一种新的变压器励磁涌流抑制技术

在探讨变压器励磁涌流的产生原理及其影响因素的基础上,分析现有励磁涌流抑制技术的优缺点,提出了一种抑制变压器励磁涌流的新技术.该技术将选相位关合法和串联电阻法相结合,考虑了剩磁的影响,在应用选相位关合法的基础上,通过设置适当的电阻及其切除时间来进一步降低励磁涌流.仿真实验表明,该技术能有效降低变压器空载合闸时的励磁涌流.     

一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

基于CSMC 0.5 μm CMOS工艺,采用CMOS技术,设计一种高性能的带隙基准电压源.带隙基准电压源输出电压经过电平转换电路,反馈回带隙基准电压源中的运算放大器,可以获得良好的电源特性和带负载能力.采用可修调电阻阵列,精确地控制温度系数.仿真结果表明:在5 V电源电压下,温度系数为8.28×10-6/℃,低频电源抑制比为83 dB.     

南安变电站接地网改造应用探讨

本文通过闸述变电站接地系统的重要性,分析110kV南安变电站接地网存在的安全隐患,解决站内接地电阻不达标造成全站接地网电压不均衡问题.针对主要因南安站内外标高的高差过大造成接地网的屏蔽效应,导致接地电阻过高的缺陷,提出多种改造方案并确立最佳施工方案,顺利完成改造工程且取得实效.加强变电站系统防雷工作,其施工经验可望推广应用到其它情况类似的变电站中,为站内设备提供更安全的运行条件.     

电子设备常用元器件故障在线检测法探讨

对电子元器件检测,可分为在线检测和非在线检测两种方法.介绍电子设备常用元器件--三极管、电阻及电容故障在线检测的方法和技巧.     

交流电机变频调速器的应用

本文对变频调速器在实践应用中容量的正确选择、传动系统的优化设计以及外接制动电阻等方面的问题,总结了一些经验。     

非线性电阻电感型RLC串联电路主共振分析

为了研究非线性电阻电感型RLC串联电路的非线性振动，应用拉格朗日一麦克斯韦方程建立受简谐激励的具有电阻和电感非线性RLC电路的数学模型．根据非线性振动的多尺度法，得到系统满足主共振条件的一次近似解以及对应的定常解．对其进行数值计算，分析系统参数对响应曲线的影响．结果表明：增大极板面积，响应曲线的振幅和共振区变大；增大极板间距、电感非线性系数和电阻，响应曲线的振幅和共振区变小．非线性电感和电阻可以抑制电量的振动．系统的固有频率随极板间距增大而增大，随极板面积和电感线性系数的增大而减小．     

铁磁/半导体/铁磁隧道结中的隧穿磁电阻

采用相干量子输运理论和传递矩阵方法研究了具有不同自旋指向的极化电子渡越铁磁/半导体/铁磁隧道结的隧穿几率和隧穿磁电阻。研究表明隧穿几率和隧穿磁电阻随半导体长度的改变发生周期性变化、随Rashba自旋轨道耦合强度的改变发生准周期变化,并且在两铁磁电极中磁矩取向平行时,选择适当的半导体的长度和Rashba自旋轨道耦合强度可以得到较大的隧穿磁电阻。     

发电机灭磁方式的改进

针对同步发电机励磁系统中灭磁方式在更新改造中暴露出的可靠性问题，分析了几种常见灭磁方式的工作原理和优缺点及几种灭磁开关的特性，提出一种新的改进方法.     

直流磁控溅射氧化铟锡薄膜的低温等离子退火研究

提出了一种可显著改善室温下直流磁控溅射氧化铟锡(ITO)薄膜晶体结构、光学和电学性能的后处理方法,将ITO薄膜分别置于氩气、氨气和氧气中进行低温等离子体退火处理.同单纯的退火处理相比,在3种气氛下,低温等离子退火均可使室温溅射沉积的ITO薄膜在相对低的温度(150℃)时,由非晶态转变为晶态,其相应的电学和光学性能都有较大的提高.实验证明:氨气气氛下退火温度为350℃时,玻璃衬底上ITO薄膜在波长为600 nm的可见光区内的透光率可达88.5%;薄膜表面的针刺很少,表面平整度小于2.08 nm;方块电阻由348.7Ω降到66.8Ω,相应的电阻率由4.1×10-3Ω.cm降到7.9×10-4Ω.cm.该方法更能满足柔性有机聚合衬底的ITO薄膜对低温退火的要求.     

电桥法电缆绝缘测试仪的设计及精度分析

文章介绍了电缆绝缘检测中的几种常用测试方法,讨论了基于电桥法来提高检测精度的具体方法和技术。通过电缆绝缘测试仪的设计实例,分析了电路采用电桥法测试方法的原理及测试精度。结果表明,该系统的测量精度满足设计要求。