Structure and electrical characteristics of Nb-doped SrTiO3 substrates

Strontium titanate (SrTiO3) has been widely used as substrates for growing perovskite oxides thin films be- cause SrTiO3 is chemically and compositionally stable, and has small lattice mismatch with many perovskite oxides[1―3]. It is known that SrTiO3 it…     

Sm3+掺杂碱锌硼硅酸盐玻璃的稳定性

为了实现纳米半导体微晶在稀土Sm^3 掺杂碱锌硼硅酸盐基础玻璃中的受控成核、生长,系统研究了基础玻璃的SiO2与B2O3摩尔比以及BaO、ZnO、La2O3、Y2O3、Nb2O5等不同的网络中间体对玻璃稳定性的影响。研究表明：控制SiO2与B2O3摩尔比以及BaO、La2O3、Y2O3、Nb2O5在玻璃中的掺入量均能提高玻璃的形成能力,增加玻璃的稳定性;不同的组分对于玻璃稳定性的改善也具有不同的机制,但是并不影响玻璃的析晶产物。     

Undoped semi-insulating indium phosphide (InP) and its applications

During the past several years, the research and development of InP material has made great progress due to serving as the substrate for most optoelectronic devices operating at the communications wavelength of 1.31 and 1.55 μm. At present, InP has become an important semiconductor material together with Si and GaAs. When compared to GaAs, InP has higher electron velocity, higher radiation hardness and better heat-conducting property. The advantage of InP crystal material allows higher frequency operation and lower power requirements. Therefore, InP is widely being used for the manufacture of microwave devices, high-frequency devices and optoelectronic integrated circuits (OEICs) which are indispensable for wireless technology, satellite communications^[1—3]. Although n-type and p-type InP can meet actual needs, semi-insulating InP substrates remain to be improved due to their poor uniformity and consistency. For this reason, several possible approaches have been reported to the preparation of SI InP by wafer annealing under different conditions^[4—9].     

[CrMo_6O_(24)H_6]~(3-)掺杂聚苯胺材料的制备及荧光性质

在盐酸介质中,以(NH4)2S2O8为氧化剂,杂多阴离子[CrMo6O24H6]3-为掺杂剂合成出了聚苯胺掺杂材料,用FT-IR,XRD进行了表征,测定了该材料的电导率、常见溶剂中的溶解度及其荧光性质.该材料的电导率为1.4×10-2S·cm-1,最高溶解度可达到0.60mg·mL-1,在以260nm和332nm为激发波长,可分别在425nm和567nm处得到荧光发射峰。     

纳米FePt薄膜材料的研究进展

Ll_0FePt（001）薄膜由于具有较高的磁各向异性和较高的矫顽力在磁记录介质材料方面具有潜在的应用前景,本文从衬底选择、元素掺杂和制备工艺三个方面介绍了FePt薄膜的研究近况。     

新型N-TiO2亚甲基蓝的可见光催化脱色研究

以纳米管钛酸为前驱体, 在氨气气氛中600℃热处理, 制备得到新型氮掺杂TiO₂. 这种二氧化钛具有明显的可见光吸收, 晶型为锐钛矿. 实验表明, 对亚甲基蓝的可见光脱色性能比相同条件下处理P25-TiO₂得到的氮掺杂TiO₂高. ESR结果表明, NO修饰的束缚单电子氧空位(V_O·-8226;-NO-Ti)的生成, 是氮掺杂TiO₂具有可见光催化活性的原因.     

线性低密度聚乙烯涂层修饰ZnO亚微米棒膜的疏水性研究

采用低温水热法制备出ZnO亚微米棒薄膜, 经线性低密度聚乙烯涂层修饰后显示出超疏水性, 静态接触角为151.2° ± 2.3°, 滚动角为4°. ZnO亚微米棒膜的微结构和低表面能材料线性低密度聚乙烯涂层修饰是其显示超疏水性的原因, 并用Cassie理论对膜的润湿性进行了分析.     

Pb掺杂纳米ZnO压敏电阻器

本文对掺铅ZnO(Bi2O3,Co2O3,MnO2,SnO2)系压敏电阻的烧结特性及电性能进行研究,以无机可溶性盐为原料通过简单的化学共沉淀法制取了颗粒细微、均匀的掺铅ZnO压敏陶瓷粉料.将共沉淀复合粉体进行差热和热重分析后,选定复合粉体的烧结温度为600℃.ZnO压敏电阻器的烧结温度为950℃.研究表明当铅的含量从0.5%增加到2.0%时,击穿电压从799.3 V/mm减小到688.1 V/mm.随着铅含量的增加,ZnO晶粒尺寸长大是击穿电压减小的主要原因.当Pb的物质的量分数为0.8%时,压敏电阻器的非线性系数达到α=35.2.     

铁掺杂纳米氧化锌室温脱硫剂的结构及效能研究

采用均匀沉淀法制备了铁掺杂纳米氧化锌脱硫剂,利用XRD和BET手段对脱硫剂进行了表征,优化了铁的掺杂量,并探讨了焙烧温度、脱硫温度和氧含量等因素对脱除H2S性能的影响。结果表明,铁的掺杂使脱硫剂的比表面积和孔容增大,当Fe∶Zn的摩尔比为5∶100(FZ5.0)时其活性最好。FZ5.0脱硫剂适用于室温脱硫,当样品的焙烧温度为270℃,氧含量为10%,穿透时间达到370 m in时,脱硫性能最佳。     

纳米ZnO光催化有机磷农药降解的研究

研究纳米氧化锌对三种有机磷农药的降解情况，考查了催化剂及其用量、光照时间、pH值的影响，结果表明纳米氧化锌能使有机磷农药发生降解。实验结果还表明不同形貌的氧化锌在降解有机磷农药时其效果不一样，网状比粒状所需要时间要短，这可能因为网状的粒径比较小，与降解体系接触空间更大。