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151.
V2O5和Li2CO3共掺杂对Mg4Nb2O9陶瓷烧结行为及微波介电性能的影响 总被引:3,自引:1,他引:3
采用固相法,制备了Mg4Nb2O9(MN)微波介质陶瓷,研究了V2O5和Li2CO3共掺杂对MgaNb2O9陶瓷烧结行为、相结构、显微结构和微波介电性能的影响.结果表明,采用1.5%V2O5和1.5%Li2CO3共掺杂,能够将Mg4Nb2O9(135O℃)陶瓷的烧结温度降至925℃,且有助于Mg4Nb2O9单相的形成.3.0%(V2O5,Li2CO3)共掺杂样品在925℃空气中烧结5h可获得良好的微波介电性能(介电常数为13.7,品质因数为77975GHz). 相似文献
152.
153.
分别以过氧化二苯甲酰(BPO)和过氧化二异丙苯(DCP)为引发剂,在双辊开炼机上采用马来酸酐(MAH)单体对天然橡胶(NR)进行接枝改性,再与高耐磨炭黑(HAF)混合,制备出了性能优良的炭黑增强天然橡胶复合材料,并对其性能进行了测试和分析.结果表明:MAH改性NR/HAF复合材料具有优良的力学性能,其中MAH用量以1份为宜。引发剂DCP的引发效率比BPO略高,用量以0.5份为宜;复合材料在高温下热稳定性较好;扫描电镜分析表明碳黑在NR基体中的分散以及界面结合情况得到了明显改善. 相似文献
154.
CaCl2/LiCl改性中孔硅胶的吸附/脱附性能 总被引:2,自引:1,他引:2
使用不同的金属盐溶液对中孔硅胶进行改性,并采用间歇式吸附方法研究了水蒸气在硅胶上的吸附动力学实验,利用程序升温脱附技术测定了水在改性硅胶上的程序升温脱附(TPD)曲线并估算了水的脱附活化能,讨论了表面改性对硅胶吸湿性能以及水的脱附活化能的影响.实验结果表明:与C型中孔硅胶相比,经CaCl2或LiCl改性的中孔硅胶,孔容变小而平均孔径变大,在相对湿度(RH)小于80%的范围内,其吸湿性能明显增加,水的脱附活化能也增大;由于Ca^2+的极化势大于Li^+的极化势,水分子在经CaCl2改性的硅胶上的脱附活化能要大于其在经LiCl改性硅胶上的脱附活化能. 相似文献
155.
对沸石吸附甲醛进行了试验研究,探讨了用氢氧化钠、盐酸及有机改性的沸石对吸附甲醛的影响。结果表明,有机改性的沸石对甲醛的吸附要比天然沸石和无机改性沸石对甲醛的吸附效果明显。 相似文献
156.
微波法合成红色长余辉磷光粉CaWO4∶ Eu3+的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用微波法合成了新型红色长余辉发光材料CaWO4:Eu^3+,并表征了其结构以及激发、发射光谱和余辉衰减曲线.X-射线衍射分析证实其为单相的钨酸钙,用254nm紫外灯激发后,CaWO4:Eu^3+产生红色长余辉发光,余辉发射归属于Eu^3+的^5D0到^7FJ(J=0,1,2,3,4)的跃迁。 相似文献
157.
微波促进活性炭负载磷钨酸催化合成长链季戊四醇缩醛 总被引:3,自引:0,他引:3
以活性炭负载磷钨酸为催化剂,利用微波辐射法合成了十种长链季戊四醇单、双缩醛,其中季戊四醇双缩辛醛属新化合物.以n-十二醛与季戊四醇的缩合为模型反应进行优化,其优化反应条件为:①单缩醛:溶剂DMF,催化剂用量1.0 g,季戊四醇30 mmol,n-十二醛30 mmol,微波功率300 W,辐射时间8 min,产率74.5%;②双缩醛:溶剂苯,催化剂用量0.6 g,季戊四醇30 mmol,n-十二醛66 mmol,微波功率450 W,辐射时间3 min,产率为85.2%.产物经过元素分析I、R和1H NMR表征. 相似文献
158.
利用微波辐射法合成了甲醛交联壳聚糖香草醛希夫碱,用IR和XRD对其结构进行了表征,并用UV吸收光谱比较了甲醛交联前后壳聚糖香草醛希夫碱在酸中的溶解性能.吸附实验表明,该壳聚糖改性产物对一些金属离子的吸附性能与壳聚糖香草醛希夫碱和甲醛交联的壳聚糖有所不同,对Cu2 具有良好的吸附选择性,并且在酸性环境中几乎不溶解,因此可用作Cu2 的选择性吸附剂. 相似文献
159.
本研究以糙皮侧耳(Pleurotus ostreatus)固体发酵料为甲壳素制备材料,采用正交试验法,研究以该原料制备氨基葡萄糖盐酸盐工艺的最优化反应条件.常规水解条件下,在水解时间5h,水解温度90℃,盐酸的浓度为20%,甲壳素与盐酸的质量百分比为1:6,在此最佳工艺条件下得到的氨基葡萄糖盐酸盐最高产率可达25.29%.微波水解条件下,在压力0.2MPa,时间240s,盐酸浓度9.8%,仪器功率50%,在此最佳工艺条件下得到的氨基葡萄糖盐酸盐最高产率可达69.78%,水解产物通过FTIR的测定,微波水解的产物与常规水解的产物结构基本一致, 相似文献
160.
针对粗糙介质表面造成射频微机械(RF M EM S)开关隔离度衰减的问题,设计了一个双桥电容式RF M EM S开关,分别采用金属A u和A l作为开关的下电极,以S iN作为电容介质制备了样品。微波特性测量表明两种材料开关的隔离度有很大区别。利用原子力显微镜对金属A u和A l上制作的S iN介质层表面进行了测试,表面粗糙度R a值分别为13.050 nm和66.680 nm,分析得到相应的关态电容减少因子分别为0.52和0.15。为获得较好的开关隔离度,介质表面粗糙度须控制在5 nm以下。 相似文献