有机半导体异质结电荷产生层及其在叠层有机发光二极管中的应用

叠层有机发光二极管因其具有更高的亮度、效率以及稳定性, 其研究备受关注.本文综述了叠层有机发光二极管的最新进展; 总结了作者研究小组基于有机半导体异质结的概念, 设计了由一种p 型有机半导体和一种n 型有机半导体层层组成的双层有机半导体异质结电荷产生层, 并用它们作为连接单元制备了叠层有机发光二极管, 器件的电压得到了降低, 功率效率得到了提高. 通过对电荷产生层的工作机制的深入剖析, 揭示了降低电压、提高功率效率的内在物理原因, 为进一步设计高性能有机电致发光器件提供了新的思路; 最后对叠层有机发光二极管的未来发展方向进行了展望.     

压力下半导体GaAs的电子表面态

使用插值拟合近似获得晶格常数、带隙随压力的解析表示，采用变分法研究了流体静力学压力对半导体GaAs电子本征表面态的影响，数值结果表明，随压力增加电子表面态能级明显向上移动，且电子趋近表面。     

水热压缩增强实木木材陶瓷的研究

通过对典型品种的实木水热条件下的压缩,探索了木材陶瓷强化的新工艺.结果表明,水热压缩导致木材陶瓷的微观结构明显改变,密度与弯曲强度同比增长约1倍,分别可达855kg/m3和33.6MPa,同时避免了其他强化方式的主要缺陷.而不同的材质强化效果明显差异,整体而言,原来较为疏松而均匀的材质明显更适于水热压缩强化.     

40-Gb/s all-optical digital 4-bit priority encoder employing cross-gain modulation in semiconductor optical amplifiers

High-speed all-optical logic circuits have attracted much attention because of their important roles in signal processing in next-generation optical networks.The digital encoder is widely used in binary calculation,multiplexing,demultiplexing,address recognition and data encryption.A priority encoder allows the existence of multiple valid inputs simultaneously,identifies the priority of the request signals and encodes the priority.We propose and experimentally demonstrate an all-optical 4-bit priority encoder for return-to-zero signals at 40 Gbit/s based on cross-gain modulation in semiconductor optical amplifiers.Detuning fil-ters after semiconductor optical amplifiers are employed to improve the output performance.Correct logic bit sequences and clear open eye patterns with extinction ratios exceeding 10 dB are achieved.     

外腔法压窄半导体激光器线宽的二阶理论

对耦合于长无源外腔的半导体激光器的线宽行为进行了二阶理论分析，首次得到了 外腔半导体激光器的线宽压窄率随外腔长的增加而出现饱和的结论。并给出了饱和因子 的表述式。     

新结构型半导体压力传感器及其光纤耦合系统

本文介绍了一种半导体压阻式压力传感器及其光纤信号藕合系统的原理、性能及差压测试结果。转换电路微功耗和系统高精度是其两个特点。压力信号用脉冲位置调制,並用光纤传输,这不仅使其适用于易燃易爆等特殊工况下的压力信号测量,而且保持了光纤长距离信号传输所具有的高度电绝缘、不受电磁场干扰等特点。传输光纤长度为50m;系统精度优于0.6％FS;示值稳定性误差小于0.2％FS;灵敏度为4mV/KPa。     

半导体表面吸附分子的表面增强喇曼散射

本文介绍了半导体材料表面吸附分子的表面增强喇曼散射(SERS)研究工作.至今,人们主要在二类半导体材料表面进行了SERS 实验:一类是半导体材料表面吸附分子的SERS 实验;另一类是被银修饰了的(silver-modified)半导体材料表面吸附分子的SERS 实验.文章还简单介绍了对半导体材料表面SERS效应所作的理论解释.最后对半导体材料表面SERS 研究的发展和应用前景作了展望.     

POSFET压电传感器结构参数与特性的研究

本文分析了ＰＯＳＦＥＴ压电传感器的结构参数与特性。理论分析表明ＰＶＤＦ薄膜的声学灵敏度与膜的厚度和膜的弹性刚性系数成正比。实验结果显示，ＰＯＳＦＥＴ传感器的输出峰值随扩展栅面积的增加而增大，随沟道长度的减小而增大。ＰＯＳＦＥＴ传感器的灵敏度比之ＰＶＤＦ直接粘贴硅背衬传感结构提高了２０ｄＢ。     

GD a-C:H膜对硅半导体器件的钝化作用

将氢化非晶碳薄膜(GDα-C:H)应用于硅半导体晶体管的表面钝化,取得了与α-Si:H 膜相类似的效果。对α-C:H 的钝化机理进行了初步探讨。     

复合散SrTiO_3基半导体陶瓷的压敏特性

研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ。－Ｂ２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３，Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构、压敏和介电特性的影响．在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型．