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71.
熔铸-原位反应喷射沉积成形TiC/Ti-5Mo-5V-2Cr-3Al复合材料微观组织和力学性能 总被引:6,自引:0,他引:6
利用熔铸-原位反应喷射沉积成形技术制各了TiC/Ti-5Mo一5V-2Cr-3Al复合材料,测试了复合材料的拉伸性能,讨论了提高熔铸-原位反应TiC/Ti-5Mo一5V-2Cr-3Al复合材料拉伸强度的途径。 相似文献
72.
使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性。采用乙酰丙酮铜作为前驱体,在常压下利用化学气相沉积技术对玻璃陶瓷基板进行Cu薄膜金属化。利用热重分析、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术对前驱体、Cu薄膜进行分析观察。结果表明:影响Cu导体的电阻的主要因素是沉积温度。在温度为290~310℃,N2气流量为200~350mL/min和H2气流量为450~600mL/min的条件下,获得了致密的Cu薄膜,Cu导体方块电阻为25mΩ。 相似文献
73.
74.
海南岛双池玛珥湖全新世高分辨率环境纪录 总被引:10,自引:1,他引:10
根据沉积物特征、粒度、黏土矿物、碳/氮比值、孢粉和藻类的变化规律等, 揭示了海南岛热带玛珥湖的演化历史和短尺度的气候变化规律, 证明了玛珥湖沉积系统对短尺度气候变化的响应是敏感的, 反映出热带湖泊的全新世高温期为7200~2700 aBP. 同时, 在高温期也存在短尺度的气候波动, 如7250~6120, 4460, 3850和2700 aBP等时间段存在振荡式的气候快速变化. 晚全新世, 尤其在近于2700 aBP, 各综合分析结果均反映了气候的明显变化, 它标志着在2.7 ka左右东亚热带区域的气候模式可能发生了重大转折, 可能与厄尔尼诺-南方涛动现象的增强存在一定的相关性. 另外, 高分辨率藻类记录还清楚地揭示了在最近的2.5 ka内存在长度约为0.5 ka的气候周期性变化. 相似文献
75.
用沉积法制备泡沫镍的工艺及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
在实验研究工作的基础上,评述了具有较大孔径和高孔隙率的新型多孔泡沫镍的结构、物理和机械性能特点、应用前景及其发展趋势。采用化学沉积法和电化学沉积法制备出了泡沫镍。并对泡沫镍的显微结构、机械性能、化学成分进行了测量分析。结果表明:泡沫镍是一种设计适应性广、性能优良的电池电极基板材料,各项性能均已达到引进国外同类产品的水平。实验中发现胶体钯活化液的稳定性主要取决于Pd2+和Sn2+的浓度。用NaCl取代部分HC1能增强活化液的稳定性且可保持其催化活性。同时指出了生产中可能出现的一些问题及产生的原因。 相似文献
76.
77.
用异丙醇作为分散介质,对电泳沉积羟基磷灰石生物陶瓷涂层进行了系统研究,经过制备稳定的悬浮液、电泳沉积,高温烧结等过程,在Ti6A14V合金上得到表面均匀的羟基磷灰石生物陶瓷涂层,用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等技术对羟基磷灰石颗粒的物相和沉积层的表面进行了表征,研究了电泳时间与电泳沉积量和电流密度,电泳沉积量和电泳电压之间的相互关系,并讨论了这些实验参数对电泳沉积过程的影响。 相似文献
78.
多层喷射沉积的传热凝固规律研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在传统的喷射沉积工艺理论研究的基础上,研究了多层喷射沉积工艺中雾化与沉积阶段特有的传热凝固规律.由于多层喷射沉积的凝固特征为液相分数很高的雾化颗粒流在固态的沉积表面高速碰撞铺展成薄层,粘结和急冷凝固有机结合,使得多层喷射沉积坯的冷却速度不仅远大于传统喷射沉积坯的冷却速度,而且大于气体雾化粉末颗粒的冷速.文章采用GrantP.S理论对多层喷射沉积坯进行了热流分析.根据公式进行传热计算,得出了多层喷射沉积坯的冷却速度为1.3×104~1.2×106K/s.另外,根据铝合金沉积坯二次枝晶臂间距与冷却速度关系,得出枝晶臂间距为0.6μm,对应冷却速度为5×105K/s.同时坯料的显微组织特征支持了传热计算结果. 相似文献
79.
通过金相显微镜、扫描电镜、透射电镜等对多层喷射沉积制备的大尺寸耐热铝合金管坯及其经过挤压、旋压等致密化加工后的显微组织结构进行了检测和分析,并通过Instron拉伸实验对致密化加工过程中管坯的力学性能进行了比较.喷射沉积管坯的致密度约为88.9%,晶粒为200nm-500nm的微晶,20nm-60nm的球形或近球形析出相均匀分布于基体上.经过热致密化加工后管坯中的界面和孔洞明显愈合,析出相未见明显粗化.管坯经过挤压后,室温和350℃的断裂强度分别提高130%和400%.挤压管材旋压后,350℃力学性能变化不大,而室温屈服强度和断裂强度分别提高22%和13%. 相似文献
80.
MOCVD 生长的动力学模式探讨 总被引:4,自引:0,他引:4
讨论金属有机化合物气相沉积(MOCVD)方式生长晶体的一种动力学解释.应用分子动力学、化学反应动力学等推导出MOCVD反应过程中晶体生长速度—原材料输运速度有关的公式,并应用这个公式进行了计算,计算结果与实际生长时的参数接近. 相似文献