烧成曲线对合成堇青石热膨胀系数的影响

研究了不同烧成曲线对合成堇青石材料热膨胀系数的影响,提出了一种降低堇青石材料热膨胀系数的新途径.结果表明,采用成核-生长曲线法烧成时,试样的热膨胀系数为1.6～1.8×10-6/℃左右,比采用直接升温法时的热膨胀系数(2.0～2.4×10-6/℃)的值降低0.3～0.5×10-6/℃左右.     

外延生长的SrTiO_3/DyScO_3薄膜的微结构研究

利用激光分子束外延技术在DyScO3(DSO)衬底上异质外延生长了SrTiO3(STO)薄膜.采用原位X射线衍射方法在20~300 K范围内测量了低温下薄膜的热膨胀系数;讨论了应变与晶格失配之间的关系.薄膜的晶格参数在80 K的异常变化可能预示着结构相变的存在.高分辨X射线衍射用来分析样品中存在的两种位错:剪切位错和螺旋位错.结果显示,总的螺旋位错密度要比剪切位错密度大得多.我们认为螺旋位错是样品生长过程中的主要缺陷;剪切位错密度随着样品厚度的增加而增加.这两种位错密度之间的比例关系决定了薄膜的生长模式.     

Ni原子相互作用势能及物理性能解析分析

从价键理论与单原子状态理论出发,对面心立方Ni电子结构(3dn)2.69(3dc)5.24(3dm)0.66(4sc)0.25(4sf)1.16进行了研究。根据修正后的铁磁金属晶格系数,通过对Brillouin函数泰勒级数展开及取五阶近似推导出磁电子数密度随温度变化的代数解析式,并画出了曲线图,得到的变化趋势是磁电子数密度随温度的升高而逐渐降低。此外求解了磁电子数密度随温度变化的代数解析式的一阶导数,并从一阶导数变化趋势印证磁电子数密度随温度的升高而逐渐降低这一规律。运用Ni磁性线热膨胀系数公式,计算了温度在0~600K过程中,线热膨胀系数随温度的变化规律,得到磁性线热膨胀系数在整个变化过程中变化并不大,数量级为10-6。最后得出取五阶近似得到的磁电子数密度函数、磁性线热膨胀系数函数表达式有普遍实用性。     

低热膨胀PVDF/PA11/SiC纳米复合材料的结构与性能研究

具有高度尺寸稳定性的聚合物材料在众多领域有着广泛的应用前景.文章以PVDF/PA11共混物为基体、以纳米SiC为填料制备具有低热膨胀性的三元高分子纳米复合材料,系统研究了纳米SiC对PVDF/PA11共混物结构和性能的影响.结果表明:通过熔融共混制备的该三元复合体系具有独特的阶层式构造,在PVDF和PA11这两相结构中,纳米SiC只选择性地分散在PA11相中,而PVDF相中分散有少量PA11的纳米微区;同时,SiC的加入也可引起PVDF/PA11共混物结构的变化.尤为重要的是,纳米SiC能有效的降低共混物的热膨胀性能,提高材料的拉伸强度和拉伸模量.     

纳米SiO2/PI复合薄膜低温热膨胀系数的实验研究

高热膨胀系数是聚酰亚胺薄膜在低温下作为热绝缘和电绝缘使用的主要不利因素之一.为了降低其热膨胀系数,选用低热膨胀系数的无机纳米SiO2对其进行改性,利用溶胶凝胶技术,制备了不同SiO2含量的纳米SiO2/PI复合薄膜.利用自行设计的一套薄膜样品低温热膨胀系数测量装置,对纳米SiO2/PI复合薄膜室温至低温(77 K)的热膨胀系数进行了测量,给出了SiO2含量、外加载荷对复合薄膜热膨胀系数的影响关系.     

粉煤灰对混凝土热膨胀系数的影响

为了探讨了粉煤灰对混凝土热膨胀系数的影响,采用颗粒表面密封法和压汞法研究了不同品种的固相颗粒、孔隙率和龄期对水泥石热膨胀系数的影响,并采用扫描电镜和能谱分析验证了表面密封法的可靠性.实验结果表明:不同品种的固相颗粒对水泥石热膨胀系数的影响大小依次为Ca(OH)2、粉煤灰、水泥熟料、CSH凝胶;水泥石的总孔隙率随龄期的增长而减小;混凝土热膨胀系数随水化龄期的增长而升高,随粉煤灰掺量的增加先升高后降低;粉煤灰对混凝土的热膨胀系数有明显影响.     

集成电路芯片封装热应力分析

基于热力学理论，针对典型塑料方形扁平封装体PQFP在工作过程中的受热失效问题，建立二维有限元数值模拟分析模型，研究封装体在工作情况下由于热载作用而产生的应力分布情况。利用数值分析结果得出由于非均匀交变温度场的存在和元件组成部分间热膨胀系数的不同，而导致产品内部产生热应力及应力集中问题的结论，对PQFP封装体的实效问题从有限元分析方面得出了理论解释。     

金属元素的热膨胀系数与其正常熔点之间的新规则

本文修正了Hidnerl-Sonder 经验规则。按照新规则,金属热膨胀系数的计算值与其相应的实验值符合得更好。     

富含铋封接玻璃的研发和产业化

1项目背景及介绍 传统上，封接玻璃都含铅。但是，国内（2007年3月1日）、欧盟（2006年7月1日）以及日本、美国都已立法禁止在生活用器上使用含铅的封接玻璃。因此，开发新型玻璃项目具有重大的经济和技术意义。课题组研发了高膨胀、低熔点、高电阻率、富铋无铅微晶封接玻璃，软化点450℃～490℃，热膨胀系数8．0～12．5×10^-6／℃，电阻率接近7．5×10^9Ω·cm（普通坩埚）或大于此值（白金坩埚）。见图1。     

靶材制备工艺与配比对ZrW2O8薄膜制备的影响

分别采用钨酸锆靶（ZrW2O8）和氧化锆（ZrO2）与氧化钨（WO3）的复合靶，在磁控溅射条件下制备钨酸锆（ZrW2O8）薄膜，研究了靶材制备工艺、复合靶成分配比以及热处理温度对薄膜成分的影响，并对薄膜生长方式进行了初步探讨．结果表明：ZrW2O8靶材制备的薄膜在700℃处理后薄膜中ZrW2O8纯度较高，相同配比下，复合靶制备的薄膜经750℃处理后薄膜中ZrW2O8含量最高；以凡（ZrO2）：n（WO3）为1：2．8的复合靶材制备的薄膜经热处理后，结晶度优于凡（ZrO2）：n（WO3）为1：2获得的薄膜，并且ZrW2O8最佳含量的热处理温度较低；热处理时薄膜的生长机制为岛状生长方式；ZrW2O8薄膜在（211）和（220）晶面上的热膨胀系数均为负值．