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51.
硅对汞毒害玉米幼苗生长的缓解作用初探   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究表明,在幼苗生长阶段,较高浓度的汞能使玉米苗叶绿素含量、光合强度、根系活力、硝酸还原酶活力和水分利用率降低,而叶片蒸腾强度升高.培养液中加硅能使上述生理指标的变化明显减轻,说明硅在一定程度上起到缓解汞对玉米的毒害作用.  相似文献   
52.
提出一种测定氧扩散系数新方法。用Sol-gel法制备了Y2O3/SiO2均匀致密的薄膜,能成功解决其它方法无法得到的冶炼所得到的熔体,光学椭偏测定氧化层的膜厚。探讨了氧在薄膜中的扩散,在Wagner理论基础上,用数学方法表达在掺杂SiO2薄膜氧扩散系数与氧化层膜厚的关系。  相似文献   
53.
用溶胶-凝胶法制备符合SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 化学组成的溶胶,通过水热反应组装后还原的多孔硅主客体材料的荧光光谱发生显蓝移,并出现一个新的400~450nm的余辉发射峰,分析其原因主要是发光材料进入了多孔硅的纳米孔洞,二价铕离子周围的环境变化和发光材料受到了量子尺寸效应产生的。  相似文献   
54.
改进的多孔硅生长模型和计算机模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.  相似文献   
55.
RTP硅太阳电池的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
用快速热处理(RTP,Rapid Thermal Processing,)制备太阳电池p—n结开辟了一种新的低成本技术。这些年许多科研机构对RTP系统的设计、RTP快速扩散模型、RTP制作器件做了深入的研究。文章主要介绍了RTP快速扩散模型和回顾了RTP硅太阳电池的发展过程,提出了RTP硅太阳电池研究的一些发展方向。  相似文献   
56.
从不同来源的脂肪酶中筛选出能催化非天然底物--乙酸三甲基硅甲酯的氨解反应且具有较高活性的脂肪酶,并首次探讨了氨源,有机介质,反应初始水活度和温度对该酶促反应的影响。  相似文献   
57.
合成了Keggin结构一,三取代过氧铁钨硅杂多配合物,这两种化合物是:α-K6[SiW11(Tio2)O39]·12H2O和α-K9H[SiW9(TiO2)O39]·12H2O,并对183WNMR谱进行了指认,从而确定了2种过氧杂多配合物的基本结构.  相似文献   
58.
在对用XRD表征确证分属于TS-2分子筛和无定形TS氧化物(简称ATS)结构的一系列样品进行红外表征时,首次发现在分子筛骨架与无定形表面都存在Ti-O-SiO3健,但这两者在红外上是可区分的,前者作为骨架钛振动带出现在962.5~966.7cm-1处,而后者作为非骨架钛振动带则出现在945~956cm-1处,即后者明显发生了红移.分子筛骨架振动带(1226,556cm-1)强弱对其Ti-O-SiO3带的位置影响不大,比较而言骨架带弱的约有2.0cm-1的红移.苯酚羟基化结果表明在分子筛骨架上的Ti-O-SiO3活性位上苯酚羟基化生成邻苯二酚和对苯二酚;而处于无定形表面的非骨架Ti-O-SiO3活性位上只生成邻苯二酚  相似文献   
59.
在磷硅酸盐玻璃中八面体配位的硅:K边X射线吸收光谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
李迪恩  彭明生 《科学通报》1997,42(22):2405-2408
<正>众所周知,在高压条件下,硅酸盐矿物和玻璃中的硅可以形成八面体配位,但在通常的低压硅酸盐玻璃中,硅为四面体配位,因为玻璃中硅的八面体配位会迫使形成周期性结构,破坏玻璃的非晶态。目前几乎没有文献报道在低压硅酸盐玻璃中存在八面体配位的硅。很久以来,人们一直对于含磷的硅酸盐玻璃和熔体有很大兴趣,因为一方面含磷的硅酸盐玻璃是很有前景的光导纤维材料,另一方面,在地球化学上P_2O_5加入到岩浆体系中,会导致液相不混溶,降低岩浆的液相线温度和粘度,影响元素在固相-液相和液相-液相之间的分配,尽管有报道证明在钠的磷硅酸盐玻璃中存在八面体配位的硅,但此结果仍有一定的争议。本文采用同步辐射的硅K边X射线吸收光谱研究了硅在SiO2-P2O5和Na2O-SiO2-P2O5体系的磷硅酸盐玻璃中的结构与配位,以及硅的配位几何随玻璃中P2O5含量的变化。  相似文献   
60.
Si上Bi2Sr2Ca1Cu2O7-x超导膜分形现象的AFM观察   总被引:1,自引:0,他引:1  
刘融  钱文生  魏同立 《科学通报》1997,42(7):769-771
利用射频磁控溅射方法,在Si衬底上用YSZ(Y稳定的ZrO_2)作为缓冲层成功地淀积了Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_(7-x)(BSCCO)超导膜,其零电阻温度T_c=82K.在利用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)作材料的表面形貌和微结构观察分析时,首次在BSCCO超导膜中观察到了分形晶化,并测得其分形维数d=1.795,本文报道了这一观察结果.  相似文献   
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