配体中含有噻吩的铱配合物的构效研究

选择1-苯基异喹啉(piq)作为金属化C-N配体,带有噻吩取代基的2,2'-联吡啶作为N^N配体.设计并合成了铱配合物[Ir(piq)2(tbpy)](PF6).对所得到的配合物进行了结构表征,并详细研究了这种配合物的光物理和电化学性质,讨论了结构和性能的关系.结果表明,在联吡啶上引入噻吩取代基,对配合物的电化学和光物理性质影响较小;使配合物的还原电势和Eg稍有降低;噻吩取代基的引入使配合物发射光谱略有红移.     

水溶性聚对芳撑乙炔在传感中的荧光猝灭

具有较高荧光量子产率,并且在水溶液中聚集很弱的阳离子型水溶性聚对芳撑乙炔(P1)是一种潜在的高灵敏荧光传感材料.通过比较研究多价无机抗衡离子和具有表面活性剂性质的抗衡离子对P1聚集态的影响,以及P1与3个具有相似结构的有机小分子猝灭剂之间的荧光猝灭效应,深入探讨了水溶性共轭聚合物荧光猝灭传感的猝灭剂构效关系.     

水溶性共轭聚合物对过渡金属离子的检测

通过对3种主链分别带有联吡啶、吡啶和苯的阴离子型水溶性聚对芳撑乙炔水溶液中加入不同价态的过渡金属离子,研究其紫外吸收和荧光发射谱图的变化,了解水溶性聚对芳撑乙炔产生荧光猝灭的机理.研究表明,过渡金属离子的价态会影响聚合物在水溶液的链积聚程度,并最终对共轭聚合物猝灭效应产生很大的影响.     

有机/聚合物电存储器及其作用机制

有机电存储是近几年来有机电子学与信息存储交叉领域的研究热点. 本文介绍了有机电存储器的基本概念与原理, 分类论述了有机/无机纳米杂化电双稳态材料、有机/聚合物电双稳态材料以及有机金属配合物电双稳态材料的最新研究成果, 讨论原型动态随机存储器、一次写入多次读取存储器以及非易失性闪存存储器的实现, 同时总结电开关与存储的形成机制, 主要包括场致电荷转移机制、丝状电导机制、构象转变与相变机制、载流子俘获释放机制以及氧化还原机制, 并展望今后的研究工作.     

9位芘和长链烷氧基苯取代的三联芴

采用Suzuki偶联反应制备了9位芘和长链烷氧基苯取代的三联芴ATF.热分析结果显示ATF具有良好的热稳定性,其热分解温度为430 ℃,玻璃化转变温度高达155 ℃.芘在芴9位的非共轭取代并没有改变共轭三联芴的高效率蓝光发射特点,但ATF的HOMO能级得以明显提高,这意味着空穴注入性能有明显的提高.ATF既可以采用真空蒸镀,又可以采用溶液旋涂的方法制备电致发光器件,旋涂器件(ITO/PEDOT∶ PSS(40 nm) /ATF(100 nm)/Ba/Al)的启动电压为7 V,最大外量子效率为0.62.     

电容耦合氧等离子体处理ITO基片对OLED的影响

在不同条件下采用电容耦合氧等离子体处理用于有机电致发光(OLED)的ITO基片,使用接触电势法测量了基片表面功函数的改变.研究发现,氧等离子体处理可以有效地提高ITO表面的功函数.X射线光电子能谱的测量揭示了其本质:氧等离子体处理可以提高表面氧原子的含量,同时降低ITO表面锡/铟原子的比例,由此导致了ITO表面功函数的提高.高功函数的ITO可降低空穴由ITO向OLED空穴传输层中注入空穴的势垒,从而提高OLED器件的性能.进一步的基于联苯二胺衍生物NPB/8-羟基喹啉铝(Alq3)的标准器件的研究证明了这一点.研究同时发现,在相同的真空和氧压条件下,保持处理时间不变,随着射频激发功率的升高,ITO表面功函数会逐渐降低.这个功函数的降低,使得OLED器件的驱动电压升高且电流效率减小.因此使用电容耦合氧等离子体处理的ITO来制备OLED器件,需要在优化的条件下进行,以达最佳效果.在本实验系统下处理条件为射频功率100 W、时间25 s.     

含两极化合物的交联聚合物的合成与性能

设计了一类两极化合物,既含有电子传输单元,又含有空穴传输单元,采用一般的N-烷基化反应或Ullmann反应.将改性的8-羟基喹啉用作穴传输单元的化合物加入到反应体系中,在催化剂的存在下反应获得一类含有吩噻嗪单元的8-羟基喹啉衍生物.将此配体与含可聚合单元的8-羟基喹啉配体与金属离子共同配位,获得一类两极化合物,即含有空穴传输单元的8-羟基喹啉金属配合物.将该两极化合物通过紫外光固化或热固化共聚交联实现高分子化,得到一类含有新型的发光材料.并利用元素分析、FT-IR、UV、PL光谱等方法对其结构和性能作了表征.循环伏安法被用来研究其氧化还原性质和估算电化学能级.     

基于芴和2,4-二氟苯的寡聚物的合成与表征

为了对比不同分子结构的芴类寡聚物在光物理性质上的差异,将 9,9-二(十二烷基)-芴(F1)和2,4-二氟苯硼酸通过Suzuki偶联反应合成并表征了一系列寡聚物:2-(2,4-二氟苯) -9,9-二(十二烷基)-芴(FF1)、2,7-二(2,4-二氟苯)-9,9-二(十二烷基)-芴(FF2)、二-(2-(2,4-二氟苯基)-9,9-二(十二烷基)-芴)-7-(2,4-二氟苯)-9,9-二(十二烷基)-芴(FF3)以及1-溴-3,5-二(2-(2,4-二氟苯)9,9-二(十二烷基)-芴)-苯(FF4).依照F1,FF1,FF2和FF3的次序,由π-π*跃迁导致的最大紫外吸收依次红移,而寡聚物FF4的最大紫外吸收相对于寡聚物FF3要蓝移,其薄膜的最大荧光发射相比于寡聚物FF3要红移.这说明分子的线形、支化结构和由此引起的聚集态结构的变化对其光物理性能都有重要影响.密度泛函理论计算和实验结果基本一致.通过光降解实验还发现含氟寡聚物具备较好的光稳定性.     

RAFT法在纳米粒子表面改性中的最新进展

纳米粒子表面原子很活泼,易与其他原子结合且在生物体内有一定的毒性,因此需要改善纳米粒子表面的性能。随着可逆加成-断裂转移(reversible addition-fragmentation chain transfer,RAFT)聚合机理和技术不断地完善,该聚合法为纳米粒子表面接枝功能性聚合物提供了一条有效的途径。文中综述了RAFT法在金、二氧化硅以及四氧化三铁纳米粒子表面改性中的最新研究进展。