位相共轭及色散补偿孤子通信系统的误码率

终端位相调制及正色散补偿是光孤子系统中的一种新的传输控制技术，本文首次对系统参数对误码特性的影响进行了分析，发现恰当地选择系统的光纤色散参数，终端散补偿因子以及传输速率能使系统的误码率达到最低。     

LiNbO_3:Ni~(2+)晶体中Ni~(2+)离子的占位研究

本文研究了Ｎｉ２＋离子在ＬｉＮｂＯ３晶体中的占位．采用完全对角化哈密顿矩阵方法，计算了Ｎｉ２＋：ＬｉＮｂＯ３的零场分裂和光谱结构，计算值与实验观测值一致．研究表明，Ｎｉ２＋离子占Ｌｉ＋位并且沿Ｃ３轴向氧八面体中心移动约０．２２     

光谱烧孔介质中位相编码的时域全息

光谱烧孔(spectral holeburning)可望使存储密度比光盘提高10~3倍以上而引起各国科学家的重视。它在原来三维空间存贮基础上增加了频率维,突破了三维空间光斑衍射的极限对存储密度的限制。永久光谱烧孔(penistent holeburning)介质中的全息光存储已被证明在超快速光学数据处理和存储领域的光明应用前景。 对于非均匀展宽的吸收光谱烧孔介质,光学信息的存入有两种方法:一种是用单一波长激光进行烧孔写入信息,改变激光波长可以写入多个信息;另一种是全息方式存储,多个信息一次被写入非均匀线宽内。存贮密度取决于非均匀线宽与均匀线宽之比。时域光存贮基于三脉冲光子回波(three-pulse photon echo),即按照与参考光的一定时间延迟关系将携带二进制信息数据脉冲串写入介质,读出过程则是分析相对于读出光同一延迟时刻的光子回波信号的瞬态特性。     

应用Raman光谱方法研究玻璃炭纳米晶体的键距畸变特征

键距(或晶格)畸变与晶粒尺寸、晶界结构一样都是纳米晶体结构研究的重要方面.有关晶格畸变对纳米晶体性能的影响已有较多研究工作发表,但关于纳米晶体的键距(或晶格)畸变特征则未见专门报道.本文从Fitzer炭键键距公式出发,建立一种键距畸变的Raman光谱分析方法.应用这种方法可以测量玻璃炭纳米晶体sp~2杂化键的最可几键距b_g、平均键距(?)_g、键距畸变△b_g以及键距膨胀率α等参量.指出,畸变可能主要存在于晶粒边界附近形成畸变键距过渡层,并对过渡层中的键距膨胀现象从电子结构角度进行了初步探讨.1 实验过程通过控制炭化温度制备具有不同晶粒尺寸的玻璃炭试样.试样的X射线分析在D/max-rA衍射仪上进行.分析结果表明经800℃至2300℃炭化得到的玻璃炭均具有乱层石墨微晶结构.试样晶粒尺寸(六元环炭原子面大小)L_a的X射线测试结果列于表1,L_a的测量误差为0.04nm.Raman光谱分析在Spex-1403型谱仪上完成.Ar~+激光器的波长为488nm、功率为500mW.试样环境为室温大气环境.测试结果如图1所示.由于玻璃炭Raman谱中G线与D线略有重叠,故图中的G线谱形已经过计算机分峰处理.     

用空间滤波法显示位相型物体非均匀位相分布的较为普遍的分析与讨论

对空间滤波法的零频滤波与刀口滤波显示位相型物体的非均匀位相分布进行较为普遍且详尽的分析讨论，并给出一些实验结果．     

一种合成分子局域模振动态的新方法

提出了两激光场与三能级分子相互作用系统中，调制光场的振幅和位相，合成分子的局域模振动态，并讨论了分子的动力学规律。     

二元光学及其进展

二元光学作为一门新兴的学科分支正受到人们的广泛关注，本文主要介绍二元光学的基本原理及二元光学元件的设计加工工艺过程，并总结了近十年来二元光学在理论设计、制作工艺和应用等方面进展情况．     

阶跃型单模石英光纤中受激喇曼散射的模式分析

在以YAG倍频激光器为光源进行阶跃型单模订英光纤的受激喇曼散射实验中发现，随斯托克斯波级次的增高，产生的模式为光纤所能传输的最高阶模式。由于光纤中介质对不同的波长具有不同的色散效应，因此，要求形成导模的斯托克斯波能同时满足色散效应和受激喇曼位相匹配这两个条件，才能在光纤中传输．根据理论计算能够很好的解释实验现象。     

QuickBrid影像的几何校正

普通遥感影像原始数据存在人工操作及仪器误差,其图像总会有变形。此时的遥感数据还是未作数字化加工的原始数据,这样的数据还不能直接被计算机加以分析利用,只有经过几何校正才能投入到实际应用中去[1]。所谓几何校正,就是将一幅含有几何畸变和比例尺差异的原始遥感影像通过一     

铝对大蒜根尖细胞有丝分裂的影响

用不同浓度的三氯化铝分别处理大蒜根尖6h,18h,24h,结果表明:各处理组均对大蒜根尖细胞有丝分裂产生抑制。随着处理液中铝浓度的升高及处理时间的加长,有丝分裂指数呈现规律性的变化:染毒的根尖细胞有丝分裂指数明显低于对照组,并随着作用时间的延长快速下降,随着浓度的升高先减后增再减,说明三氯化铝具有细胞分裂抑制剂的作用。不同浓度的三氯化铝在不同处理时间内均能诱使大蒜根尖细胞发生染色体畸变。