高能X射线成像系统固体探测器模块的设计

常规的阵列探测器用于高能X射线成像系统时,由于射线能量的增大会出现许多新的问题,设计时必须综合考虑多个方面的要求。在MonteCarlo估算的基础上,设计了若干由CdWO4晶体耦合光电二极管形成的线性阵列探测器模块。射线源采用直线加速器,最大能量9MeV。探测器呈模块化结构,每个模块16个通道,通道间距1.3mm。CdWO4晶体尺寸0.8mm×5mm×30mm,晶体间放置铅隔离层以减小串扰。模拟得其探测效率达70%,能量沉积率30%,而串扰率小于5%。模块加工完成后,分别在60Co、6MeV和9MeV加速器下进行了测试,证明其满足成像系统的要求。     

过氧化碳酸双（2-乙基）己酯合成的研究

本文研究了过氧化二碳酸二(2一乙基)己酯的新合成工艺，通过正交试验法优化了合成条件，在优化条件下过氧化二碳酸二(2一乙基)己酯的产率达97％以上。     

稀土离子在CdSiO3基质中的多光色长余辉发光

利用高温固相法合成了系列稀土离子掺杂的CdSiO3:RE3+(RE=Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu)多光色长余辉磷光体.XRD分析结果表明在1050℃下烧结3小时的产物为单相.稀土掺杂CdSiO3磷光体具有良好的发光性能.引入Y3+,La3+,Gd3+,Lu3+以及Ce3+,Nd3+,Ho3+,Er3+,Tm3+,Yb3+可获得一个最大发射中心位于420 nm附近的缺陷发光宽带,引入Pr3+,Sm3+,Eu3+,Tb3+,Dy3+时,除了产生约420 nm的蓝紫色缺陷发光外同时产生很强的稀土离子特征发光,这两种发光混合导致不同的余辉颜色.     

海带吸附镉离子的研究

采用多细胞褐藻海带对镉离子进行吸附，研究溶液的pH值，初始镉离子浓度对镉离子的吸附特性的影响．发现pH值对镉离子的吸附影响很大，在pH值为1～6时，pH值越高，镉的吸附量越大．在本研究实验条件下，海带吸附镉离子适宜的浓度为小于500mg／L，海带的最高吸附量为125mg／g(干态)．溶液中的镉离子与海带上的钙离子发生离子交换作用，交换率占总吸附量的33％．pH=5．93时得到的吸附等温线可用Dubinin-Radushkevich方程拟合．     

二氧化碳对高碱值石油磺酸镁质量的影响

在 CO2 存在下进行的碳酸化过程 ,又称过碱度化过程 ,是合成高碱值石油磺酸镁金属化工艺的关键步骤 .研究发现 :对特定的 Mg O及特定的反应物体系 ,存在一临界碳酸化速率和最佳的CO2 通入量 ,从而为进一步研制高碱值石油磺酸镁奠定了基础     

利用菲律宾花蛤的金属硫蛋白作为镉污染的检测指标

以菲律宾花蛤Ruditapes philippin Adams et Reave为实验动物,分别提取其外套膜和内脏团等组织的金属硫蛋白,经Sephadex G-75葡聚糖柱层析纯化后,用DV-600紫外可见分光光度计测定每个样品金属硫蛋白的吸收值,以研究菲律宾花蛤体内的金属硫蛋白浓度与镉污染之间的关系.结果表明:诱导实验能使检测菲律宾花蛤的内脏团和外套膜的金属硫蛋白含量均明显增加;金属硫蛋白的吸收值与菲律宾花蛤重量、壳长、壳宽均有较大的相关性.从这些关系中,认为利用金属硫蛋白作为菲律宾花蛤镉污染的检测指标是可行的.     

苯并—15—冠—5甲醛聚合物分离富集化学发光法测定镉的研究

本文研究了用一种新的冠醚聚合物（苯并－15－冠－5甲醛聚合物）作为色谱柱的固定相，用以分离富集样品中痕量镉，采用鲁米诺－H2O2－Co（Ⅱ）体系进行化学发光抑制法制定镉。实验结果表明，新方法测定痕量镉具有很高的选择性和灵敏度，用于实际样品分析取得了令人满意的结果，研究结论也指出：将冠醚降合物作为分离富集手段与高灵敏度的化学发光法结合是痕量分析中一种极具前途的方法。     

2,4-二溴苯重氮氨基偶氮苯的合成及其与镉显色反应的研究

本文报告了新显色剂2,4——二溴苯重氮氨基偶氮苯的合成、纯化及结构分析,并研究了试剂与镉的显色反应。研究结果表明:在TritonX—100的存在下,于pH10.0的Na_2B_4O_7-NaOH缓冲介质中,镉可与试剂生成1:2的橙红色配合物,配合物的λ_(max)=490nm,表观摩尔吸光系数ε_(490)=1.04×10~5L·mol~(-1)·cm~(-1)。镉量在0—0.8μg/ml范围内遵循比尔定律。方法用于铝合金样品及合成水样中痕量镉的测定,结果满意。     

非晶态硒化镉薄膜的时间分辨光电导和光致发光研究

硒化镉薄膜在光敏电阻、太阳能电池、薄膜晶体管和微波放大器等方面有着广泛的应用,受到人们的重视.非晶态硒化镉(α-CdSe)材料的无序网络结构只具有短程有序性.缺乏长程有序性,其能带结构不同于晶态硒化镉,所以α-CdSe薄膜具有独特的电学和光学性质,成为一种新型光电功能材料,在快速光电探测器和快速光电子开关等方面有广阔的应用前景.     

玻璃基底上Cd(S,Se)膜结构的一维特征

半导体材料CdS,CdSe薄膜因其优良的光电特性和广泛的应用前景,一直受到人们的重视.目前,许多研究组已对该膜的制备方法,结构与性能进行了比较细致的研究.Ray等对用常规真空蒸发方法制备的CdS薄膜进行了研究,发现随着膜厚度从13600A减少到1200A,膜的电阻由0.15变到3.7Ω 膜的透射率为80—90%,作者认为CdS膜具有六方结构,在(002)方向具有高度择优取向.Chuu等曾对用脉冲激光蒸发(PLE)和热蒸发(TE)方