光电器件中有机半导体薄膜的光学和电学性质研究

采用真空热蒸发制备了 AlQ， BAlQ 和 NPB 有机半导体薄膜样品， 探讨了薄膜的透射、吸收和光学性质．制备了有机薄膜样品的夹心结构器件，研究了其电流-电压特性．结果表明: 有机薄膜的透明性能良好， AlQ 和 BAlQ 具有几乎相同的直接光学能隙(4.46 eV) ，大于 NPB 的能隙值(3.11 eV) ． AlQ， BAlQ 和 NPB 内部自由载流子浓度具有相同的数量级(10²² m^-3) ，但NPB 具有最高的零电场迁移率(1.75×10^-8 cm·V^-1·s^-1) 和电导率(1.45×10^-10 S·cm^-1)     

浮栅型有机非易失性存储器的研究

有机柔性电子器件具有低制造成本、大面积、可柔性折叠等优点，是近年来国内外学术界和工业界的研究热点。有机非易失存储器是一种重要的有机柔性电子器件。本文阐述了浮栅型有机非易失性存储器件的工作原理；系统介绍了当然国内外学术界对浮栅型有机非易失性存储器的研究进展，存在的一些问题以及一些可能的解决对策。     

日开发出制作有机半导体 单晶薄膜的新技术

日本一个研究团队近日在英国《自然》杂志网络版上报告说，他们开发出一种制作有机半导体单晶薄膜的新技术。据称，该技术能使平板显示器等大面积电子设备所需的薄膜场效应晶体管（TFT）的性能比用传统方法制成的产品高百倍以上。     

有机半导体材料中的光伏极性反转

论述了存在于有机半导体材料中的光伏极性反转这一特异实验现象,回顾了近年来有机半导体材料瞬态光伏极性反转现象研究的发展历程,重点介绍了对有机复合材料中表面光伏极性反转的最新发现,阐明了光伏极性反转现象所涉及的基本过程、特别是激发态性质在基础研究上的重要意义.     

6,13-二苯基并五苯的合成及其与并五苯的性质比较

通过对并五苯醌进行格氏试剂亲核加成, 并以SnCl₂/HCl为还原剂制备了6,13-二苯基并五苯. 通过¹H核磁谱、红外光谱、X射线衍射、紫外-可见吸收光谱、荧光光谱等对样品进行了表征. 结果表明, 在并五苯的C-6和C-13位上成功地引入了苯基, 制得了6,13-二苯基并五苯, 该化合物的溶解性优于并五苯, 并且其光氧化稳定性有所增强. 6,13-二苯基并五苯的晶型与并五苯和并五苯醌都不同. 紫外-可见吸收光谱显示, 在氯仿溶液中的最大吸收波长是600 nm. 荧光光谱显示在紫外光激发下该物质发紫色430 nm和红色612 nm的复合光, 但在可见光激发下只发射红光. 发现该化合物仍易发生光氧化反应, 并讨论了6,13-二苯基并五苯光氧化反应后的产物.     

有机场效应管在晶体电光调制中的应用

利用以肽菁铜为半导体层的有机场效应晶体管构成一个 反向放大电路作为电光调制器的调制电路, 测试了其对光信号的调制效果. 实验结果表明, 有机场效应管在低频下可实现放大功能, 为电光晶体提供驱动和调制电压, 并实现了对激光信号的调制. 根据实验结果, 对该场效应管的性能进行了分析.     

铁电场效应晶体管:原理、材料设计与研究进展

系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理，重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、目前所研究的主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能．并介绍了关于FeFET研究的一些最新的进展如基于FeFET的FeCMOS逻辑电路、FeNAND闪存电路、基于氧化物半导体和有机半导体的FeFET的一些最新研究成果．最后对FeFET的未来研究发展趋势作出一些展望．     

MoO3掺杂有机半导体NPB光电性质研究

在典型有机空穴传输材料胺类衍生物NPB(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl) (1,1'-biphenyl)-4,4'diamine)中引入过渡金属氧化物MoO₃制备了只有空穴传输的单载流子器件.结果表明:MoO₃的引入明显提升了NPB的导电性能,在约2.0 V的外加电压下,100 nm厚纯NPB薄膜电流密度仅为1.28 mA/cm²,而同样厚度的掺杂薄膜NPB∶MoO₃ (50 wt.%)电流密度达到了2 530 mA/cm².同样掺杂比例的NPB∶MoO₃薄膜吸收谱显示位于500 nm附近存在既不同于NPB也不同于MoO₃的额外吸收峰,表明体系中产生了电荷转移复合物NPB^＋-MoO^-₃,从而产生了额外的空穴载流子,进而提升了掺杂体系的导电性能.进一步的荧光分析表明,MoO₃的引入对NPB自身荧光具有明显的猝灭作用.NPB∶MoO₃(30 wt.%)薄膜的荧光强度比纯NPB薄膜荧光强度降低了2个数量级,NPB∶MoO₃ (50 wt.%)掺杂薄膜的荧光强度降低为零.     

各种掺杂剂对聚乙炔导电性的影响

三种掺杂剂对聚乙炔的掺杂结果表明:碘、无水FeCl_3掺杂的聚乙炔,其导电率较SnCl_4掺杂时为大;掺杂剂溶液浓度和聚乙炔膜的厚度对试样中掺杂剂浓度均有影响;又掺杂剂在膜表面分布均匀程度与掺杂时间有关。