地下水咸淡水混合带动态特性试验研究

应用电导率法,通过大型移流弥散砂槽模型试验,成功地测到了混合带,并对混合带及其动态特性进行了观测、分析和研究,在总体水头的水平梯度方向与浓度的水平梯度方向（弥散的反方向）相反的条件下,得到了咸水入侵进慢退快、混合带发展演化过程中有回咸现象以及介质分层、高浓度等试验的部分规律。部分成果对滨海地区水资源的规划、管理和海（咸）水入侵的预防、治理以及移流弥散问题的物理模型、数学模型的研究有参考意义和实际应用价值。     

非饱和带溶质运移问题的有限元解法

ＳＵＰＧ有限元法应用于土体的非饱和溶质运移问题,导出了其数值表达式,编制了计算程序。以一维入渗问题为例进行了数值计算,与其他方法及野外试验结果进行了对比,表明该方法是正确的、稳定的,可用于非饱和带溶质运移问题的实际计算。     

一种子带适应的图象恢复最小二乘迭代算法

研究了基于子波变换的图象最小二乘恢复技术,提出了一种具有子带适应性的选代算法实验结果表明,采用该算法的恢复图象的质量和迭代收敛的速率均优于常规的空域解法．     

草间小黑蛛的核型

报道了草间小黑蛛的核型,包括染色体数目、形态结构和性染色体组成．材料采自石家庄市郊区．细胞学数据主要来自对混合胚胎细胞有丝分裂中期的观察．实验结果表明：草间小黑蛛细胞的染色体数是雄体细胞２ｎ＝２４,雌体细胞２ｎ＝２６,性别决定机制为Ｘ１Ｘ２Ｏ系统．Ｘ染色体为全部染色体中最小的和次最小的一个（对）．对其Ｃ－显带标本观察表明,所有染色体均为端或亚端着丝粒染色体,每个染色体都有其特点．     

掺铅TiO2薄膜的制备及光催化性能

以钛酸四丁酯为前驱体,采用溶胶-凝胶法在玻璃板表面制得均匀的TiO2,并利用浸渍法镀pb2 得到掺铅的TiO2,用紫外漫反射、荧光光谱分析等手段对其进行了表征.研究结果表明,掺杂铅离子使TiO2的荧光峰明显增强,吸收带边发生红移,在紫外光区和可见光区的吸收明显增强.以紫外灯为光源,通过对甲基橙的光催化降解研究,发现掺铅TiO2薄膜的光催化活性明显大于掺Ag,Bi及纯TiO2薄膜,这是提高TiO2光催化活性的有效方法.     

弹壳静电分布对引信微带天线性能的影响

用均匀带电圆筒模拟带电弹壳分析了弹壳静电分布对微带天线谐振频率、方向图和增益的影响.首先,采用拉普拉斯方程法推导了均匀带电圆筒空间远场计算公式.然后,运用唯一性定理和场的迭加原理得到了合成场远场计算公式.最后,根据理论分析所得到的结果利用Matlab计算了微带天线辐射方向图,并分析了微带天线辐射方向图随着圆筒不同带电量的变化情况.     

东营凹陷八面河地区坡折带特征及其对地层岩性圈闭的控制作用

通过对东营凹陷八面河地区广利东洼陷边缘坡折带的识别标志、成因机制以及演化规律的研究,总结了该区坡折带对于地层岩性圈闭的控制作用,以便为地层岩性油气藏的勘探提供依据.研究表明,该区广利东洼陷边缘发育挠曲坡折带和断裂坡折带,构造活动是形成坡折带的主要因素.坡折带的演化规律与构造活动的阶段性演化或幕式构造作用相对应,也表现出多期性、幕式活动和差异性活动的特点,而且坡折带规模与构造活动大小有关.坡折带对地层岩性圈闭的控制主要表现为:坡折带附近是地层岩性圈闭发育的有利区带;规模较大的坡折带控制了多数地层岩性圈闭,地层岩性圈闭在纵向上发育具有继承性特点;坡折带在横向上可以存在较大的变化,可形成不同的圈闭类型;坡折带控制下的地层岩性圈闭含油气性十分有利.     

土与结构间一种新接触单元的数值解

推导了基于非线性弹性-理想塑性本构模型的接触带单元的单元刚度矩阵，并对接触带厚度的确定、非线性迭代方法等数值计算中一些重要的细节问题进行了论述．最后对某一典型算例进行了分析，分析结果表明，所提出的接触带单元能够合理地模拟接触面上的变形机理和受力状态，是一种比较适用的模型，在土与结构相互作用分析中具有一定的应用前景。     

渐近非扩张映射的不动点三步迭代

设D是一致凸空间中的非空紧凸子集,T:D→是渐近非扩张映射且F(T)≠,kn≥1,∑∞n=1(kn-1)<∞,设{un},{u′n},{u″n}是D中有界序列,{an},{bn},{cn},{a′n}{b′n}{c′n}{a″n},{b″n},{c″n}是[0,1]中序列且满足:i)an+bn+cn=a′n+b′n+c′n=a″n+b″n+c″n=1;ii)b″n,b′n∈[a,b](0,1);bn∈[0,b];iii)∑∞n=1cn<∞,∑∞n=1c′n<∞,∑∞n=1c″n<∞.对x1∈D,定义:zn=anxn+bnTnxn+cnun;yn=a′nxn+b′nTnzn+c′nu′nn≥1;xn+1=a″nxn+b″nTnyn+c″nu″n则{xn},{yn},{zn}强收敛于T的不动点.     

无铅压电陶瓷中频滤波器的研制

采用本组发明的BNKLT系无铅压电陶瓷,研制了中频陶瓷滤波器.该体系陶瓷具有较高的使用温度,在160℃以上仍然具有较强压电性.利用此体系材料,采用轮廓振动模式,制作了插损约为3dB,中心频率约为530kHz,带宽约为8.8kHz,左、右选择性均良好的无铅压电陶瓷单片式中频滤波器;采用全电极径向振动模式,制作了插入损耗小于6dB、阻带损耗大于30dB、频率特性曲线平滑、具有良好选择性的中频(IF=460kHz)多节带通滤波器.与含铅压电陶瓷多节滤波器相比,BNKLT无铅压电陶瓷滤波器的特性还有差距,有待改进;而对单片式滤波器来说,除中心频率以外,大部分指标可满足村田公司同类含铅陶瓷中频滤波器(SFU系列)产品标准,具有良好的应用前景.