新型三环己基锡羧酸酯的合成和晶体结构

以苯做溶剂,以2,5-二羧基-1,4-苯二甲酸二乙酯为配体,与三环己基氢氧化锡进行脱水反应,合成了新型三环己基锡羧酸酯配合物1.采用元素分析、1H NMR、红外光谱及X射线衍射等手段对其进行了结构表征,结果表明:配合物1为三方晶系,空间群为R3,a=b=3.039 4(4) nm,c=1.5637(2) nm,α=β=90°,γ=120°,V=12.510(3) nm3,z=9,D(,)=1.248 g/cm3,μ=9.43 nm-1,F(000)=4 878,R1=0.045 2,ωR2=0.090 7.配合物1是Sn原子化学环境相同的对称结构,Sn原子与3个环己基碳原子和1个羧基氧原子成键,中心Sn原子为畸变四面体构型.分子间的O→ Sn(0.3172 nm)配位作用,形成三维网状堆积结构.     

鹅常见病毒性疾病的快速诊断技术的建立及其应用

根据3种病原基因组相关基因的序列特征设计了三对PCR引物，用于鹅常见的病毒性疾病包括鹅副粘病毒病、鸭瘟、小鹅瘟的鉴别诊断．三对引物均能从各自的参考毒株扩增出与预计片段大小一致的产物，而对其它的病原的扩增结果均为阴性；应用建立的PCR方法对来自广西不同地方的38份临床可疑病例分别进行诊断，DPV、APMV-1和GPV的检测阳性率分别为66．6％(10／15)、55．6％(15／27)和75％(6／8)，二重及三重混合感染的占42．8％(9／21)．研究结果表明建立的PCR方法具有快速、敏感、特异的特点，可用于疫病的临床快速鉴别诊断特别是多重感染的诊断以及流行病学的调查研究．     

TRIP钢动态拉伸行为的残余奥氏体转变相关性研究

对两种商业化TRIP钢进行双相化处理,获得了与TRIP钢中铁素体量相当的DP钢.采用气动式间接杆杆型冲击拉伸试验装置对TRIP钢和DP钢在102~103s-1应变率范围的动态拉伸变形行为进行了研究.结果显示,在所有应变率下,两种TRIP钢的动态拉伸强度略低于DP钢,而延伸率却大大高于DP钢.断裂试样的SEM观察表明,残余奥氏体的变形诱发相变显著延迟了TRIP钢的微孔洞的形成,持续抑制微孔洞的生长.     

边部冲裁对双相钢拉伸性能影响的实验研究

为研究边部冲裁对双相钢(DP590、DP780和DP980)拉伸性能的影响,采用冲裁和线切割2种方法制备实验试样.基于MTS793材料试验机,使用非接触式视频应变测量方法,在常温下完成静拉伸实验.通过材料的力学性能曲线,分析原始标距对拉伸性能的影响以及不同断面质量下拉伸试样的力学性能响应、颈缩过程与断口形貌.结果表明:原始标距减小,基本不影响屈服强度、抗拉强度和最大力非比例伸长率,而断裂总伸长率显著增大;冲裁试样与线切割试样在拉伸颈缩段存在较大差别,断裂总伸长率低于线切割试样,且随着冲裁间隙的增大而减小;DP590和DP780冲裁试样在非均匀颈缩和横向裂纹出现后,呈现折线状断口,而DP980冲裁试样则与线切割试样的剪切滑移型断口类似,颈缩时产生显著的剪切带.     

元胞自动机中的子等级碰撞演化及其进化稳定性

给出一维二相邻元胞自动机的Wolfram第四等级的子等 级的碰撞演化及其进化稳定性. 利用两个子等级的基因片断植入原环境中, 使其碰撞得到3 种结果. 同时, 提出元胞自动机的进化稳定性概念, 并且发现, Wolfram第四等级 的子等级在该稳定性定义下不稳定.     

二羟基二过碘酸合镍(Ⅳ)钾氧化还原引发丙烯酸甲酯在尼龙6上的接枝共聚合反应

二羟基二过碘酸合镍(Ⅳ)钾(简称Ni(Ⅳ))为氧化剂,尼龙6为还原剂,二者组成氧化还原引发体系,于碱性介质中,在尼龙6表面引发丙烯酸甲酯接枝共聚合反应,测定了各种因素对接枝参数的影响,得到了高接枝效率的接枝共聚物.用X光衍射、红外光谱(IR)等方法对共聚物结构进行了表征,并探讨了引发机理.     

二羟基二高碘酸合镍 (Ⅳ) 配离子氧化异丙醇的反应动力学及机理

在碱性介质中用分光光度法研究了二羟基二高碘酸合镍 (Ⅳ) 配离子 (DDN) 于25 ～ 40 ℃区间氧化异丙醇的反应动力学.结果表明,反应对 DDN 为一级,对异丙醇为正分数级.准一级速率常数kobs 随[OH-]增大而增大,随[IO4-]增大而减小.有微弱的正盐效应,未检出自由基.提出一个包括 Ni(Ⅳ) 和异丙醇生成加合物前期平衡的反应机理,导出的速率方程满意地解释了所有的实验事实,并计算出平衡常数、速控步骤的速率常数及相应的活化参数.     

硅基Ⅳ族材料外延生长及其发光和探测器件研究进展

硅基光电集成回路是信息时代最具影响力的核心技术之一,由硅基光源、光电探测器、光调制器等模块组成.硅材料是微电子集成电路的基石,然而在光电集成方面却遇到了瓶颈.首先,由于硅是间接带隙材料,其发光效率极低,因此难以应用于硅基高效光源的研制.其次,硅在近红外通讯波段吸收系数很低,因此在近红外光电探测器的应用中具有较大的局限性.然而,研究者发现,通过能带工程将硅与其他Ⅳ族材料相融合不仅可以有效提高直接带高效发光效率,同时能使材料在近红外波段具有较高的吸收系数.因此,以Ⅳ族材料为基础,与硅工艺兼容的硅基光电集成回路引起了研究者的广泛关注.本文综述了课题组在硅基材料外延生长及其发光和探测器件方面的研究进展.介绍了硅基Ⅳ族材料Ge,SiGe/Ge异质结和量子阱材料的外延生长技术,以及硅基GeSn量子点发光材料的制备新方法.基于硅基Ⅳ族异质结构材料,发展调制金属与半导体接触势垒高度新机理,研制了多种结构的光电探测器.设计并制备了与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)结构兼容的横向异质结以及双有源区垂直共振腔型两种结构硅基电致发光器件,有效提升器件的发光性能,并观察到应变锗发光增益现象.     

HPLC-ELSD法测定黄芪颗粒中黄芪甲苷含量研究

目的:建立黄芪颗粒中黄芪甲苷的含测定方法。方法:采用反相高效液相色谱法,色谱柱:Agilent HypersilODS柱(5μm×4.6×250 mm);流动相:乙腈-水梯度洗脱;流速:1mL.min-1;柱温:30℃;ELSD参数漂移管温度:85℃;氮气压力:3.5 bar。结果:黄芪甲苷在0.5605～22.42μg之间线性关系良好,回收率为99.90%,RSD为1.23%(n=9)。结论:该方法简便、准确,可用于黄芪颗粒中黄芪甲苷的含量测定,以控制制剂质量。