Low power and high speed explicit-pulsed double-edge triggered level converting flip-flop

Variable supply voltage-clustered voltage scaling (VS-CVS) scheme can be very effective in reducing power consumption of CMOS circuits without degrading system performance. Level converting flip-flops (LCFFs) are key elements in the CVS scheme. In this paper, a new explicit-pulsed double-edge triggered level converting flip-flop (nEP-DET-LCFF) is proposed, which employs double-edge triggering technique, dynamic structure, explicit pulse generator,conditional discharge technique and proper arrangement of stacked nMOS transistors to efficiently perform latching and level converting functions simultaneously. The proposed nEP-DET-LCFF combines merits of both conventional explicit-LCFFs and implicit-LCFFs. Simulation shows the proposed nEP-DET-LCFF has improvement of 19.2%～46% in delay, and 19.4%～52.9% in power-delay product (PDP) as compared with the published LCFFs.     

绿色合成石墨烯对水体中镉离子的去除效果及其对大肠杆菌的毒性

以桉树叶提取液为还原剂，绿色合成还原氧化石墨烯(EL-rGO)去除水体中Cd²⁺.EL-rGO对40μmol·L^-1 Cd²⁺有较高的去除率，3 h达70.2%,远高于商业还原氧化石墨烯(C-rGO)5.38%的去除率.通过扫描电镜观察大肠杆菌形貌，并测定大肠杆菌的乳酸脱氢酶释放量、细胞内活性氧水平、死细胞与活细胞的比例，比较实验室制备的EL-rGO和购买的C-rGO对大肠杆菌的毒性.结果显示，两种还原氧化石墨烯(rGO)在1.0 mg·L^-1时均可破坏大肠杆菌细胞膜的完整性，造成细胞损伤，但二者毒性差别不大；在50.0 mg·L^-1时，EL-rGO毒性则相对略大，表明EL-rGO有一定的抑菌性.     

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神奇"分子足球"在宇宙空间漂游近日,科学家通过美国宇航局红外线空间望远镜探测到布基球形成的固体颗粒,而布基球的来历由著名的美国建筑师理查德·巴克明斯特·富勒的名字命名。由于当时科学家发现,60个碳原子通过碳碳双键连接,形成了球状结构,这与里查德福勒提出的多面体     

四方晶系下钕离子的基态分裂

采用点电荷晶场模型,通过模拟四方晶系化合物NdCuAs2和Nd2Ge2In的磁化率倒数-温度曲线,得到了Nd3+的各级分裂能和相应波函数,并分析了晶场效应对化合物磁性质的影响.结果表明,Kramers离子Nd3+的十重简并基态4I9/2在晶场效应的作用下分裂为5个双态,计算结果与实验吻合得较好.     

科技要闻

建立检测单碱基多态性方法中国科学院长春应用化学研究所电分析化学国家重点实验室董绍俊研究员课题组利用化学法,通过血红素与石墨烯之间π-π相互作用合成了血红素功能化的石墨烯纳米杂     

一种通用的BJT驱动保护电路的研究

从使用角度出发，在分析ＢＪＴ的开关过程的基础上，重点讨论ＢＪＴ的驱动保护技术，提出了一种兼有驱动、保护功能、通过性较强的设计方案，并给出部分实验结果。     

硅中杂质,缺陷对器件制作与性能的影响及控制

本文针对硅中杂质、缺陷对器件制作和性能的影响进行研究,提出控制杂质与缺陷的不良影响和提高器件的成品率和优品率的途径。     

低温双极晶体管的低温1／f噪声

对自行研制的低温晶体管于液氮温度下进行了低频噪声测量，结果表明：与室温相比１／ｆ噪声显著增大，根据１／ｆ噪声理论，并参照器件室温和低温下ＩＢ－ＶＢＥ曲线的不同，认为在低温下ＥＢ结正向压降增大和载流子的冻折效应是使该器件１／ｆ噪声等效输入电流功率谱密度变大的主要原因。     

晶体管击穿电压的数值分析

本文从物理概念出发，推导出载流子在集电结空间电街区发生碰撞电离时基极开路晶体管电流的表达式，并由此得到晶体管的雪崩击穿条件及ｐｎ结二极管的雪崩击穿条件。根据数值计算结果找到了快速、精确计算基极开路晶体管击穿电压的经验公式。     

开关式场效应管弧焊电源的研究

本文主要介绍新型的开关式场效应管弧焊电源的工作原理,通过采用电流负反馈获得恒流外特性,并提出了一种新颖的低压引弧电路。利用所研制的开关式场效应管弧焊电源进行引弧试验和工艺试验,结果表明此电源具有良好的引弧性能和工艺性能,是一种发展前景较远大的电子弧焊电源之一。