真空蒸发法制备CdTe薄膜的光电特性

真空蒸发技术制备的 Cd Te薄膜在可见光范围内的透射率很低 ,而且受材料配比和掺杂等因素的影响 .通过 Cd Te薄膜的透射光谱可计算出其吸收系数和光带隙 ,实验发现 ,掺In会使 Cd Te薄膜的光带隙变宽 .在电学特性上 ,Cd Te薄膜根据制备工艺的不同表现出 n型和 p型两种导电类型 ,本文主要研究了材料配比、掺 In及热处理对导电类型的影响 .另外掺杂及热处理会使 Cd Te薄膜电阻率下降达 2个数量级     

二极管反向恢复时间的一种测定方法

通过对二极管反向恢复过程特性的研究 ,给出了反向恢复时间的测定方法 ,运用高性能等精度计数器实现了快速准确的测量 ,提高了测量精度。     

光电可逆计数器系统的设计

通过对光电可逆计数器系统的研究，分析设计了以CMOS集成电路为基本组成部分，配合光电探测电路，电压放大电路波形整形电路，从而对光信号干涉条纹进行计数，达到高精度测试目的。     

New S-25光电阴极红外延伸原因研究

该本研究了S-25与New S-25光电阴极的红外光谱响应特性,分析了New S-25光电阴极红外延伸的原因。研究结果表明:在850～1000 nm范围内New S-25光电阴极红外光谱响应明显提高,主要归因于阴极层较厚,具有较大的阴极结构参量和截止波长。这既是New S-25光电阴极的创新之处,也代表了碱锑光电发射材料的发展方向。     

锑化物光电阴极的量子效率

研究了晶粒间界对光电发射的影响，仔细考虑了在单位能量间隔内参与光跃迁的有效电子态密度和光电子逸出几率，提出锑化物阴极的光电发射模型，并导出了量子产额的表达式．借助电子计算机，计算了各种锑化物阴极的量子产额，理论和实验符合较好．     

掺杂C60的聚乙烯基咔唑光导光膜的光电子能谱

采用Ｘ－射线光电子能谱表面分析技术并通过变温手段研究了聚乙烯基咔唑（ＰＶＫ）与Ｃ６０的作用形态，结果表明，ＰＶＫ与Ｃ６０可以形成电荷转移络合物，并且它的形成和解离随着温度的变化是可逆的。ＰＶＫ与Ｃ６０的电荷转移络合物的形成可能是改善ＰＶＫ光电性能的关键所在。     

a—Si1—xNx：H光敏材料的研究

讨论了用射频辉光放电装置制备的掺氮非晶硅光敏薄膜材料的光电特性。结果表明，合理地控制氮气（Ｎ２）与硅烷（ＳｉＨ４）气体的流量比例以及其他有关的工艺参数，能够制备出暗电阻率，光、暗电导率比，光电性能稳定的ａ－Ｓｉ１－ｘＮｘ：Ｈ光敏薄膜材料。     

一些有机染料和中间体的SHG效应

采用固体粉末方法，测试了苯系偶氮、嘧啶、吡啶酮、四氢喹啉甲川型染料，以及中间体共６２个有机分子的ＳＨＧ效应，发现其中１４个品种具有ＳＨＧ活性。考察了影响ＳＨＧ效应的有关因素，发现电子效应基本一致的硝基和氰基取代染料，呈现出完全不同的ＳＨＧ性质。说明电子效应并不是影响有机分子ＳＨＧ活性的唯一因素，ＰＰＰ－ＭＯ理论计算结果也证实了这点。     

超微粒光电转换薄膜的实验研究

目前世界上通用的激光脉冲检测的光电发射材料基本上有两类。一类是含有碱金属的光电发射薄膜,如:Ag-O-Cs、Cs_3Sb、[Cs]Na_2KSb等;Gex等的论文谈到半透明的Ag-O-Cs光电阴极是唯一可用于研究宽度不到10ps、波长为1.06μm的激光脉冲的光电阴极。另一类是纯金属的薄膜,如Au、Ag等。前一类光电发射薄膜虽然光电灵敏度较高,但不能在温度150℃以上的环境中工作,也不能暴露于大气中,如暴露大气,则光电薄膜就会报废。这些不足给使用造成极大的困难,甚至某些场合无法使用。而纯金属的Au、Ag薄膜虽然可以暴露大气,也     

变容非线性的微观统计分析

本文研究了非线性元件变容二极管的非平衡统计行为。根据物理条件,求解含时间扩散方程的小信号驰动下的是电流响应。通过实验证明,新提出的求解方法的有效性,这一研究结果是进一步研究运动复杂性的微观机制的基础。