二度地形的磁电阻率异常计算方法的研究

磁电阻率(MMR)法的地形影响,是一个急待解决的重要课题,而要对磁电阻率法进行地改,关键是要求出纯地形点源供电时地下传导电流所产生的磁场。本文着重研究了二度地形地下传导电流磁场的计算方法,详细分析了波数城磁场的特点,在此基础上,提出了用负指数函数逐段拟合的方法来进行反富氏变换从而计算空间域磁场的计算方案。最后利用解析解及模型试验结果论证了此算法的有效性。     

非回转类零件计算机辅助工艺设计的信息描述

本文论述了非回转类零件计算机辅助工艺过程设计（简称ＣＡＰＰ）中，零件信息的描述和输入方法。在相似零件组的基础上，把ＣＡＰＰ系统所要处理的零件按其重要性和复杂性又划分为Ａ、Ｂ、Ｃ三类。本文提出了方位特征描述法、基准特征描述法，并采用特征图引导，菜单输入的方式，较好的解决了Ａ、Ｂ、Ｃ三类零件信息的输入。     

热处理对化学镀Ni－Mo－P合金镀层的硬度和电阻率的影响

作者用Ｘ－衍射研究了热处理对Ｎｉ－Ｍｏ－Ｐ合金镀层的结构和性质的影响。热处理温度升高镀层硬度增加，这与镀层中Ｎｉ_３Ｐ的形成有关。晶态Ｎｉ－Ｍｏ－Ｐ合金镀层的电阻率先随热处理温度的升高而升高，在约５００℃时达最大值，而后下降；对非晶态Ｎｉ－Ｍｏ－Ｐ合金镀层的电阻率，随热处理温度的升高而降低，在６００℃后几乎与热处理温度无关。     

用边界元素法计算直流电测井响应

从三维稳恒电流场问题的边界积分方程和基本解出发，导出了轴对称条件下的边界元方程，得到了普通电阻率测井和侧向测井响应计算的实用算法，并计算了几种简单测井响应问题，结果表明，该方法可以用于复杂条件下的直流电测井响应的计算。     

体极化介质IP面电荷的计算及分布规律

本文以等效电阻率法为理论基础,导出了几种常见情况下,体极化介质表面上一次电流场和二次极化电流场以及总电流场的面电荷密度的表达公式,并分别对点电流源场中多层介质分界面上的面电荷密度及在均匀电流场中球状和水平圆柱状极化体表面上的面电荷密度进行了具体计算,得到了某些表征电荷分布规律的理论曲线。利用本文中给出的研究结果,可以简便地对一次电流场和二次极化电流场的异常电位及异常电流强度的分布特征,进行定性分析和定量研究。     

单站纯方位目标多模型卡尔曼滤波跟踪算法的研究

EKF滤波算法是进行目标被动定位与跟踪的重要方法之一，为了克服EKF初始化困难和减小线性化误差，对传感器的最大探测距离与最小距离所构成的距离区间实施分区划分，划分成若干个目标可能存在的小区段。钟对每一个小区段，使用扩展卡尔曼滤波，完成滤波协方羔的旋转变换，实现单站纯方位目标状态的估计和跟踪。经过大量仿真计算表明，该算法对滤波初值的设置有较大的选择范围，具有很好的稳定性，精度较高，实施水下目标被动跟踪具有重要意义。     

欧姆接触电阻率测量方法的比较研究

根据材料的厚度对金属-半导体间的欧姆接触电阻率的测量方法做了分类,并分别介绍了各种方法的原理。分析了它们的误差形成原因以及对结果的影响,比较了它们的优劣,探讨了在不同情况下最合适的办法。     

Cu-Ag合金中析出相界面结构及其对合金性能的影响

采用真空感应熔炼法制备Cu-6%Ag和Cu-24%Ag,并进行退火和时效处理,观察了合金中析出相与基体的位向关系及界面结构,分析了析出相对合金强化和导电特性的影响. 析出相与Cu基体之间具有(100)Cu∥(100)Ag及〈110〉Cu∥〈110〉Ag位向关系,存在半共格界面,在(111)面上平均每隔9个晶面间距出现一个刃型位错以协调点阵错配. 析出相与Cu基体这种特定的位向关系及界面结构能有效地阻碍基体中位错的运动,在产生析出相强化作用的同时几乎不影响合金的电传导行为. 随Cu-6%Ag时效时间的延长,析出相数量增多,合金硬度显著上升而电阻率持续下降. 时效过程中析出相数量、形态及界面结构是导致合金力学和电学性能变化的主要原因.     

界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响

研究纳米TiO₂薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系. 结果表明， 沉积在Ti和Si基底上的TiO₂薄膜的电阻率随着膜厚的 增加而非线性增大, 分别经历了导体、 半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程， Ti O₂薄膜导电层厚度也不相同， 沉积在玻璃表面TiO₂薄膜为绝缘体. 这些现象是界面电子在界面的转移所致， 基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度.     

从5个控制点确定摄像机内参数与方位

主要讨论摄像机在运动过程中其内参数是未知的且可以发生变化时 ,如何通过5个控制点以及它们的图像点 ,来求解所对应的内参数和方位 .证明了下述结论 :已知摄像机平移运动前、后的两幅图像间的基本矩阵 ,当 5个控制点中任意 4个点均不共面且摄像机运动前、后两光心的连线不通过任一个控制点时 ,则可线性地确定摄像机运动前、后所对应的内参数和方位