二次击穿效应

论述了半导体器件工作在二次击穿区域内的特性，研究和总结了可见效应及电效应，这些效应与器件结构及各种工作条件下的电场及载流子分布有关，证明在具有中等和高电阻率的厚集电极情况下，可见损坏面积大，而电变化及损坏较之薄集电极外延层的情况小．     

关于防止电子设备在低气压下打火问题

飞行器高压电源等电子设备在高空极易打火,发生打火就不能工作。如何解决这方面问题,目前国内研究甚少。本文提出的机械密封和灌封联合措施,是防止电子设备在低气压下打火的一条有效途径。     

高压脉冲对岩混材料击穿效应的仿真研究

为了研究高压脉冲对岩混材料目标的击穿规律,该文通过计算机仿真软件模拟高压脉冲对岩混材料块的作用过程,研究电子束运动轨迹及其能量密度分布的变化。结果表明:趋于临界击穿条件下,电极端自由电子的倍增效应越发显著,输入端发生雪崩击穿并表现出电子束呈现边界收窄的趋势,同时电极尖端能量密度分布趋于聚焦,与实验所测输出电流峰值越高,波形脉宽越窄的现象一致。该研究可为高效破碎岩混材料相关应用提供技术依据。     

一起220kV主变击穿故障的分析与处理

广东某地区220k V主变在工频耐压出厂试验中发生击穿,经解体分析,击穿原因是有载分接开关底部均压环对箱底绝缘裕度不足,导致均压环对箱底放电。在经过电场计算验证、更换束缚电阻和均压环以及在有载分接开关底部均压环与箱底间安装5mm厚绝缘纸板等处理措施后,重新进行试验,结果合格。     

影响电容器质量的主要因素及改进措施

通过对比各个年代电容器的结构特点,提出各个阶段的引起电容器质量的主要矛盾,分析引起电容器发热、击穿、局部放电的主要原因,给出降低损耗、减少击穿和保证电容器的良好局部放电性能的具体措施和使用注意事项。     

兆伏级串级自触发开关脉冲击穿特性影响机制及优化

大型脉冲功率装置中使用的兆伏级开关常采用串级结构以提高工作电压并保证开关电场的均匀性。在脉冲电压上升速率固定且单级开关击穿概率服从Weibull分布前提下，推导了串级开关击穿概率分布模型，并分析了3级串级开关击穿特性的影响机制。在能保证各单级开关击穿特性一致性较好的条件下，触发3级开关时，后击穿的2级在高过压下击穿，每级开关的平均击穿电压降低，开关整体击穿时延抖动与单级触发开关相当；触发1级开关时，大概率是触发级先击穿、 2个自击穿级在高过压下击穿，开关整体抖动远小于自击穿抖动，每级开关的平均击穿电压比触发3级时更高，但由于自击穿级仍有小概率先击穿，开关整体抖动约为触发3级时的2倍。在前沿约300 ns的脉冲电压下实验研究了串级开关的击穿特性，其中单级开关采用自触发持续预电离方式以保证特性的一致性。结果表明，开关工作电压0.8～2.0 MV范围内，触发1级时，时延抖动2.9～7.7 ns、电压分散性0.51%～2.21%,触发3级时，时延抖动2.3～3.6 ns、电压分散性0.59%～0.91%,验证了模型分析所得的规律，且实现了对原有串级开关击穿特性的优化。此外，由于0.3 MPa以...     

接触网避雷器击穿炸裂原因浅析

从接触网避雷器参数设置情况入手,分析了避雷器发生击穿炸裂的原因,并提出了相应的解决办法。     

半导体和半导体器件中的击穿现象

碰撞离化、雪崩和击穿效应是许多重要的半导体器件的基础。如雪崩光二极管、雪崩晶体管、抑制器、锐化二极管（击穿被延迟的二极管）、Impact和俘获等离子雪崩触发渡越二极管等。为了获得最快的速度和最大的功率，许多半导体器件必须在击穿或十分接近击穿的条件下工作。     

浅析多频数控彩显行输出供电原理及故障维修

本文概述了多频数控彩显为什么需要二次电源电路,介绍了二次电源电路的两种形式,升压型和降压型,特别针对升压型二次电源原理进行了详细的分析,二次电源电压的高低受到行频的控制,利用行逆程脉冲对其进行稳压,从而保证在不同行频下行幅及高压的稳定.并针对三星750S机型的二次电源进行了故障分析,总结了一些非常实用的维修经验.     

功率晶体管(GTR)正偏二次击穿测试仪的研制

本文对功率晶体管(GTR)正偏二次击穿测试仪的研制进行了说明,并给出了主要技术参数。最后利用该仪器对GTR进行了测试,并对测试中的现象进行了分析。