CsPbBr3/C8-BTBT复合薄膜的制备和光学性能研究 |
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引用本文: | 刘中梦雪,张春雨,黄玲玲,顾勋,王向华.CsPbBr3/C8-BTBT复合薄膜的制备和光学性能研究[J].合肥工业大学学报(自然科学版),2019,42(1). |
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作者姓名: | 刘中梦雪 张春雨 黄玲玲 顾勋 王向华 |
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作者单位: | 合肥工业大学 光电技术研究院,安徽 合肥,230009;合肥工业大学 光电技术研究院,安徽 合肥,230009;合肥工业大学 光电技术研究院,安徽 合肥,230009;合肥工业大学 光电技术研究院,安徽 合肥,230009;合肥工业大学 光电技术研究院,安徽 合肥,230009 |
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摘 要: | 文章采用热注入法制备CsPbBr3量子点,使用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)分析量子点的晶相结构,通过吸收光谱和循环伏安法表征量子点的能带结构。实验制备的量子点禁带宽度为2.52eV,半峰宽仅为25nm,可与小分子有机半导体C8-BTBT共同溶解于有机溶剂中,形成稳定的胶体分散体系。通过滴注和浸渍提拉法制备了CsPbBr3/C8-BTBT复合薄膜,分别采用365nm的紫外光和470nm的蓝光LED作为激发光源,表征了量子点薄膜及复合薄膜的光致发光性能。实验结果表明,纯CsPbBr3量子点薄膜的转换效率可达90%,以有机半导体C8-BTBT作为复合基质的薄膜在紫外光激发下光致转换效率提高了44%。
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关 键 词: | 量子点 小分子半导体 禁带宽度 转换效率 复合薄膜 |
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