PLC教学中组态仿真技术的应用

仿真技术在现代高校教育中有着重要的作用.以运料小车的控制仿真系统为例,介绍了三菱FX2N-64MR系列的PLC与上位计算机工控组态软件组态王之间的通信过程,该系统在实践教学中具有很好的利用价值.     

非线性扰动的关联时滞大系统分散鲁棒H∞控制

采用状态反馈方法,着重讨论一类具有非线性扰动的关联时滞大系统的分散稳定化设计。利用H∞理论方法和实对称矩阵性质,导出了具有非线性扰动和关联时滞的大系统可分散状态反馈镇定的充分条件。借助于LMI方法,获得了具有较小增益的状态反馈控制率。结论推广了现有文献的研究结果。数值实例说明了方法的有效性。     

混沌时间序列的混合遗传神经网络预测方法

在相空间重构理论的基础上,将改进的遗传算法和神经网络结合起来,提出了一种混合遗传神经网络预测混沌时问序列的方法.通过复相关法和Cao方法重构混沌时间序列,利用改进的遗传算法优化神经网络的结构、初始权值和阚值,然后训练神经网络求得最优解.该算法应用到混沌时间序列的预测中,验证了该算法的有效性,并与BP和RBF算法的预测精度进行了比较,仿真结果表明该算法对混沌时间序列具有更好的非线性拟合能力和更高的预测精度.     

从智猪博弈看证券市场

从智猪博弈入手,采用纳什均衡战略,以便让投资者在证券市场获得最大收益。     

校园周边网吧与校园安全隐患研究

网吧是现代网络技术发展的产物,高校校园周边的网吧已经成为大学生沟通联络、休闲娱乐的重要场所,但同时也产生了不容忽视的负面影响,造成严重的安全隐患。对校园周边网吧进行了深入的调查、研究,就其造成的校园安全隐患的原因进行了剖析,并提出了消除安全隐患的相应措施。     

具有双陷波特性的UWB贴片天线设计

考虑到超宽带（UWB）无线通信系统对现有无线通信系统工作的影响,设计一种具有IEEE WiMAX和IEEE WLAN双陷波特性的超宽带天线.该天线尺寸大小为1.0 mm×20 mm×25 mm,采用扇形阶梯状贴片作为主辐射单元,通过在该辐射贴片上嵌入L形和半圆环形槽缝来实现陷波特性,并且在主辐射单元2边增加附加矩形贴片来展宽天线阻抗带宽.仿真实验结果表明：天线的阻抗带宽为3.0~12.9 GHz,同时具有3.3~3.8 GHz和5.2~5.8 GHz双陷波,平均增益约为4.5 dB,并具有稳定的准全向性辐射特性.该天线能够满足多种超宽带通信系统的应用要求.     

新型直流输电系统改善谐波不稳定的机理分析

将三相不对称的交流电源用正序和负序电压表示,用傅里叶分析方法计算了正序和负序电压传递到直流侧的谐波电压的规律,将这一理论应用到基于感应滤波的直流输电系统,计算在交流系统故障时,直流侧电压谐波的数学表达式,比较在同样的交流系统故障条件下,基于感应滤波的直流输电系统在抑制直流侧谐波幅值方面优于传统的直流输电系统,最后参考实验室基于感应滤波的直流输电系统模型,对输电系统在交流系统故障下的直流电压谐波进行了动模实验.结果表明,由于在感应滤波换流变压器的第三绕组接入2,11,13次LC滤波器,使直流电压中含量高的低次谐波大大减少,直流输电系统谐波不稳定得到一定的抑制。     

Lurie型组合系统的分散输出反馈镇定

综合运用比较原理和LMI方法.首先通过构造一比较系统,将原组合系统的稳定性问题转化为讨论维数低的比较系统的稳定性问题,并利用M矩阵特性导出了比较系统稳定的一个充分条件;为了求取输出反馈增益,建立了等价的稳定条件的QLMI表示形式.通过建立QMI中一矩阵变量的递推关系,将QMI问题转换为一替代过程的LMI求解问题,进而通过求解这一LMI问题来获取可镇定的非线性组合系统输出反馈增益阵.这一方法的特点是使大系统的稳定控制器设计的复杂度保持在子系统一级的水平上,文末给出的数值实例说明了算法在实际工程应用中是有效的.     

基于ARM的网络对讲系统的设计

ARM是一种16／32位低功耗高性能微处理器,能运行实时多任务的32位WindowsCE操作系统．基于ARM／WindowsCE的嵌入式系统已广泛应用于许多不同的领域．介绍了基于ARM的嵌入式系统在网络语音通信中的应用,以及如何为WindowsCE建立开发平台和设计基于ARM11微处理器WindowsCE嵌入式操作系统的应用开发．系统终端使用DM9000网络芯片实现网络信号的传输,采用WM9714实现语音信号的采集和编码,设计了以ARM11嵌入式系统为终端的网络语音对讲系统,并且提供了友好的用户操作界面．     

SHH应力下超薄栅氧PMOS器件退化研究

对超薄栅氧PMOS器件衬底热空穴(SHH)应力下SILC(应力感应泄漏电流)特性和机理进行研究。研究结果表明:在SHH应力下,栅电流在开始阶段减小,这是正电荷在氧化层中积累的结果;随后栅电流慢慢地增加,最后,当在氧化层中积累的正电荷密度达到一个临界值时,栅上漏电流迅速跳变到较大数量级上,说明器件被击穿;当注入空穴通过Si—O网络时,随着注入空穴流的增加,化学键断裂的概率增加;当1个Si原子的2个Si—O键同时断裂时,将会导致Si—O网络不可恢复;Si—O键断裂导致氧化层网络结构发生改变和损伤积累,最终导致氧化层破坏性被击穿。