无铅压电陶瓷中频滤波器的研制 |
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引用本文: | 李灵芝,肖定全,赁敦敏,朱建国,余萍.无铅压电陶瓷中频滤波器的研制[J].四川大学学报(自然科学版),2005(Z1). |
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作者姓名: | 李灵芝 肖定全 赁敦敏 朱建国 余萍 |
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作者单位: | 四川大学材料科学系 四川大学材料科学系 成都 |
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摘 要: | 采用本组发明的BNKLT系无铅压电陶瓷,研制了中频陶瓷滤波器.该体系陶瓷具有较高的使用温度,在160℃以上仍然具有较强压电性.利用此体系材料,采用轮廓振动模式,制作了插损约为3dB,中心频率约为530kHz,带宽约为8.8kHz,左、右选择性均良好的无铅压电陶瓷单片式中频滤波器;采用全电极径向振动模式,制作了插入损耗小于6dB、阻带损耗大于30dB、频率特性曲线平滑、具有良好选择性的中频(IF=460kHz)多节带通滤波器.与含铅压电陶瓷多节滤波器相比,BNKLT无铅压电陶瓷滤波器的特性还有差距,有待改进;而对单片式滤波器来说,除中心频率以外,大部分指标可满足村田公司同类含铅陶瓷中频滤波器(SFU系列)产品标准,具有良好的应用前景.
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关 键 词: | 无铅压电陶瓷 BNKLT 单片式滤波器 梯形带通滤波器 插入损耗 |
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