GLTGS晶体生长及其热释电性能

根据结构与性能的关系，选择胍基乙酸作为掺质，采用水溶液降温法生长了ＧＬＴＧＳ晶体，发现掺质的存在使晶体的生长形态、单胞参数和解理性均发生了变化。对所生长晶体的热释电性能进行了系统测量。结果表明，掺质显著地增强了晶体的热释电效应，与纯ＴＧＳ晶体相比，ＧＬＴＧＳ晶体在２０￣３０℃的温度范围内，热释电系数增加了４９．３％￣５５．８％，品质因子增加了３５．４％￣４９．３％。另外，经过测量晶体的电滞回线发现     

掺杂硅酸铋晶体的生长及样品加工

介绍了提拉法生长高质量掺杂硅酸铋Bi12SiO20（BSO）晶体的主要设备、仪器与工艺条件，并在实验的基础上，分析了BSO晶体在加工过程中开裂的原因，并提出了解决的办法。     

溶液中晶体生长的流体力学问题研究

实验表明，晶液间相对运动速率将影响蔗糖晶体的生长速率，并且，当相对运动速率大于临界值时，其运动方向特对晶体表面生长台阶的形成产生影响。论文提出了相关的教学模型，并对结晶表面的变化情况进行了机理探讨。     

弯曲相变界面对晶体生长径向分凝的影响

二元合金半导体晶体生长的径向组分均匀性是一个重要参数。影响径向分凝的因素很多,如对流、弯曲的凝固界面、弯曲的熔化界面等。为了理解每种作用对径向分凝的影响,往往用简单模型给出分析1/2a。更完整的问题必须用数值方法研究耦合过程。     

混合硅酸钙水合晶体的结晶度测定

采用热失重法、x-射线衍射仪和红外光谱仪对硅酸钙多孔填料及其合成所用原料的热失重行为和有关结构特征进行了考察。根据实验结果,提出了热失重法测定混合硅酸钙水合晶体结晶度的方法以及计算公式,对样品的测试结果表明:多孔填料的抗压强度与硅酸钙水合晶体的结晶度成正比。     

关于掺钠的铌酸锂晶体的生长

通过选择合适的原料配比(L i2O占48.6%,Nb2O5占51.4%,并掺入3%的钠),控制固液界面处的温度梯度,选择合适的晶体生长速度,采用提拉法成功地生长出了具有良好光学均匀性的掺钠L iNbO3晶体,用X射线粉末衍射获得了晶体的晶胞常数,结果表明掺钠后晶体常数a增大c减少,并讨论了掺钠L iNbO3晶体生长存在的主要问题、发展前景及今后的研究方向.     

ATMB晶体生长形貌和机制的实时显微研究

用相差显微镜和诺曼斯基干涉术实时研究了ＡＴＭＢ晶体生长表面形貌和台阶运动的变过程,将计算机图象自动处理系统引入晶体生长台阶的研究中,提高了实时处理的速度和精度,测量了ＡＴＭＢ晶体（１０１２）面生长台阶列的高度和台阶推移速率Ｖ。研究了晶面法向速率与过饱和度的关系以及不同过饱和度下晶体生长机制的转变情况,得出了ＡＴＭＢ晶体是二维成核层状生长机制。     

葡萄球菌核酸酶R型N端片段:SNR141的晶体生长及初步晶体学分析

葡萄球菌核酸酶(SNase A,EC3.1.4.7)由149个氨基酸残基组成(分子量16.807ku),不含巯基和二硫键,它水解DNA和RNA的磷酸酯键并释放出3’-磷酸单核苷酸和二核苷酸SNase A最初从金黄色葡萄球菌中得到,随后这个酶的基因被克隆并在若干表达体系中进行表达.它的晶体结构已在高分辨率测得,结构表明它唯一的色氨酸残基(W140)包埋在一个疏水环境中.SNase A一直作为研究酶学、蛋白质热力学稳定性以及肽链折叠动力学的     

N－（4－硝基苯）－（1）－脯氯醇晶体（NPP）在不同有机溶剂中的生长习性和结晶形态

对在一些有机溶剂中非线性光学有机物质ＮＰＰ（Ｎ－（４－硝基苯）－（１）－脯氨醇）晶体的生长习性进行了研究，发现它在二甲亚砜和水的混合溶剂中或在硝基甲烷溶剂中能长出较好的单晶。     

离心机环境对锡熔体热对流及温度脉动的影响

晶体材料在现代科学技术中有着重要的应用,为获得高质量的半导体晶体材料,人们做了大量的工作.研究发现,在晶体生长过程中,熔体中存在的强迫对流和自然对流等流动对加速传热传质有利,但非定常的对流引起温度脉动会造成晶体缺陷,产生杂质条纹.随着航天事业的发展,人们开始利用卫星、飞船进行微重力条件下材料制备的研究,并取得一些成果,但成本非常昂贵.与此相反,德国的Mukller首先从超重角度来考虑这个问题,1980年,他们在离心机上做了垂直Bridgman方法的晶体生长,以高离心力来模拟超重力.实验发现,在一