影响光电检测电路信噪比的因素

根据噪声电路理论，应用解析方法推导出了光电检测电路信噪比的公式，并结合噪声En-Jn模型，对光电二极管用于光电检测时影响电路信噪比的因素进行了探讨。     

精密相干检测法研究

研究了精密相干检测法的原理,即采用共时钟方案,使与发送机有关的参考信号同接收机接收到的待测信号精密相干,同时精确检测出复合波信号中各主要谐波的振幅和相位.应用结果表明:该方法克服了微弱复合波信号的锁相放大、数据采集、叠加平均和获取多参数时遇到的困难,提高了观测系统的灵敏度、测量精度、抗干扰能力、探测分辨率和探测深度;精密相干检测法原理同样适用于其他观测系统和对其他类型信号的检测.     

低能量氩离子束轰击改善双极型晶体管的噪声特性

在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后，采用低能量氩离子束轰击芯片背面，能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数。实验结果表明，晶体管低频噪声系数的下降与硅-二氧化硅界面的界面态密度的减小有关，而其高频噪声系数的下降是特征频率和电流放大系数增加的结果。     

相干DCSK混沌通信系统的多用户噪声性能

为了定量描述混沌数字通信系统的多用户噪声性能，基于离散时间混沌序列，提出了相干DCSK(Differential Chaos Snift Keying)系统在多用户噪声环境下误码性能的一种近似分析方法，获得了多用户、单用户误码性能及其理论上界的表达式，理论计算与计算机仿真结果一致．结果表明，随着用户的增加其误码率显著下降，且存在一个较大的性能下界．提高多用户误码性能的途径是产生正交的混沌信号集．     

利用背面Ar+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性

研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（n-MOSFET)线性区的特性，用低能量（550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面，能有效地改善其线性区的直流特性，如跨导，沟道电导，阈值电压，表面有效迁移率以及低频噪声等，实验结果表明，随着轰击时间的增加，跨导，沟道电导和表面有效迁移率光增大，然后减小，阈值电压先减小，随后变大；而低频噪声在轰击后明显减小，实验证明，上述参数的变化是硅－二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。     

探地雷达复信号分析及改进

利用复信号分析可求得表征探地雷达信号特征的多个参量，从而可对雷达信号进行深入的分析和研究．然而，该方法对噪声特别敏感．为此，作者引入小波变换，对分析过程进行了改进．实际处理效果表明：小波变换的引入很好地克服了复信号分析缺点．     

一维单向耦合系统中的空间分岔

通过数值模拟的方法，讨论了单向耦合开流系统中的空间倍分的起源，发现噪声是导致空间倍分岔的直接因素。     

位相相干态和奇偶位相相干态的圈表示

本文以有限维位相态空间的量子态与复平面上的一个整函数一一对应的解析表示为基础，利用任意位相态的圈表示，获得了位相相干态和奇偶位相相干态的圈表示。把位相相干态和奇偶位相相干态表示为一个在复平面上沿具有相同半径的圆路径的路径积分。给出了位相相干态和奇偶位相相干态的解析表示和圈表示之间的关系。     

短角外斑腿蝗核型和C-带的研究

本文研究了短角外斑腿蝗（Ｘｅｎｏｃａｔａｎｔｏｐｓｈｕｍｉｌｉｓｂｒａｃｈｙｃｅｒｕｓ）的核型和Ｃ带。结果表明：短角外斑腿蝗的染色体数目为２ｎ（）＝２２＋ＸＯ＝２３，全部为端着丝粒染色体；ＮＦ＝２３；核型公式为２ｎ（）＝２ｘ＝２３ｔ。中期染色体绝对长度为７００１±２７０μｍ，按相对长度可分为三组；除所有染色体都具有明显的着丝粒带外，Ｌ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ９还有明显的端带；染色体组中Ｃ带带纹总长与染色体总长的比值百分数为２６００±２２０％；最长与最短染色体之比为３７８∶１，臂比大于２∶１的染色体在染色体组中的比例为零，短角外斑腿蝗的核型属“１Ｂ”核型     

正交相干检波的误差分析

正交相干检波器输出的同相分量和正交分量之间的辐射并非完全相等，相位并非完全正交，通常存在幅度和相位误差，该文首先推导了相干检波器输出的信号表达式，然后在假定误差由中信号分频分裂和本振信号９０°移相产生的条件下，给出了正交检波器输出的误差信号表达式，并分析了误差功率及其频谱特性，得到了幅度和相位误差与输出信号信噪比的关系式，最后给出了微机仿真结果。