腔衰荡光谱技术的理论分析

腔衰荡光谱技术是一种新型的光谱检测方法,由于该技术具有吸收光程长,不受光源强度起伏影响的特点,因而受到国内外的广泛重视,已被应用于探测分子及原子体系。本文主要分析腔衰荡光谱技术的原理、相关核心部件的选择及注意事项,为下一步仪器的研制奠定基础。     

电势与电场的简单判定

高中教学当中对于一些简单带电体如点电荷的电场电势的讨论还局限于定性地描述,这在一定程度上能够解决一些问题。然而对于一些问题,如＂双电荷＂模型的结论过于繁琐,不利于学生掌握。本文立足于教学实际,对近年来高考现状进行分析,给出电场电势的简单判定,得出定量表述,以便学生理解和掌握。     

硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定

报道通过表面电位测量和C V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法.它包括两个非破坏性的测量首先,通过补偿法测量驻极体薄膜自由面的表面电位,然后在样品表面蒸镀金属电极,形成MIS结构,进行电容电压(C V)测试,由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位.电荷重心和电荷密度可通过计算得出.同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重心,发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度,经过400℃下老化20min,常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4和SiO2界面附近.     

NiB,Ni_2B,Ni_3B原子簇结构及成键特性的DFT研究

用ＤＦＴ方法对ＮｉＢ，Ｎｉ２Ｂ，Ｎｉ３Ｂ二重态和四重态两种多重度的各种可能构型进行高水平的量子化学计算，结果发现Ｎｉ，Ｂ原子所带电荷的正负与原子簇的组成和结构有关，存在较强Ｎｉ，Ｂ的相互作用，Ｎｉ－Ｂ键对ＮｉＢ，Ｎｉ２Ｂ，Ｎｉ３Ｂ分子的稳定性有很大贡献     

基本电荷的测定及近十年来对基本电荷的质疑

随着对物质结构更深层次的研究，人们重拾“油滴实验”，介绍利用超导铌球、测量剩余电荷的实验，指出寻找分数电荷的可能性。     

几种蒙脱石层电荷密度的测试方法原理及对比

层电荷的大小是蒙脱石矿物最重要的参数,决定了其性质、加工方法以及应用。本文系统介绍了国内外对蒙脱石层电荷测定方法的研究现状,详细阐述了烷基铵法、结构式推算法、阳离子交换容量法、亚甲基蓝法测定层电荷的原理以及测试程序,分析了不同测试方法的优缺点。指出在选择层电荷的测定方法时,应综合考虑样品的纯度、杂质的性质、颗粒的大小,以及对精确性和快速性的要求等因素。     

谈静电场中的导体

讨论导体在静电感应时，当达到静电平衡时的有关规律。     

静电平衡下闭合导体壳的性质及应用

从静电平衡条件出发，对闭合导体壳的一个重要性质给出了一个简洁的证明并通过实例讨论该重要性质的应用从而为静电学中一类有关导体亮问题的求解铺平了道路．     

线阵CCD电荷藕合器件在电能表校验台光电头上的应用

利用新型光电藕合器件ＣＣＤ，研制电能表校验台光电头，解决了原系统存在的调整不方便状态不稳定等问题。