微波对化学反应作用的动力学原理研究

一门新兴的交叉学科———微波化学正在兴起，而微波对化学反应作用的动力学原理是目前研究微波化学的理论基础。本文从场的角度和能量的角度出发，分析了微波对物质的作用机理，并设计了３种不同的反应体系。通过实验，提出了化学反应过程中的电磁场作用原理，并根据电荷粒子的动力学方程导出电磁场作用因子。     

在微波辐射下的Perkin反应

讨论了在微波辐射下，利用Ｐｅｒｋｉｎ反应，使芳香醛与酸酐缩合，得到相应的α，β－不饱和羧酸，反应通常可以在几分钟内完成，产率在２０－８３％之间。     

微波处理对不同植物种子活力及耐盐性的影响

为了研究微波预处理工艺对不同种类植物种子耐盐性的影响及所选工艺参数的普遍性，用NaCl溶液和原生水分别作种子萌发的培养液，选择蔬菜种子（白菜）、草本植物（高羊茅、黑麦草）和木本植物（刺槐）为实验对象，以相对幼苗活力指数评价种子的耐盐性，采用对比实验考察了微波预处理对4种不同种类植物种子活力的影响．结果表明，NaCl单一盐类对种子萌发的胁迫作用均比原生水复合盐类大；对2g种子，在原生水培养条件下，微波参数2450MHz、65W，辐照6s，间隔10min，重复照射1次，处理后种子的相对幼苗活力指数均显著提高，增幅为31％～84％．虽然上述种子种类不同，但由于微波因素影响种子活力的生理生化基础及其作用机制相同，所以同样的微波处理工艺参数均能达到显著提高种子活力的效果。     

V2O5和Li2CO3共掺杂对Mg4Nb2O9陶瓷烧结行为及微波介电性能的影响

采用固相法，制备了Mg4Nb2O9（MN）微波介质陶瓷，研究了V2O5和Li2CO3共掺杂对MgaNb2O9陶瓷烧结行为、相结构、显微结构和微波介电性能的影响．结果表明，采用1．5％V2O5和1．5％Li2CO3共掺杂，能够将Mg4Nb2O9（135O℃）陶瓷的烧结温度降至925℃，且有助于Mg4Nb2O9单相的形成．3．0％（V2O5，Li2CO3）共掺杂样品在925℃空气中烧结5h可获得良好的微波介电性能（介电常数为13．7，品质因数为77975GHz）．     

微波法合成红色长余辉磷光粉CaWO4∶ Eu3+的研究

采用微波法合成了新型红色长余辉发光材料CaWO4：Eu^3＋，并表征了其结构以及激发、发射光谱和余辉衰减曲线．X-射线衍射分析证实其为单相的钨酸钙，用254nm紫外灯激发后，CaWO4：Eu^3＋产生红色长余辉发光，余辉发射归属于Eu^3＋的^5D0到^7FJ（J=0，1，2，3，4）的跃迁。     

微波促进活性炭负载磷钨酸催化合成长链季戊四醇缩醛

以活性炭负载磷钨酸为催化剂,利用微波辐射法合成了十种长链季戊四醇单、双缩醛,其中季戊四醇双缩辛醛属新化合物.以n-十二醛与季戊四醇的缩合为模型反应进行优化,其优化反应条件为:①单缩醛:溶剂DMF,催化剂用量1.0 g,季戊四醇30 mmol,n-十二醛30 mmol,微波功率300 W,辐射时间8 min,产率74.5%;②双缩醛:溶剂苯,催化剂用量0.6 g,季戊四醇30 mmol,n-十二醛66 mmol,微波功率450 W,辐射时间3 min,产率为85.2%.产物经过元素分析I、R和1H NMR表征.     

微波辐射下甲醛交联壳聚糖香草醛希夫碱的制备及吸附性能

利用微波辐射法合成了甲醛交联壳聚糖香草醛希夫碱,用IR和XRD对其结构进行了表征,并用UV吸收光谱比较了甲醛交联前后壳聚糖香草醛希夫碱在酸中的溶解性能.吸附实验表明,该壳聚糖改性产物对一些金属离子的吸附性能与壳聚糖香草醛希夫碱和甲醛交联的壳聚糖有所不同,对Cu2 具有良好的吸附选择性,并且在酸性环境中几乎不溶解,因此可用作Cu2 的选择性吸附剂.     

微波辐射快速制备氨基葡萄糖盐酸盐的研究

本研究以糙皮侧耳（Pleurotus ostreatus）固体发酵料为甲壳素制备材料，采用正交试验法，研究以该原料制备氨基葡萄糖盐酸盐工艺的最优化反应条件．常规水解条件下，在水解时间5h，水解温度90℃，盐酸的浓度为20％，甲壳素与盐酸的质量百分比为1：6，在此最佳工艺条件下得到的氨基葡萄糖盐酸盐最高产率可达25．29％．微波水解条件下，在压力0．2MPa，时间240s，盐酸浓度9.8％，仪器功率50％，在此最佳工艺条件下得到的氨基葡萄糖盐酸盐最高产率可达69．78％，水解产物通过FTIR的测定，微波水解的产物与常规水解的产物结构基本一致，     

介质表面形貌对射频微机械开关隔离度的影响

针对粗糙介质表面造成射频微机械(RF M EM S)开关隔离度衰减的问题,设计了一个双桥电容式RF M EM S开关,分别采用金属A u和A l作为开关的下电极,以S iN作为电容介质制备了样品。微波特性测量表明两种材料开关的隔离度有很大区别。利用原子力显微镜对金属A u和A l上制作的S iN介质层表面进行了测试,表面粗糙度R a值分别为13.050 nm和66.680 nm,分析得到相应的关态电容减少因子分别为0.52和0.15。为获得较好的开关隔离度,介质表面粗糙度须控制在5 nm以下。