R(z)在半实轴x≥0上含有极点的积分∫+∞0R(x)(logx)kdx的Cauchy主值

首先讨论有理函数R（z）在半实轴x≥0上含有简单极点时积分∫^＋∞0R（x）logxdz的Cauchy主值,然后讨论积分∫^＋∞0R（x）（logx）^2dx的Cauchy主值,得到这些积分主值的计算公式．     

铁磁/半导体/铁磁异质结构的自旋极化输运

采用相干量子输运理论和传递矩阵方法,研究了具有不同自旋指向的极化电子渡越铁磁/半导体/铁磁异质结构的隧穿几率和自旋极化率.研究表明,隧穿几率和自旋极化率随半导体长度的改变发生周期性变化、随Rashba自旋轨道耦合强度的改变发生准周期变化,并且在2铁磁电极中磁矩取向平行时;选择适当的半导体的长度和Rashba自旋轨道耦合强度可以得到较大的自旋极化率.     

AB环量子点结构的电子输运

用格林函数方法研究了嵌在介绍AB环一臂中量子点的电子输运性质，数值计算表明：沿着每一共振峰，其输运相位连续的增加π，在两共振峰间的某个位置，其输运相位突然减小π，从而每一共振峰具有相同的相行为，理论结果与实验观测较好的相符。     

电负性气体电子崩发展的四参数模型

提出了一种分析电负怀气体中电子崩发展过程的四参数模型。在该模型中，不仅存在电离附着过程，而且存在着不稳定状态负粒子的去附着和转化过程。依据该模型着重对去附着和转化过程对电子崩的发展进行了仿真分析。结果表明：随着去附着的加剧，电子崩增长速度加快，出现峰值的时间滞后；随着非稳定负粒子转化为稳定负粒子过程的加剧，电子崩发展受到抑制，峰值滞后时间减少。     

可压缩自由混合层中的输运平衡

为研究可压缩混合层中的输运特性 ,该文采用气动BGK格式模拟了超音速来流条件下的二维平面可压缩混合层的空间发展 ,给出了湍能、雷诺应力和动量输运方程中各项的分布情况。各平衡方程中粘性耗散项和粘性扩散项都很小。湍能主要是通过对流、湍流扩散和压力扩散进行输运 ;切应力输运方程中主要是生成项与压力扩散项和压力 -应变关联项的平衡 ;雷诺应力 (1,1)分量输运方程中以生成项和压力 -应变关联项为主 ;雷诺应力 (2 ,2 )分量输运方程中主要是压力 -应变关联项与湍流扩散项和压力扩散项之间的平衡。     

非线性尘埃-漂移波的复杂结构

采用流体模型，研究尘运行等离子体中的非线性尘埃－漂移波。极低频的尘埃－静电漂移波，通过非线性互相作用，形成局域的涡旋结构。研究发现，涡旋强度与等离子体中尘埃含量和离子－电子温度比有密切的关系。等离子体中形成的大量涡旋横越磁场运动，导致了等离子体的反常输运。     

托卡马克等离子体内部输运壁垒中电磁ITG模

内部输运壁垒 ITB(internal transport barrier)的发现是近几年托卡马克实验研究的一项重要进展 ,ITB中微观不稳定性的研究对理解 ITB的作用至关重要。应用平板磁剪切位形和回旋动力学理论 ,通过 Raleigh- Ritz方法数值求解耦合的积分方程组 ,研究了内部输运壁垒区的电磁离子温度梯度 (ITG)模 ,计算中考虑了磁剪切的梯度和非绝热电子响应。结果表明 ,考虑非绝热电子的情况下 ,有限β(等离子体压强 /磁压强 )在极弱磁剪切区对 ITG模的 4个分支有明显的抑制作用 ,而且高阶的 ITG模更易被有限 β所抑制。     

单模光纤中群速度色散和自相位调制所致啁啾的相互作用关系

通过研究群速度色散(GVD)和自相位调制(SPM)的相互作用,推导出了速度色散(GVD)和自相位调制(SPM)共同作用所致啁啾的解析表达式.研究结果表明,当色散长度LD和非线性长度LNL确定后啁啾随z和T的变化特性完全确定,随着LD/LNL比率的不同,啁啾特性发生了明显变化,通过控制输入功率可实现无啁啾传输,保持脉冲的稳定性.     

标量电动力学的量子输运理论

在本文,我们推导出了标量粒子的一般量子输运方程和限制方程,并研究了Hartree近似下的量子输运理论。     

用输运过程的微观解释比较两种碰壁数

在输运过程中是以1/4n(?)个分子参加输运还是以1/6n(?)个分子参加输运,这是输运过程中一个使人困惑的问题.本文拟用输运过程的微观解释,以扩散现象为例,在分子按自由程分布规律的基础上,减少简化假设得出输运系数,说明两种碰壁数都是可靠的,进一步阐明输运过程微观解释的物理意义。