电流模式双二阶滤波器的基本CMOS OTA实现

针对采用多输出跨导运算放大器(OTA)实现电流模式滤波器频率受限问题,提出了一种基于只有一个输出端的基本跨导运算放大器及电容的连续时间电流模式双二阶滤波器的最简实现方案;讨论了跨导运算放大器的非理想特性对电流模式滤波器的性能影响;面向实际电路完成了MOS管级的计算机仿真,仿真结果表明所提出的滤波器电路在不加任何补偿措施的条件下,其特征频率可以达到5 MHz.     

陶瓷材料微波加工用高均匀度多模谐振腔的研究

微波能作为一种新型能源,用于陶瓷材料的加工具有广阔的应用前景。如何改善微波加热时的均匀性,是实现微波加工陶瓷的关键技术之一。基于旋转场天线原理,建立了一种新型的多模谐振腔。采用了３ｄＢ桥及相互垂直的耦合孔,从而在谐振腔内形成旋转的电磁场,大大改善了加热均匀性。与频率２４５０ＭＨｚ、输出功率５ｋＷ的微波源相配合,建立的加热系统结构简单,加热特性优良,尤其适合于大尺寸陶瓷材料的微波加工。对Ａｌ２Ｏ３,ＺｒＯ２,Ｓｉ３Ｎ４等先进陶瓷成功地进行了烧结。     

微重力条件下流动与传热传质的地面模拟

为了给载人航天器热设计提供依据,考核热控系统的适应能力以及确定热湿控制参数。发展了材料－温度－湿度保持技术,以实现微重力条件下导热－对流－辐射换热与传质稳态系统的地面相似模拟。通过调整壁面热流密度分布,可以使尺寸适当缩小后的模型的材料、温度和湿度同时保持不变,同时还能抑制由重力引起的自然对流的作用,从而实现地面模型与微重力场中原型流动、换热和传质相似。并用数值方法对均匀进风条件下的流动、换热和传质的相似性进行了验证。     

方腔内混合对流换热的数值研究与模型实验

为研究方腔内混合对流向受迫对流过渡的临界参数,通过数值模拟和模型实验,得到了不同工况下的流场、温度场,并将数值结果与实验结果进行了对比,通过一系列的数值计算,取得了均匀通风方式时混合对流处于受迫对流占优状态、自然对流受到抑制时的特征参数,指出描述方腔内混合对流的特征参数Ｇｒ／Ｒｅｎ中的ｎ不等于２,并发现当自然对流引起的旋涡消失时,自然对流对换热仍有一定的影响。     

半胱氨酸组成的二肽与锌络合的研究(部分二)用电位滴定法研究二肽和锌络合物的结构(英文)

利用电位滴定法测定了溶液中二肽Ｈ－Ｃｙｓ－Ｃｙｓ－ＯＥｔ（１）的ｐＫａ值以及它的锌络合物的稳定常数和组分分布,从而推断出锌络合物的结构     

HFC网上行信道时隙同步的性能分析

在分析HFC网络上行信道时隙同步过程的基础上,建立在系统故障恢复情况下上行信道时隙同步过程的数学建模,重点研究了HFC网完成上行信道时隙同步所需的平均时间.文中给出了不同网络规模、冲突解析算法参数值、上行信道带宽分配策略条件下的实验结果.最后提出了优化HFC网上行信道时隙同步性能的措施.     

电场作用下二元液态合金中溶质活度变化理论模型

通过对Cu-0.2%Al合金施加直流、交流和脉冲电场发现,Cu液中溶质Al的活度系数随电场强度的增加,呈不同程度的减小趋势.为了进一步研究溶质Al的活度减小的原因,对Al-5%Cu合金在熔融状态下进行了液态淬火.通过淬火后的金相组织观察发现,电场作用下液态金属的结构发生了明显的变化,溶质在合金溶液中的分布发生了沿某一个方向聚集的现象.从而揭示了电场作用下二元系合金中溶质活度变化的本质,并在此基础上建立了电场作用下二元系合金中溶质活度变化的理论模型.     

片状化石燃料的循环流化床燃烧(Ⅰ)--片状颗粒的形貌描述和流态化阻力特征描述

比较了不同球形度概念对片状化石燃料的描述效果,研究了片状化石燃料球形度变化对其流态化特征的影响.分析了Krumbein球形度为0.1～0.4的京西无烟煤在一台50MW循环流化床锅炉上表现出来的特殊现象,如运行床温和炉膛压力大幅度波动、依靠排放冷渣保持稳定运行,揭示了这些现象发生的原因.     

WO3粉在高速层间剪切条件下的颗粒破碎特征

研究了WO3粉和W粉的剪切破碎时间对WO3粉和W粉的沉降曲线、平均粒度、BET比表面及松装密度的影响.用TEM和SEM对剪切破碎前后的粉末进行了直接观察.结果表明:新型剪切破碎机能有效地粉碎微米级WO3等脆性粉末,同时可以破坏超细W粉中的桥接团粒,使W粉和WO3粉的松装密度增加1倍以上,但对比表面积影响不大.     

壁电荷对ACPDP中气体击穿电压的影响

用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外加最小维持电压的测量结果计算实际施加在放电气体上的击穿电压,探讨壁电荷电压对放电气体实际击穿电压的影响.实验结果表明:随着ACPDP外加最小维持电压的增加,壁电荷电压升高,气体的击穿电压也随之升高;有壁电荷时的气体击穿电压明显高于无壁电荷时的气体击穿电压,随着壁电荷电压从7.62 V升高到67.89 V,有壁电荷时的气体击穿电压比无壁电荷时的气体击穿电压分别提高了6.98 V到57.09 V;壁电荷增加会显著提高了放电气体的击穿电压阈值,使ACPDP内放电气体的击穿变得困难.