量子点的晶相结构,通过吸收光谱和循环伏安法表征量子点的能带结构。实验制备的量子点禁带宽度为2.52eV,半峰宽仅为25nm,可与小分子有机半导体C8-BTBT共同溶解于有机溶剂中,形成稳定的胶体分散体系。通过滴注和浸渍提拉法制备了CsPbBr3/C8-BTBT复合薄膜,分别采用365nm的紫外光和470nm的蓝光LED作为激发光源,表征了量子点薄膜及复合薄膜的光致发光性能。实验结果表明,纯CsPbBr3量子点薄膜的转换效率可达90%,以有机半导体C8-BTBT作为复合基质的薄膜在紫外光激发下光致转换效率提高了44%。     

ZnO P型掺杂研究取得重要进展

ZnO是一种非常重要的制备紫兰光器件的宽禁带半导体新材料 ,ZnO的P型掺杂是ZnO光电器件应用的关键技术和基础。浙江大学硅材料国家重点实验室叶志镇课题组在973计划项目“信息功能材料相关基础问题”的课题“宽带隙异质结构材料生长及电学、光学特性裁剪”和国家自然科学基金重点项目的支持下在ZnOP型掺杂方面进行了系统深入研究并取得重大突破。课题组发明了三种ZnO的P型掺杂技术 ,申请了 8项国家发明专利。其中使用N、Al共掺技术和用MOVCD混合气体掺杂技术制备的P型ZnO ,电阻率最低为 1.5Ω·cm ,空穴浓度 10 18cm-3 ,空穴迁移…     

分析TE模式入射角对光子晶体禁带特性的影响

利用光学传输矩阵方法,分析了TE模式光波的入射角度分别与禁带宽度、光子带隙起始波长的关系,通过优化计算得到了一系列特殊带隙结构的光子晶体,揭示了光子晶体的带隙变化规律,对不同禁带范围的要求选取恰当参数来制备所需要的光子晶体提供了理论依据。     

有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池的研究进展

2009年CH3NH3PbI3太阳能电池问世,因其具备制备工艺相对简单、光电转换率高等优点,引起了国内外研究者极大的关注.近几年,有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池发展迅速,光伏性能不断得到提高.然而CH3NH3PbI3电池器件受钙钛矿材料本身禁带宽度的限制,对太阳光的吸收光谱不够宽,并且其重要组成部分的Pb元素,具有一定毒性.因此制备带隙更窄、环境友好及化学稳定性好的有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池具有重要的应用价值.本文评述了以寻找Pb的替代元素、提高入射光吸收效率、改善太阳能电池光伏性能为目标所进行的钙钛矿材料禁带宽度调控方面的研究成果,比较了有机、无机空穴传输材料和无空穴传输材料钙钛矿太阳能电池的光伏性能,讨论了界面结构在电子和空穴输运过程中的重要性.介绍了目前在CH3NH3Pb I3及类似有机金属卤化物钙钛矿材料的原子结构、能带结构和禁带宽度等理论研究方面的进展,讨论了常见计算方法的优缺点和需要注意的问题,为开展有机金属卤化物钙钛矿的理论研究提供了思路.最后提出该领域目前存在的问题以及对未来的展望.     

2014年诺贝尔物理学奖解读

 本文从半导体科学技术研究与诺贝尔物理学奖的渊源出发,详细解读了2014 年诺贝尔物理学奖成果"高效GaN 基蓝光发光二极管"的研究背景、核心创新内容、科学意义和应用价值,分析了氮化物宽禁带半导体的发展趋势。文章从3 位诺贝尔物理学奖获得者的研究历程、诺贝尔评奖委员会的评奖标准等视角,探讨了2014 年的诺贝尔物理学奖对我国物理学科建设、如何看待应用物理研究与基础物理研究的关系以及对成果评价标准的启示和借鉴价值等问题。